Д.В. Брунев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, И.В. Марчишин, В.Д. Кузьмин, Н.Н. Михайлов, И.О. Парм, А.В. Предеин, И.В. Сабинина, А.О. Сусляков, Г.Ю. Сидоров, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев, К.К. Свиташев, В.Н. Овсюк, А.Л. Асеев, А.В. Латышев Инфракрасные фотоприемники на основе оптимизированных гетероэпитаксиальных структур теллурида кадмия и ртути, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
|