Лаборатория аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии GaN гетероструктур на подложках кремния для силовых и СВЧ транзисторов

ОБЩАЯ ИНФОРМАЦИЯ

Основными направлениями деятельности лаборатории являются:

• создание научно-технического задела в области роста методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии гетероэпитаксиальных структур с двумерным электронным газом на основе соединений нитрида галлия – нитрида алюминия на подложках кремния Si(111) и карбида кремния (SiC) для электронной компонентной базы силовой и СВЧ-электроники;
• исследование структурных, электрофизических и оптических свойств гетероэпитаксиальных структур и характеристик формируемых на их основе транзисторов.

Лаборатория организована в 2022 году в рамках результата «Созданы новые лаборатории, в том числе под руководством молодых перспективных исследователей» федерального проекта «Развитие человеческого капитала в интересах регионов, отраслей и сектора исследований и разработок» национального проекта «Наука и университеты» по Приказу директора ИФП СО РАН акад. А.В. Латышева №97 от 01.11.2022 г. и состоит преимущественно из молодых ученых. В состав лаборатории входит 6 научных сотрудников и инженерно-технический персонал, из них: 3 к.ф.-м.н., 2 с.н.с., 1 н.с., 3 м.н.с., 1 старш. инж. и 1 инж.