Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А3В5



2011

  1. T.S.Shamirzaev, J.Debus, D.S.Abramkin, D.Dunker, D.R.Yakovlev, D.V.Dmitriev, A.K. Gutakovskii, L.S.Braginsky, K.S.Zhuravlev, and M.Bayer, «Exciton recombination dynamics in an ensemble of (In,Al)As/AlAs quantum dots with indirect band-gap and type I band alignment», Phys. Rev. B 84, 155318-9 (2011).
  2. Д.С.Абрамкин, А.К.Гутаковский, М.А.Путято, В.В.Преображенский, Т.С.Шамирзаев, «Новая система GaAs квантовых точек в матрице GaP», Известия вузов Физика, 54, №2/2, стр. 18-21 (2011).
  3. А.А.Лямкина, Д.С.Абрамкин, Д.В.Дмитриев, С.П.Мощенко, Т.С.Шамирзаев, К.С.Журавлев, А.И.Торопов, «Высококачественные структуры с InAs/Al0.9Ga0.1As квантовыми точками, выращенные методом нанокапельной эпитаксии», Известия вузов Физика, 54, №2/2, стр. 216-220 (2011).
  4. Д.С.Абрамкин, К.С.Журавлёв, Т.С.Шамирзаев, А.В.Ненашев, А.К.Калагин “Исследование захвата носителей заряда в InAs/AlAs квантовые точки при гелиевой температуре” ФТП 45(2) с.183-191 (2011).
  5. Т.С.Шамирзаев «Полупроводниковые гетероструктуры первого рода с непрямой зоной проводимости» ФТП 45(1) с.97-103 (2011).
  6. A.A.Lyamkina, D.S.Abramkin, D.V.Dmitriev, D.V.Gulyaev, A.K.Gutakovsky, S.P.Moshchenko, T.S.Shamirzaev, A.I.Toropov, K.S.Zhuravlev, «High-quality structures with InAs/Al0.9Ga0.1As QDs produced by droplet epitaxy», Journal of Crystal Growth 337, p.93-96 (2011).
  7. N.G.Galkin, E.A.Chusovitin, T.S.Shamirsaev, A.K.Gutakovski, A.V.Latyshev. “Growth, structure and luminescence properties of multilayer Si/β-FeSi2 NCs/Si/.../Si nanoheterostructures” Thin Solid Films 519, p.8480–8484 (2011).
  8. Т.С.Шамирзаев, Д.В.Дмитриев, Л.Л.Свешникова, П.Тронк “Безызлучательный перенос энергии экситонов по механизму Фёрстера в гибридных структурах КТ InAs/AlAs – молекулы красителя” Письма в ЖЭТФ 94 №10 с.828-831 (2011).
  9. E.Stock, W.Unrau, A.Lochmann, J.A.Tofflinger, M.Ozturk, A.I.Toropov, A.K.Bakarov, V.A. Haisler, D.Bimberg - High-speed single-photon source based on self-organized quantum dots, Semiconductor Science and Technology, 26, (2011), 014003.
  10. E.Stock, M.Dachner, T.Warming, A.Schliwa, A.Lochmann, A.Hoffmann, A.Toropov, A.Bakarov, I.Derebezov, M.Richter, V.Haisler, A.Knorr, D.Bimberg, - Acoustic and optical phonon scattering in a single In(Ga)As quantum dot, Phys. Rev. B 83, 041304(R) (2011).
  11. G.Steudle, S.Knauer, U.Herzog, E.Stock, V.A.Haisler, D.Bimberg and O.Benson - Experimental optimal maximum-confidence discrimination and optimal unambiguous discrimination of two mixed single-photon states, - Phys. Rev. A 83, 050304(R) (2011).
  12. В.А.Гайслер, И.А.Деребезов, А.И.Торопов, И.И.Рябцев, - Излучатели на основе полупроводниковых брэгговских микрорезонаторов, Автометрия, т.47, №5, 2011, стр.25-31.
  13. Yu.A.Pusep, G.M.Gusev, A.K.Bakarov, A.I.Toropov, and J.C.Portal - Magnetotransport in a wide parabolic well superimposed with a superlattice, - Journal of Applied Physics, 109, 102403 (2011).
  14. А.В.Бакулин, О.Е.Терещенко, С.В.Еремеев, С.Е.Кулькова. Адсорбция хлора на поверхности ζ-InAs(001)-(4×2) // Физика и техника полупроводников, 2011, том 45, стр.23-31.
  15. O.E.Tereshchenko, D.Lamine, G.Lampel, Y.Lassailly, X.Li, D.Paget, J.Peretti. Magnetic and transport properties of Fe/GaAs Schottky junctions for spin polarimetry applications, J. of Appl. Phys. 109, 113708 (2011).
  16. V.L.Berkovits, V.P.Ulin, O.E.Tereshchenko, D.Paget, A.C.H.Rowe, P.Chiaradia, B.P.Doyle, and S.Nannarone, Chemistry of Wet Treatment of GaAs(111)B and GaAs(111)A in Hydrazine-Sulfide Solutions, Journal of The Electrochemical Society, 1583 (2011) D127-D1352011.
  17. О.Е.Терещенко, Д.В.Дмитриев, А.И.Торопов, С.В.Еремеев, С.Е.Кулькова, Сурфактантные свойства цезия в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs(001). Письма в ЖЭТФ т. 93(10) (2011) 647-652.
  18. О.Е.Терещенко, K.A.Кох, В.В.Атучин, K.Н.Романюк, С. В.Макаренко, В.А.Голяшов, И.П.Просвирин, А.С.Кожухов, А.А.Шкляев, Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3. Письма в ЖЭТФ т. 94(6) (2011) 500-503.
  19. V.V.Atuchin, V.A.Golyashov, K.A.Kokh, I.V.Korolkov, A.S.Kozhukhov, V.N.Kruchinin, S.V.Makarenko, L.D.Pokrovsky, I.P.Prosvirin, K.N.Romanyuk, and O.E.Tereshchenko, Crystal Growth & Design, October 10, 2011.
  20. A.A.Lyamkina, D.V.Dmitriev, Yu.G.Galitsyn, V.G.Kesler, S.P.Moshchenko, A.I.Toropov. “The Investigation of Intermediate Stage of Template Etching with Metal Droplets by Wetting Angle Analysis on (001) GaAs Surface”. Nanoscale Research Letters 6, 42 (2011).
  21. Ю.Г.Галицын, Ю.И.Михайлов, Д.В.Дмитриев, С.П.Мощенко, А.И.Торопов, А.А. Лямкина. “Формирование роевидных наноразмерных структур в твердофазных химических процессах”. Известия высших учебных заведений, серия Физика 54, №1/2, с. 159 (2011).
  22. Ю.Г.Галицын, А.А.Лямкина, С.П.Мощенко, Д.В.Дмитриев, А.И.Торопов, Ю.И. Михайлов. Динамика и кинетика гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001) β(2×4) при ультра малых степенях заполнения поверхности. Доклады АН ВШ РФ №2 (17), с. 6-14 (2011).
  23. И.А. Александров, А.М. Гилинский, К.С. Журавлев. Динамика рекомбинации носителей заряда в квантовых точках GaN/AlN при различных уровнях возбуждения. Известия высших учебных заведений, серия Физика. 2011, т.54, №2/2, стр. 22-25.
  24. В.А. Гриценко, К.С. Журавлев, В.А. Надолинный. Квантование электронного спектра и локализация электронов и дырок в кремниевых квантовых точках. ФТТ, 2011, т.53, №4, стр.803-806.
  25. Е.В. Кожемякина, К.С. Журавлев. Исследование процессов формирования экситонов с помощью динамики спинового расщепления. Известия высших учебных заведений, серия Физика, 2011, т.54, №2/2, стр. 185.
  26. А.К. Шестаков, К.С. Журавлев. Влияние профиля легирования на характеристики ионно-легированного GaAs полевого транзистора с затвором Шоттки. ФТП, 2011, т.45, №12, стр.1652-1661.
  27. V.A. Gritsenko, V.A. Nadolinny, K.S. Zhuravlev, J.B. Xu, and H. Wong. Quantum confinement and electron spin resonance characteristics in Si-implanted silicon oxide films. Journal of Applied Physics, 2011, v.109, p.084502.
  28. Dmitry Yu. Protasov, Wen-Bin Jian, Kirill A. Svit, Tatyana A. Duda, Sergei A. Teys, Anton S. Kozhuhov, Larisa L. Sveshnikova, Konstantin S. Zhuravlev. Formation of Arrays of Free Standing CdS Quantum Dots Using the Langmuir-Blodgett Technique. Journal of Physical Chemistry C, 2011, v.115, №41, p.20148–20152.
  29. A.V. Tikhonov, T.V. Malin, K.S. Zhuravlev, L. Dobos, B. Pecz. TEM study of defects in AlxGa1-xN layers with different polarity. Journal of Crystal Growth, 2011, doi:10.1016/j.jcrysgro.2011.10.019.
  30. G. M. Gusev, S. Wiedmann, O. E. Raichev, A. K. Bakarov, and J. C. Portal, - Evidence for zero-differential resistance states in electronic bilayers, Phys. Rev. B 83, 041306(R) (2011).
  31. G. M. Minkov, A. V. Germanenko, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, A. K. Bakarov, and D. V. Dmitriev, - Interaction correction to conductivity of AlxGa1-xAs/GaAs double quantum well heterostructures near the balance, Phys. Rev. B 84, 075337 (2011).
  32. Fractional quantum Hall effect in second subband of a 2DES, - C.A.Duarte, L.E.G.Armas, E.C.F.da Silva, G.M.Gusev, A.K.Bakarov, S.Wiedmann and J.C.Portal, EPL (Europhysics Letters) Volume 94 Number 3, 37010 (2011).
  33. S.Wiedmann, G.M.Gusev, O.E.Raichev, A.K.Bakarov, and J.C.Portal, - Nonlinear transport phenomena in a two-subband system, Phys. Rev. B 84, 165303 (2011).
  34. S. Wiedmann, G. M. Gusev, O. E. Raichev, S. Kramer, A. K. Bakarov, and J. C. Portal, - Microwave-induced Hall resistance in bilayer electron systems, Phys. Rev. B 83, 195317 (2011).