СОТРУДНИКИ
Комонов Александр Иванович
инженер
тел. 333-06-99
504 ЛТК
e-mail:
Образование:
2010 - Новосибирский государственный технический университет, факультет радиотехники и электроники
Опыт работы:
2007 - по настоящее время — инженер ИФП СО РАН
Область научных интересов:
Сканирующая туннельная микроскопия, атомно-силовая микроскопия, локальное зондовое окисление, графен, наноматериалы, трёхмерные наноструктуры.
Монографии, главы монографий, обзоры:
- E.B. Grokhov, K.A. Astankova, A.I. Komonov, A. I. Kuznetsov, GeO2 Films with Ge-Nanoclusters in Layered Compositions: Structural Modifications with Laser Pulses, Laser Pulses - Theory, Technology, and Applications, Igor Peshko (Ed.), InTech, 2012
Статьи
- S.B. Artemkina, T.Y. Podlipskaya, A.I. Bulavchenko, A.I. Komonov, Y.V. Mironov, V.E. Fedorov, Preparation and characterization of colloidal dispersions of layered niobium chalcogenides, Colloids and Surfaces A Physicochemical and Engineering Aspects, v.461, pp. 30–39,2014
- V.E. Fedorov, S.B. Artemkina, E.D. Grayfer, N.G. Naumov, Y.V. Mironov, A.I. Bulavchenko, V.I. Zaikovskii, I.V. Antonova, A.I. Komonov, M.V. Medvedev, Colloidal solutions of niobium trisulfide and niobium triselenide, J. Mater. Chem. C, v.2, №28, 5479-5486, 2014
- I. V. Antonova, S. V. Golod, R. A. Soots, A. I. Komonov, V. A. Seleznev, M. A. Sergeev, V. A. Volodin, V. Ya. Prinz, Comparison of various methods for transferring graphene and few layer graphene grown by chemical vapor deposition to an insulating SiO2/Si substrate, Semiconductors, v.48, № 6, pp. 804-808, 2014
- N.A. Nebogatikova, I.V.Antonova, A.I.Komonov, V.Ya.Prinz, Producing arrays of graphene and few-layer graphene quantum dots in a fluorographene matrix, Optoelectronics instrumentation and data processing, v. 50, №3, pp. 298-303, 2014
- I.A.Kotin, I.V.Antonova, A.I.Komonov, V.A.Seleznev, R.A.Soots, V.Ya.Prinz, High carrier mobility in chemically modified graphene on an atomically flat high-resistive substrate, Journal of Physics D: Applied Physics, v.46, №28, p.285303, 2013