ПУБЛИКАЦИИ



1982

  1. Принц В.Я., Речкунов С.Н., Влияние электрического поля на захват электронов и дырок безызлучательными центрами в GaAs. В кн.:”Арсенид галлия”, Томск, 1982, с. 57-58.
  2. Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф., Принц В.Я., Захват горячих электронов в эпитаксиальных слоях арсенида галлия. В кн.:”Арсенид галлия”, Томск, 1982, с. 159-161.
  3. А.с. 843642 (СССР). Способ контроля глубоких уровней в полупроводниках и устройство для его реализации. В.Я. Принц, О.М. Орлов. Опубл. в БИ., 1982, N 12.