СОТРУДНИКИ
Чистохин Игорь Борисович
старший научный сотрудник, к.ф.-м.н.
тел. 330-91-49, вн. 1318
352 ТК
e-mail:
Область научных интересов:
физика полупроводниковых приборов,
pin и лавинные фотодиоды,
электронные свойства низкоразмерных структур,
ИК полупроводниковые фотоприемники.
Образование: высшее.
В 1980 г. окончил Новосибирский Электротехнический институт по специальности «Физическая электроника». В 1999 г. защитил кандидатскую диссертацию на тему «Автоколебания и релаксация фототока в кремнии, легированном селеном» по специальности 01.04.10 «Физика полупроводников и диэлектриков».
Трудовая деятельность:
1980 – 1989 - инженер, старший научный сотрудник, НПО «Восток», г. Новосибирск.
1989 – н/в - старший научный сотрудник, Институт физики полупроводников, г. Новосибирск.
Избранные публикации:
С 1980 по 2013 г. опубликовано 56 научных публикаций в отечественных и международных журналах. Среди опубликованных:
- E. Gramsch, O. P. Pchelyakov, I. B. Chistokhin, and E.G. Tishkovsky Evaluation of a Junction Termination Extension Avalanche Photodiode for X-Ray Detection, IEEE Trans. on Electron Dev., Vol. 54, N 10, 2007, pp. 2638-2643.
- I. B. Chistokhin, O. P. Pchelyakov, E. G. Tishkovsky, V. I. Obodnikov, V. V. Maksimov, A. A. Ivanov, and E. Gramsch Silicon avalanche photodiodes for particle detection Proc. SPIE Vol. 7025, 70250L (Apr. 29, 2008).
- A B Talochkin, I B Chistokhin and V A Markov An electron–hole spectrum of Ge/Si structures with Ge quantum dots: photoconductivity measurements Nanotechnology 20 (2009) 175401.
- А.Б. Талочкин, И.Б. Чистохин Фотопроводимость многослойных структур Si/Ge с квантовыми точками Ge, псевдоморфными к Si-матрице, ФТП, 2011, т. 45, в.7, с. 936-940.
- А.Б. Талочкин, И.Б. Чистохин Спектр электрон-дырочных состояний структур Si/Ge с квантовыми точками Ge, ЖЭТФ, 2011, т. 140, в. 3(9), с. 183-189.