СОТРУДНИКИ
 |
Тарасов Андрей Сергеевич м.н.с. |
Область интересов:
рост буферных слоёв BaF2/CaF2 на Si (111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), рост эпитаксиальных плёнок Pb1-xSnxTe:In на буферных слоях BaF2/CaF2/Si(111) и CdTe/ZnTe/GaAs(013) методом МЛЭ, изучение методов получения атомарно-чистых и структурно-упорядоченных поверхностей эпитаксиальных плёнок соединений IV-VI и II-VI групп, а также исследование топологических свойств поверхности эпитаксиальных плёнок Pb1-xSnxTe:In.