| 09:00 - 09:20 | Ю.Г. Сидоров, А.П. Анциферов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина, В.Г. Ремесник, Д.Г. Икусов, И.Н. Ужаков, Г.Ю. Сидоров, В.Д. Кузьмин, С.В. Рыхлицкий, В.А. Швец, А.С. Мардежов, Е.В. Спесивцев, А.К. Гутаковский, А.В. Латышев, К.К. Свиташев Молекулярно-лучевая эпитаксия CdxHg1-xTe на альтернативных подложках
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
|
| 09:20 - 09:40 | В.А. Зиновьев, А.В. Двуреченский, П.А. Кучинская, В.А. Армбристер, С.А. Тийс, А.А. Шкляев, А.К. Гутаковский, А.В. Мудрый Самоорганизация упорядоченных групп SiGe квантовых точек
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению
|
| 09:40 - 10:00 | А.А. Шкляев Формы морфологий поверхности слоёв германия, полученных при высоких температурах на кремнии Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
|
| 10:00 - 10:20 | В.П. Попов, А.К. Гутаковский, Л.Н. Сафронов, С.Н. Подлесный, В.А. Антонов, И.Н. Куприянов, Ю.Н. Пальянов, С. Рубанов Совершенные гетероструктуры алмаз-графит-алмаз: получение, электронные и оптические свойства Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН
Университет Мельбурна, Мельбурн, Австралия
|
| 10:20 - 10:40 | Д.С. Абрамкин, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, А.К. Гутаковский, Т.С. Шамирзаев Квантовые точки, сформированные в гетеросистеме InSb/AlAs Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова
|
| 10:40 - 11:00 | Н.Н. Герасименко Радиационная стойкость полупроводниковых наноструктур
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
|
|