Вернуться к расписанию
Стендовая секция
Дата:Среда, 17 сентября
Время:11:15 - 13:00
Место:Малый зал Дома ученых СО РАН
1
А.П. Мелехов, М.А. Алхимова, Г.С. Богданов, А. Бунин, И.О. Гончаров
Модификация свойств поверхности полупроводниковых материалов мягким рентгеновским излучением
Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Москва
Московский промышленный колледж НИЯУ МИФИ, Москва
2
М.C. Аксенов, А.Ю. Широков, О.Е. Терещенко, П.А. Половодов, Н.А. Валишева
Формирование границы раздела анодный оксид/InAs в газоразрядной плазме
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Новосибирский Государственный Университет, Новосибирск
3
П.Л. Новиков, Ж.В. Смагина, А.В. Двуреченский
Исследование диффузии Ge на структурированных подложках Si методом молекулярной динамики
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
4
О.В. Наумова, А.И. Климовская, Ю.Н. Педченко, И.Г. Луцишин, Н.А. Высоцкая, А.В. Корсак, В.В. Лиходиевский, Ю.Б. Чайковский
Влияние физико-химических свойств поверхности нитевидных кристаллов кремния на генерацию нервных волокон
Институт физики полупроводников им А.В. Ржанова, Новосибирск
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва, Киев, Украина
Национальный медицинский университет им. А.А. Богомольца, Киев, Украина
5
Т.Е. Тимофеева, П.В. Винокуров, С.А. Смагулова
Расчет уровней перезарядки в гетероструктурах р-Si/SiGe/Si
Северо-Восточный федеральный университет им. М.К. Аммосова, Якутск
6
О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко, O.P. Sushkov
Полупроводниковый искусственный графен: дизайн, критический беспорядок и дираковские эффекты
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
7
С.В. Мутилин, А.Б. Воробьёв, Р.А. Соотс, Д.Г. Икусов, Н.Н. Михайлов, В.Я. Принц
Формирование проводящих микротрубок и гофрировок ZnTe/CdHgTe/HgTe/CdHgTe с двумерным электронно-дырочным газом в квантовой яме HgTe
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
8
К.А. Лозовой, А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский
Оценка вклада энергии образования дополнительных ребер на изменение свободной энергии при росте квантовой точки
Томский государственный университет, Томск
9
И.В.Матюшкин
Транспортные процессы в наноразмерных кремниево-кислородных системах
ОАО НИИ молекулярной электроники, Москва, Зеленоград
Московский институт электронной техники, Москва, Зеленоград
10
И.В. Матюшкин, Н.В. Евстратов
Квантово-химические расчеты некоторых кремниево-кислородных кластеров вида SinOm (m<2n, n<10)
ОАО «НИИ молекулярной электроники», Москва, Зеленоград
Московский физико-технический институт, Долгопрудный
11
Ю.Э. Гребенькова, И.С. Эдельман, А.Э. Соколов, В.И. Чичков, Н.В. Андреев
Корреляция между оптическими и магнитооптическими свойствами тонких пленок La0.7Sr0.3MnO3 и Pr1-xSrxMnO3 с типом их проводимости
Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва
12
И.Е. Тысченко, В.А. Володин, А.Г. Черков
Ускоренный рост нанокристаллов Ge в SiO2 под действием гидростатического давления
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
Новосибирский Государственный Университет, Новосибирск
13
И.Е. Тысченко, P.L. Grande, В.А. Володин, В.П. Попов
Ионно-лучевой синтез нанометровых слоев Ge на границе раздела Si/SiO2 структур кремний-на-изоляторе
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
Institute of Physics, UFRGS, Porto Alegre, Brazil
14
К.В. Феклистов, Д.С. Абрамкин
Легирование кремния атомами эрбия методом имплантации вторичных ионов
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
15
Д.В. Номоконов
Магнетосопротивление анизотропного диска Корбино
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
16
К.А. Конфедератова, Е.Е. Родякина
Коррекция эффекта близости при формировании фотонных кристаллов методом электронно-лучевой литографии
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
Новосибирский Государственный Университет, Новосибирск
17
Э.Г. Кулубаева, О.В. Наумова, Б.И. Фомин, В.П. Попов
Подвижность электронов в нанометровых слоях КНИ в условии обогащении
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
18
Г.М. Борисов, С.А. Кочубей, А.А. Ковалёв, Д.В. Ледовских, Н.Н. Рубцова, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин
Генерация второй гармоники излучения инфракрасного фемтосекундного лазера в наноструктуре с асимметричными квантовыми ямами
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
19
И.И. Ижнин, Е.И. Фицыч, А.В. Войцеховский, А.Г. Коротаев, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, К.Д. Мынбаев
Донорный фон в эпитаксиальных структурах CdHgTe
Научно-производственное предприятие «Карат», Львов, Украина
Национальный исследовательский Томский госуниверситет, Томск
Академия сухопутных войск им. П. Сагайдачного, Львов, Украина
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
ФТИ им. А.Ф.Иоффе, Санкт-Петербург
20
И.И. Ли
Схемотехнические решения построения устройств считывания сигналов для гибридных ИК ФПУ на основе ПЗИ элементов
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
21
Д.Г. Есаев, А.И. Торопов, Н.А. Валишева
ИК фотоприемый модуль на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
22
М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, А.Г. Клименко, А.И. Козлов, И.В. Марчишин, А.Р. Новоселов, В.Н. Овсюк
Разработка технологии мозаичных неохлаждаемых микроболометрических приемников инфракрасного и терагерцового спектральных диапазонов форматом до 3072х576 и более
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
23
М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, А.И. Козлов, И.В. Марчишин, В.Н. Овсюк
Исследование влияния структуры кремниевого мультиплексора и параметров матрицы детекторов инфракрасного диапазона на характеристики фотоприемников
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
24
Р.В. Левин, Д.Ю. Казанцев, Б.В. Пушный
Выращивание и исследование варизонных слоев твердых растворов на основе антимонида галлия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург
НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург
25
В.Г. Кеслер, А.А. Гузев, С.А. Дворецкий, Е.Р. Закиров, А.П. Ковчавцев, З.В. Панова, М.В. Якушев
МДП КРТ – фотодиод с туннельно прозрачным слоем окисла
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
26
С.Г. Бортников, В.Ш. Алиев, И.В. Мжельский, И.А. Бадмаева
Осцилляции тока в пленках диоксида ванадия как проявление пространственно-временной нестабильности тока вблизи фазового перехода полупроводник-металл
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
27
В.А. Голяшов, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, М.С. Аксенов, Н.А. Валишева, И.П. Просвирин, А.В. Калинкин, В.И. Бухтияров, А.В. Бакулин, С.Е. Кулькова, О.Е. Терещенко
Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск
Новосибирский Государственный Университет, Новосибирск
28
О.А. Шегай, О.Р. Баютова, А.К. Бакаров
Фотопроводимость 2DEG AlGaAs/GaAs мезатруктур зигзагообразной формы
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
29
Н.Д. Абросимова, А.Г. Гаранин, М.Н. Минеев
Влияние стационарного рентгеновского излучения на свойства границы сращивания структур «кремний на изоляторе» со скрытым диэлектриком, модифицированным имплантацией ионов примеси
ФГУП ФНПЦ НИИИС им. Ю.Е. Седакова, Нижний Новгород
30
А.В. Никонов, К.О. Болтарь, И.Д. Бурлаков, Н.И. Яковлева
Исследование спектральных характеристик многослойных гетероэпитаксиальных структур КРТ
ОАО «НПО «Орион», Москва
МФТИ, Долгопрудный
МГТУ МИРЭА, Москва
31
А.А. Блошкин, А.И. Якимов, В.А. Тимофеев, А.В. Двуреченский, А.А. Кирокасян
Процесс захвата дырок в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками Ge
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
32
E. Kutlu, P. Narin, G. Atmaca, B. Sarikavak Lisesivdin, S.B. Lisesivdin
Ab initio study of oxygen and arsenic impurities on non-linear optical properties of β-Si3N4 material.
Gazi University, Faculty of Science, Department of Physics, Ankara, Turkey
33
К.Д. Мынбаев, И.И. Ижнин, А.И. Ижнин, Н.Л. Баженов, А.В. Шиляев, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, М.В. Якушев, С.А. Дворецкий
Фотолюминесцентное исследование акцепторных состояний в гетероэпитаксиальных структурах CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках Si и GaAs
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Научно-производственное предприятие «Карат», Львов, Украина
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
34
А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, В.В. Васильев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, В.Д. Кузьмин, В.Г. Ремесник, Ю.Г. Сидоров
Электрофизическая диагностика параметров МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
35
Ю.С. Воробьёва, А.Б. Воробьёв, В.Я. Принц, А.И. Торопов, D. Maude
Магнитотранспорт в двумерном электронном газе на поверхности спирали в квантующих магнитных полях
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
36
А.В. Войцеховский, Д.И. Горн
Фотолюминесценция в МКЯ-структурах КРТ МЛЭ
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск
37
В.В. Румянцев, С.В. Морозов, А.В. Антонов, Д.И. Курицын, К.Е. Кудрявцев, А.М. Кадыков, В.И. Гавриленко, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Длинноволновая фотолюминесценция в узкозонных эпитаксиальных пленках и структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
38
С.С. Березуева, В.Н. Горошко, Б.М. Симонов, С.П. Тимошенков
Надёжностные параметры кольцевого микрогироскопа с кремниевым резонатором
Национальный исследовательский университет «МИЭТ», Зеленоград, Москва
39
С.А. Смагулова, Г.Н. Александров, П.В. Винокуров, И.И. Куркина, И.В. Антонова
Исследование структурных, оптических и электрических свойств частично восстановленных оксид графеновых пленок
Северо-Восточный федеральный университет им. М.К. Аммосова, Якутск
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск