Лаборатория физики и технологии трёхмерных наноструктур

ПУБЛИКАЦИИ



1989

  1. Самойлов В.А., Речкунов С.Н., Принц В.Я., Особенности перекрытия канала ПТШ, связанные с границей раздела активный слой - буферный слой. Физические основы твердотельной электроники. Всесоюзная конференция. 1989, с. 287-288.
  2. Принц В.Я., Самойлов В.А., Речкунов С.Н., Исследование свойств буферных слоев в многослойных структурах арсенида галлия для ИС и ПТШ. Физические основы твердотельной электроники. Всесоюзная конференция. 1989, с.147-148.
  3. Принц В.Я., Самойлов В.А., Речкунов С.Н., Иващук А.В., Иваницкий О.П., Влияние свойств исходного материала на характеристики полевых транзисторов Шоттки с субмикронным затвором, Труды Всесоюзного совещания по проблемам СВЧ-электроники. г. Львов, 1989, с. 2.
  4. Принц В.Я., Сильнополевые эффекты переключения и неустойчивости тока в слоях GaAs и InP на полуизолирующих подложках. Плазма и неустойчивости в полупроводниках, Вильнюс, 1989, с. 4-12.
  5. Lubyshev D.I., Zhuravlev K.S., Migal V.P., Prinz V.Ya., Semyagin V.R., Effects of grown temperature on the parameters of undoped GaAs layers grown MBE. 3 Symposium MBE, 1989.
  6. Булдыгин А.Ф., Принц В.Я., Эффекты проводимости при СВЧ разогреве электронов в структурах пониженной размерности. Горячие электроны в полупроводниках с пониженной размерностью, Л., 1989, с. 8-12.
  7. Принц В.Я., Самойлов В.А., О контроле емкостными методами эпитаксиальных структур GaAs, предназначенных для изготовления ИС и ПТШ. Микроэлектроника, 1989, т. 18, в. 5, с. 416- 420.
  8. Zeman В.J., Kristofic J., Prinz V.Ya., Rechkunov S.N., Deep levels in GaAs1-xP under high hydrostatic pressure. Crystal Properties and Preparation, 1989, (19-20), p. 29-32.