СОТРУДНИКИ
 |
Исхакзай Рамин Мохаммад Ханифович м.н.с. |
Область интересов:
Получение нестехиометрических диэлектриков путем обработки в плазме электронно-циклотронного резонанса (ЭЦР). Исследование влияния вакансий кислорода на проводимость SiO2 и high-k диэлектриков, обработанных в водородной ЭЦР плазме. Разработка МДМ/МДП наноструктур, применимых в качестве элементов резистивной ReRAM-памяти и исследование их резистивных свойств. Определение механизма транспорта заряда в мемристорных МДМ/МДП наноструктурах.