НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ И КОНФЕРЕНЦИИ
Научные публикации:
Статьи:
- Mansurov V.G., Malin T.V., Teys S.A., Atuchin V.V., Milakhin D.S. and Zhuravlev K.S., STM/STS study of the density of states and contrast behavior on the boundary between (7×7)N and (8×8) structures in the SiN/Si(111) system. Crystals, v. 12, №12, p. 1707, 2022. DOI: 10.3390/cryst12121707
2022
- Osinnykh I.V, Malin T.V., Zhuravlev K.S. Determination of donor and acceptor concentrations in GaN using yellow photoluminescence band. St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics, v. 16, №1.3, pp. 33–38, 2023. DOI:10.18721/JPM.161.305
- Bashkatov D.D., Malin T.V., Mansurov V.G., Milakhin D.S., Zhuravlev K.S. Chemical kinetics of the nitridation process of silicon Si(111) substrates at different ammonia fluxes. 2023 IEEE 24th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM), v. 511, pp. 200-204, 2023. DOI:10.1109/EDM58354.2023.10225173.
- Mansurov V.G., Malin T.V., Golyashov V.A., Milakhin D.S., Zhuravlev K.S. Investigation of the effect of different types of SiN layers and cap-GaN on the surface electronic states of AlGaN/GaN heterostructures with 2DEG using X-ray and UV photoelectron spectroscopy. Applied Surface Science, v. 640, p. 158313, 2023. DOI:10.1016/j.apsusc.2023.158313. IF 7.146 (Q1).
2023
- Malin T.V., Osinnykh I.V., Mansurov V.G., Protasov D.Y., Ponomarev S.A., Milakhin D.S., Zhuravlev K.S. Effect of growth temperature of NH3-MBE grown GaN-on-Si layers on donor concentration and leakage currents. Journal of Crystal Growth, v. 626, p. 127459, 2024. DOI:10.1016/j.jcrysgro.2023.127459. IF 1.815 (Q2).
- Malin T., Maidebura Y., Mansurov V., Gavrilova T., Gutakovsky A., Vdovin V., Ponomarev S., Loshkarev I., Osinnykh I., Volodin V., Milakhin D., Zhuravlev, K. Influence of substrate nitridation conditions and buffer layer structures on the crack-free GaN layers on silicon substrate grown by ammonia-assisted molecular beam epitaxy. Thin Solid Films, 791, p. 140246, 2024. DOI: 10.1016/j.tsf.2024.140246. IF 2.18 (Q2).
2024
Тезисы:
- Т.В. Малин, Д.С. Милахин, В.Г. Мансуров, В.И. Вдовин, А.С. Кожухов, И.Д. Лошкарёв, И.А. Александров, Д.Ю. Протасов, К.С. Журавлёв. Сравнение электрофизических параметров 2DEG в гетероструктурах AlGaN/GaN, выращенных методом NH3-MBE на сапфировых и кремниевых подложках. Сборник трудов «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ» 13-й Международной научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, стр. 14-15, 2022. (ISBN 978-5-7262-2864-8).
- В.Г. Мансуров, Ю.Г. Галицын, Т.В. Малин, С.А. Тийс, Д.С. Милахин, К.С. Журавлев. Интерпретация СТМ изображений островков структуры g-Si3N3 (8х8) при нитридизации поверхности Si(111) в рамках модели ВКБ. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума, том 1, стр. 463-464, 2022. (ISBN 978-5-91326-720-7).
- Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, Ю.Г. Галицын, А.С. Кожухов, Н.Н. Новикова, В.А. Яковлев, К.С. Журавлёв. Характеризация тонких пленок AlN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума, том 2, стр. 914-915, 2022. (ISBN 978-5-91326-720-7).
- И.В. Осинных, И.А. Александров, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, К.С. Журавлев. Определение типов оптических переходов по зависимости интенсивности фотолюминесценции от мощности возбуждения в компенсированных полупроводниках. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума, том 2, стр. 964-965, 2022. (ISBN 978-5-91326-720-7).
- D.D. Bashkatov, D.S. Milakhin, T.V. Malin, V.I. Vdovin, A.S. Kozhukhov, K.S. Zhuravlev. Preparation of Silicon (111) Surface for Epitaxial Growth of III-Nitride Structures by MBE. 2022 IEEE 23rd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM), pp. 1-5, 2022. (DOI: 10.1109/EDM55285.2022.9855155, ISBN:978-1-6654-9804-3).
- Д.Д. Башкатов, Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.И. Вдовин, К.С. Журавлев. Подготовка поверхности кремния Si(111) к эпитаксиальному росту структур A3-нитридов методом МЛЭ. Тезисы докладов XV Российской конференции по физике полупроводников, стр. 55, 2022.
- Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, Д.Д. Башкатов, К.С. Журавлев. Начальная стадия эпитаксии нитрида алюминия на поверхности Si(111) с разной степенью нитридизации. Тезисы докладов XV Российской конференции по физике полупроводников, стр. 75, 2022.
- Т.В. Малин, Д.С. Милахин, В.Г. Мансуров, В.И. Вдовин, А.С. Кожухов, И.Д. Лошкарёв, И.А. Александров, Д.Ю. Протасов, К.С. Журавлёв. Гетероструктуры AlGaN/GaN, выращенные методом аммиачной МЛЭ на отечественных и зарубежных подложках Si(111). Тезисы докладов XV Российской конференции по физике полупроводников, стр. 108, 2022.
- И.В. Осинных, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, К.С. Журавлев. Исследование кинетики и зависимости от мощности возбуждения фотолюминесценции, обусловленной дефектами, в сильнолегированных слоях AlN:Si. Тезисы докладов XV Российской конференции по физике полупроводников, стр. 237, 2022.
- В.Г. Мансуров, С.А. Тийс, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, К.С. Журавлев. Фурье-анализ СТМ-изображений при формировании g-Si3N3 на начальных этапах нитридизации поверхности кремния Si(111). Тезисы докладов XV Российской конференции по физике полупроводников, стр. 283, 2022.
- И.В. Осинных, Т.В. Малин, А.С. Кожухов, К.С. Журавлев, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев. Трансформация N-полярных инверсионных доменов из буферных слоев AlN в процессе роста слоев AlGaN. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума, том 2, стр. 966, 2022. (ISBN 978-5-91326-720-7).
2022
- И.В. Осинных, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, К.С. Журавлёв, Фотолюминесценция легированных кремнием гетероструктур AlGaN/AlN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из сапфира и карбида кремния, Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 13–16 марта 2023 г.). В 2 томах. Том 2-й. — Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. — сс. 709-710. ISBN 978-5-8048-0120-6.
- В.Г. Мансуров, Т.В. Малин, В.А. Голяшов, Д.С. Милахин и К.С. Журавлев, Исследование пассивирующих слоев на поверхности гетероструктур AlGaN/GaN с двумерным электронным газом методами рентгеновской и ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии, Х Международная научная конференция «АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА» (ФТТ-2023), Сборник тезисов, с. 372, 2023.
- И. В. Осинных, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, К.С. Журавлёв, Фотолюминесценция слоев Al0.9Ga0.1N:Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Al2O3 и SiC, Х Международная научная конференция «АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА» (ФТТ-2023), Сборник тезисов, с. 265, 2023.
- D.D. Bashkatov, T.V. Malin, V.G. Mansurov, K.S. Zhuravlev, D.S. Milakhin, Initial stages of III-nitride epitaxy on a Si(111) substrate, Х Международная научная конференция «АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА» (ФТТ-2023), Сборник тезисов, с. 361, 2023.
- Я.Е. Майдэбура, В.Г. Мансуров, Т.В. Малин, К.С. Журавлев, М. Немет, Б. Пех, Формирование квантовых точек GaN методом капельной эпитаксии на поверхности Ван-дер-Ваальсовой структуры g-SiN/Si(111), Х Международная научная конференция «АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА» (ФТТ-2023), Сборник тезисов, с. 263, 2023.
- Д.Д. Башкатов, Т.В.Малин, В.Г. Мансуров, К.С. Журавлёв, Д.С. Милахин, Начальные стадии эпитаксии А3-нитридов на подложке Si(111), Мокеровские чтения. 14-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 24–25 мая 2023 года.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023, сс. 142-143. ISBN 978-5-7262-2958-4.
- Т.В. Малин, Д.С. Милахин, В.Г. Мансуров, С.А. Понамарёв, В.А. Голяшов, К.С. Журавлёв, Свойства SiN покрытий сформированных методом аммиачной МЛЭ с использованием эффузионного источника Si, Мокеровские чтения. 14-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 24–25 мая 2023 года.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023, сс. 68-69. ISBN 978-5-7262-2958-4.
- D.D. Bashkatov, T.V. Malin, V.G. Mansurov, K.S. Zhuravlev, D.S. Milakhin, Chemical kinetics of the nitridation process of silicon Si(111) substrates at different ammonia fluxes, 2023 IEEE 24th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM), Electronic ISBN:979-8-3503-3687-0. Print on Demand (PoD) ISBN:979-8-3503-1044-3. DOI: 10.1109/EDM58354.2023.10225173.
- И.В. Осинных, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, К.С. Журавлев, Исследование выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Al2O3 и SiC слоев Al0.9Ga0.1N:Si с различным уровнем легирования методом фотолюминесцентной спектроскопии, ФОТОНИКА 2023: Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. / ИФП СО РАН. – М.: Издательство "Перо", 2023. –с. 112. ISBN 978-5-00218-581-8. DOI 10.34077/RCSP2023-112.
- И.В. Осинных, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, Д.Ю. Протасов, С.А. Пономарев, Д.С. Милахин, К.С. Журавлёв, Влияние температуры роста слоев GaN на Si, выращенных методом аммиачной МЛЭ, на концентрацию доноров и токи утечки. Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника: тезисы докладов Всероссийской научной молодежной конференции, 27 ноября – 1 декабря 2023 г., Санкт-Петербург. – СПб. : ПОЛИТЕХПРЕСС, 2023. –с. 23. ISBN 978-5-7422-8329-4.
2023
- Т.В. Малин, Я.Е. Майдэбура, В.Г. Мансуров, Т.А. Гаврилова, А.К. Гутаковский, В.И. Вдовин, С.А. Понамарёв, И.Д. Лошкарёв, И.В. Осинных, В.А. Володин, Д.С. Милахин, К.С. Журавлёв, Рост свободных от трещин слоёв GaN-on-Si выращиваемых методом NH3-MBE, Мокеровские чтения. 15-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 22–23 мая 2024 года.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. – стр. 111-112.
- В.Г. Мансуров, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, В.Е. Земляков, В.И. Егоркин, Н.В. Гуминов, К.С. Журавлев, Влияние in situ пассивирующего слоя SiN на коллапс тока в AlGaN/AlN/GaN (HEMT), Мокеровские чтения. 15-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 22–23 мая 2024 года.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. – стр. 51-52.
- В. Г. Мансуров, Т. В. Малин, Д. Д. Башкатов, Д. С. Милахин, К. С. Журавлев, Химическая кинетика процесса нитридизации поверхности Si(111) при температурах ниже фазового структурного перехода (7×7)→(1×1), Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 11–15 марта 2024 г.). Н-25 В 2 томах. Том 2-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024. — стр. 736-737. ISBN 978-5-8048-0124-4.
- Я.Е. Майдэбура, В. Г. Мансуров, Т. В. Малин, А. Н. Смирнов, К. С. Журавлев, Б. Пех, Капельная эпитаксия квантовых точек GaN на поверхности графеноподобной структуры g-SiN, Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 11–15 марта 2024 г.). Н-25 В 2 томах. Том 2-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024. — стр. 726-727. ISBN 978-5-8048-0124-4.
- И. В. Осинных, Т. В. Малин, Д. С. Милахин, К. С. Журавлев, Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si и GaN-on-SiC, Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 11–15 марта 2024 г.). Н-25 В 2 томах. Том 2-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024. — стр. 771-772. ISBN 978-5-8048-0124-4.
2024
Конференции
- Т.В. Малин, Д.С. Милахин, В.Г. Мансуров, В.И. Вдовин, А.С. Кожухов, И.Д. Лошкарёв, И.А. Александров, Д.Ю. Протасов, К.С. Журавлёв, Сравнение электрофизических параметров 2DEG в гетероструктурах AlGaN/GaN, выращенных методом NH3-MBE на сапфировых и кремниевых подложках, 13-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», Москва, Россия, 25-26 мая 2022г., устный доклад. Докладчик. Стр. 14-15 (ISBN 978-5-7262-2864-8).
- В.Г. Мансуров, Ю.Г. Галицын, Т.В. Малин, С.А. Тийс, Д.С. Милахин, К.С. Журавлев, Интерпретация СТМ изображений островков структуры g-Si3N3 (8х8) при нитридизации поверхности Si(111) в рамках модели ВКБ, XXVI Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, Россия, 14–17 марта 2022г., устный доклад. Докладчик. Том 1, стр.463-464 (ISBN 978-5-91326-720-7).
- Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, Ю.Г. Галицын, А.С. Кожухов, Н.Н. Новикова, В.А. Яковлев, К.С. Журавлёв, Характеризация тонких пленок AlN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира, XXVI Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, Россия, 14–17 марта 2022г., стендовый доклад. Докладчик. Том 2, стр.914-915 (ISBN 978-5-91326-720-7).
- D.D. Bashkatov, D.S. Milakhin, T.V. Malin, V.I. Vdovin, A.S. Kozhukhov, K.S. Zhuravlev, Preparation of Silicon (111) Surface for Epitaxial Growth of III-Nitride Structures by MBE, 2022 IEEE 23rd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) to the 100th anniversary of the legendary NETI rector Georgy Lyshchinsky, Erlagol, Altai Republic, Russia, June 30 – July 4, 2022, устный доклад. Докладчик. PP. 1-5 (ISBN:978-1-6654-9804-3).
- Д.Д. Башкатов, Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.И. Вдовин, К.С. Журавлев, Подготовка поверхности кремния Si(111) к эпитаксиальному росту структур A3-нитридов методом МЛЭ, XV Российская конференция по физике полупроводников, Нижний Новгород, Россия, 3 – 7 октября 2022г., стендовый доклад. Докладчик. Стр. 55.
- Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, Д.Д. Башкатов, К.С. Журавлев, Начальная стадия эпитаксии нитрида алюминия на поверхности Si(111) с разной степенью нитридизации, XV Российская конференция по физике полупроводников, Нижний Новгород, Россия, 3 – 7 октября 2022г., стендовый доклад. Докладчик. Стр. 75.
- Т.В. Малин, Д.С. Милахин, В.Г. Мансуров, В.И. Вдовин, А.С. Кожухов, И.Д. Лошкарёв, И.А. Александров, Д.Ю. Протасов, К.С. Журавлёв, Гетероструктуры AlGaN/GaN, выращенные методом аммиачной МЛЭ на отечественных и зарубежных подложках Si(111), XV Российская конференция по физике полупроводников, Нижний Новгород, Россия, 3 – 7 октября 2022г., стендовый доклад. Докладчик. Стр. 108.
- В.Г. Мансуров, С.А. Тийс, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, К.С. Журавлев, Фурье-анализ СТМ-изображений при формировании g-Si3N3 на начальных этапах нитридизации поверхности кремния Si(111), XV Российская конференция по физике полупроводников, Нижний Новгород, Россия, 3 – 7 октября 2022г., стендовый доклад. Докладчик. Стр. 283.
- И.В. Осинных, И.А. Александров, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, К.С. Журавлев, Определение типов оптических переходов по зависимости интенсивности фотолюминесценции от мощности возбуждения в компенсированных полупроводниках, XXVI Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, Россия, 14–17 марта 2022г., стендовый доклад. Докладчик. Том 2, стр.964-965 (ISBN 978-5-91326-720-7).
- И.В. Осинных, Т.В. Малин, А.С. Кожухов, К.С. Журавлев, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, Трансформация N-полярных инверсионных доменов из буферных слоев AlN в процессе роста слоев AlGaN, XXVI Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, Россия, 14–17 марта 2022г., стендовый доклад. Докладчик. Том 2, стр. 966. (ISBN 978-5-91326-720-7).
- И.В. Осинных, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, К.С. Журавлев, Исследование кинетики и зависимости от мощности возбуждения фотолюминесценции, обусловленной дефектами, в сильнолегированных слоях AlN:Si, XV Российская конференция по физике полупроводников, Нижний Новгород, Россия, 3 – 7 октября 2022г., устный доклад. Докладчик. Стр. 237.
- И.В. Осинных, Т.В. Малин, К.С. Журавлев, Определение типов оптических переходов и концентраций доноров и акцепторов в GaN по кинетике затухания и зависимости интенсивности фотолюминесценции от мощности возбуждения, 24 Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, Россия, 28 ноября – 2 декабря 2022г., стендовый доклад. Докладчик.
2022
- И.В. Осинных, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, К.С. Журавлёв, Фотолюминесценция легированных кремнием гетероструктур AlGaN/AlN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из сапфира и карбида кремния, XXVII Международный симпозиум Нанофизика и Наноэлектроника, г. Нижний Новгород, Россия, 13-16 марта 2023 г., стендовый. Докладчик. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 13–16 марта 2023 г.). В 2 томах. Том 2-й. — Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. — сс. 709-710. ISBN 978-5-8048-0120-6.
- В.Г. Мансуров, Т.В. Малин, В.А. Голяшов, Д.С. Милахин и К.С. Журавлев, Исследование пассивирующих слоев на поверхности гетероструктур AlGaN/GaN с двумерным электронным газом методами рентгеновской и ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии, Х Международная научная конференция «АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА» (ФТТ-2023), г. Минск, Беларусь, 22-26 мая 2023 г., приглашенный. Докладчик. Сборник тезисов, с. 372.
- И.В. Осинных, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, К.С. Журавлёв, Фотолюминесценция слоев Al0.9Ga0.1N:Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Al2O3 и SiC, Х Международная научная конференция «АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА» (ФТТ-2023), г. Минск, Беларусь, 22-26 мая 2023 г., стендовый. Докладчик. Сборник тезисов, с. 265.
- D.D. Bashkatov, T.V. Malin, V.G. Mansurov, K.S. Zhuravlev, D.S. Milakhin, Initial stages of III-nitride epitaxy on a Si(111) substrate, Х Международная научная конференция «АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА» (ФТТ-2023), г. Минск, Беларусь, 22-26 мая 2023 г., устный. Докладчик. Сборник тезисов, с. 361.
- Я.Е. Майдэбура, В.Г. Мансуров, Т.В. Малин, К.С. Журавлев, М. Немет, Б. Пех, Формирование квантовых точек GaN методом капельной эпитаксии на поверхности Ван-дер-Ваальсовой структуры g-SiN/Si(111), Х Международная научная конференция «АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА» (ФТТ-2023), г. Минск, Беларусь, 22-26 мая 2023 г., устный. Докладчик. Сборник тезисов, с. 263.
- Д.Д. Башкатов, Т.В.Малин, В.Г. Мансуров, К.С. Журавлёв, Д.С. Милахин, Начальные стадии эпитаксии А3-нитридов на подложке Si(111), 14-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», г. Москва, Россия, 24-25 мая 2023 г., устный. Докладчик. Мокеровские чтения. 14-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 24–25 мая 2023 года.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023, сс. 142-143. ISBN 978-5-7262-2958-4.
- Т.В. Малин, Д.С. Милахин, В.Г. Мансуров, С.А. Понамарёв, В.А. Голяшов, К.С. Журавлёв, Свойства SiN покрытий сформированных методом аммиачной МЛЭ с использованием эффузионного источника Si, 14-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», г. Москва, Россия, 24-25 мая 2023 г., устный. Докладчик. Мокеровские чтения. 14-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 24–25 мая 2023 года.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023, сс. 68-69. ISBN 978-5-7262-2958-4.
- D.D. Bashkatov, T.V. Malin, V.G. Mansurov, K.S. Zhuravlev, D.S. Milakhin, Chemical kinetics of the nitridation process of silicon Si(111) substrates at different ammonia fluxes, 2023 IEEE 24th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM), Altai Republic, Russia, June 29 - July 3, 2023, устный. Докладчик. Electronic ISBN:979-8-3503-3687-0.
- D.S. Milakhin, Heterostructures based on III-nitrides for microwave and power transistors, 2023 IEEE 24th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM), Altai Republic, Russia, June 29 - July 3, 2023, приглашенный. Докладчик.
- И.В. Осинных, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, К.С. Журавлев, Исследование выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Al2O3 и SiC слоев Al0.9Ga0.1N:Si с различным уровнем легирования методом фотолюминесцентной спектроскопии, Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники ФОТОНИКА 2023, г. Новосибирск, Россия, 4-8 сентября 2023 г., стендовый. Докладчик. ФОТОНИКА 2023: Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. / ИФП СО РАН. – М.: Издательство "Перо", 2023. –с. 112. ISBN 978-5-00218-581-8.
- Башкатов Д.Д., Милахин Д.С., Начальные стадии эпитаксии А3-нитридов на подложках Si(111), Конкурс студенческих работ «Дни науки НГТУ-2023», г. Новосибирск, Россия, 24 апреля 2023 г., устный. Докладчик.
- И.В. Осинных, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, Д.Ю. Протасов, С.А. Пономарев, Д.С. Милахин, К.С. Журавлёв, Влияние температуры роста слоев GaN на Si, выращенных методом аммиачной МЛЭ, на концентрацию доноров и токи утечки, 25 Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, г. Санкт-Петербург, Россия, 27 ноября – 1 декабря, 2023 г., стендовый. Докладчик.
2023
- D.D. Bashkatov, T.V. Malin, V.G. Mansurov, D. Yu. Protasov, D.S. Milakhin, K.S. Zhuravlev, Effect of AlN Interlayer Thickness on 2DEG Parameters in AlGaN/AlN/GaN HEMT Structures, 2024 IEEE 25th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM), Altai Republic, Russia, June 29 - July 3, 2023, устный. Докладчик.
- Т.В. Малин, Я.Е. Майдэбура, В.Г. Мансуров, Т.А. Гаврилова, А.К. Гутаковский, В.И. Вдовин, С.А. Понамарёв, И.Д. Лошкарёв, И.В. Осинных, В.А. Володин, Д.С. Милахин, К.С. Журавлёв, Рост свободных от трещин слоёв GaN-on-Si выращиваемых методом NH3-MBE, 15-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», 22-23 мая, 2024 г., г. Москва, устный. Докладчик.
- В.Г. Мансуров, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, В.Е. Земляков, В.И. Егоркин, Н.В. Гуминов, К.С. Журавлев, Влияние in situ пассивирующего слоя SiN на коллапс тока в AlGaN/AlN/GaN (HEMT), 15-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения», 22-23 мая, 2024 г., г. Москва, устный. Докладчик.
- Башкатов Д.Д., Малин Т.В., Мансуров В.Г., Протасов Д.Ю., Милахин Д.С., Журавлев К.С., Влияние толщины слоя AlN на параметры ДЭГ в HEMT-структурах AlGaN/AlN/GaN, Школа молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем», г. Новосибирск, 25-26 апреля, 2024 г., стендовый. Докладчик.
- Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, Д.Ю. Протасов, И.В. Осинных, Я.Е. Майдэбура, Д.Д. Башкатов, Аммиачная молекулярно-лучевая эпитаксия GaN гетероструктур на подложках кремния для силовых и СВЧ транзисторов, Международная конференция по актуальным проблемам физики и технологии полупроводниковых наноструктур, посвященная 60-летнему юбилею Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 22-24 апреля, 2024 г., г. Новосибирск, устный. Докладчик.
- В. Г. Мансуров, Т. В. Малин, Д. Д. Башкатов, Д. С. Милахин, К. С. Журавлев, Химическая кинетика процесса нитридизации поверхности Si(111) при температурах ниже фазового структурного перехода (7×7)→(1×1), Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 11–15 марта, 2024 г., г. Нижний Новгород, стендовый. Докладчик.
- Я.Е. Майдэбура, В. Г. Мансуров, Т. В. Малин, А. Н. Смирнов, К. С. Журавлев, Б. Пех, Капельная эпитаксия квантовых точек GaN на поверхности графеноподобной структуры g-SiN, Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 11–15 марта, 2024 г., г. Нижний Новгород, стендовый. Докладчик.
- И. В. Осинных, Т. В. Малин, Д. С. Милахин, К. С. Журавлев, Влияние температуры роста на фотолюминесцентные свойства слоев GaN-on-Si и GaN-on-SiC, Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 11–15 марта, 2024 г., г. Нижний Новгород, устный. Докладчик.
2024
УЧАСТИЕ В ОРГАНИЗАЦИОННЫХ ИЛИ ПРОГРАММНЫХ КОМИТЕТАХ КОНФЕРЕНЦИЙ И НАУЧНЫХ МЕРОПРИЯТИЙ
- Милахин Д.С., Конкурс научных работ ИФП СО РАН, ИФП СО РАН, 26.04.2022-27.04.2022, 2022, член конкурсной комиссии, секретарь конкурсной комиссии.
2022
- Милахин Д.С., Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света КОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ - 95 ЛЕТ ИССЛЕДОВАНИЙ, 5-9 июня 2023 г., г. Новосибирск, член оргкомитета.
- Милахин Д.С., Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники ФОТОНИКА 2023, 4-8 сентября 2023 г., г. Новосибирск, член оргкомитета.
2023
- Милахин Д.С., Конкурс научных работ ИФП СО РАН, ИФП СО РАН, 08.04.2024-09.04.2024, 2024, член конкурсной комиссии, секретарь конкурсной комиссии.
2024