Лаборатория физики и технологии трёхмерных наноструктур

ПУБЛИКАЦИИ



1990

  1. Zeman В.J., Kristofic J., Prinz V.Ya, Rechkunov S.N., Hubic P., Mares J.J. in Defect Control in Semiconductors ed. By K. Sumino, Elseveir, New York, 1990.
  2. Мальцев С.В., Принц В.Я., Речкунов С.Н., Процессы переноса и захвата электронов в гетероструктурах AlGaAs/GaAs с модулированным легированием. Горячие электроны в полупроводниках с пониженной размерностью, Л., 1990.
  3. Самойлов В.А., Якушева Н.А., Принц В.Я., Влияние изовалентной примеси Sb на образование электрически активных дефектов в GaAs. IX Всесоюзная конференция по физике полупроводников. Киев, 1990, с. 241-245.
  4. Вьюн В.А., Принц В.Я., Акусторезистивный эффект в системе пьезоэлектрик n-i структурах GaAs и фотоматрица на его основе. В кн. ”Материалы конференции “Акустоэлектронные устройства обработки информации на поверхностных акустических волнах”, Черкассы, 1990.
  5. Принц В.Я., Речкунов С.Н., Выявление неоднородности встроенного заряда в МДП-структурах на основе арсенида индия при измерении профиля легирования. Микроэлектроника, 1990, т. 19, в. 3, с. 252-257.