Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем

СОТРУДНИКИ

Кириенко Виктор Владимирович

старший научный сотрудник
к.ф.-м.н.

Научная деятельность:

Разработка, изготовление и исследование приборов на основе гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge.

Образование:

  • 1982 г. - окончил Новосибирский государственный университет, физический факультет.
  • 2011 г. - защитил кандидатскую диссертацию "Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge".

Трудовая деятельность:

ИФП СО РАН с 1982 г. по настоящее время.

Избранные публикации:

  1. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko, A.I. Nikiforov – «Ge/Si Quantum Dot Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transitor», Applied Physics Letters, 2002, V. 80, № 25, р.4783-4785.
  2. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, А.И. Никифоров – «Ge / Si-фотодиоды и фототранзисторы со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи», ФТТ, 2005, т.48, вып. 1, с. 33-36.
  3. Н.П. Степина, А.И. Якимов, А.В.Двуреченский, В.В. Кириенко, Н.А. Соболев, Д. П. Лейтао, А.В. Ненашев, А.И. Никифоров, Е.С. Коптев, М.С. Кармо, Л. Перейра – «Фотопроводимость по массиву туннельно-связанных квантовых точек Ge/Si», ЖЭТФ, 2006, т.130, № 2, с. 309–318.
  4. A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov, V.V.Kirienko, N.P. Stepina, P.L. Novikov – «SiGe nanodots in electro-optical SOI devices», In: Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Structures and devices, ed. S. Hall, Springer, 2007, p.113-128.
  5. N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, V.V.Kirienko, V.A. Armbrister, P.L. Novikov, V.G. Kesler, A.K. Gutakovskii, Z.V. Smagina, E.V. Spesivtzev – « Pulsed ion-beam assisted deposition of Ge nanocrystals on SiO2 for non-volatile memory device», Thin Solid Films, v.517, 2008, p. 313-316.
  6. N.P. Stepina, V.V.Kirienko, A.V.Dvurechenskii, S.A.Alyamkin, V.A.Armbrister, A.V.Nenashev – «Selective oxidation of poly-Si with embedded Ge nanocrystals in Si/SiO2/Ge(NCs)/poly-Si structure for memory device fabrication», Semicond. Sci. Technol. v.24, 2009, p.1-4.