Лаборатория физических основ интегральной микрофотоэлектроники

ДОКЛАДЫ НА КОНФЕРЕНЦИЯХ



2011

приглашённые

  1. Г.Л. Курышев, А.П. Ковчавцев, В.Г. Половинкин, В.М. Базовкин, А.А. Гузев, И.И. Ли. Быстродействующие линейчатые МДП-фотоприемники на основе арсенида и антимонида индия. «Фотоника 2011». Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники. 22-26.08.2011. Новосибирск.
  2. G.L. Kuryshev. FEATURES OF THE SURFACE AND INTERFACE WITH DIELECTRIC FOR NARROW-GAP A3B5 SEMICONDUCTORS. 11-ая Международная Молодежная Конференция-Семинар по микро/нанотехнологиям и электронным приборам EDM’2011, Эрлагол ,Республика Алтай.
  3. G.L. Kuryshev. MICROMECHANICAL IR-SYSTEMS. Сб. трудов 11-й Международной Молодежной Конференции-Семинара по микро/нанотехнологиям и электронным приборам EDM’2011, с. 383-385. Эрлагол, Республика Алтай.
  4. Вайнер Б.Г. Физические и биомедицинские исследования, основанные на применении матричного тепловидения высокого разрешения. «Фотоника 2011». Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники. 22-26.08.2011. Новосибирск.
  5. Вайнер Б.Г. “Матричные тепловизоры в современных научных сследованиях” Международная школа-семинар "Современные проблемы наноэлектроники, микро- и наносистемной техники INTERNANO-2011". 12–14 сентября 2011 г., г. Новосибирск.
  6. Вайнер Б.Г. “Infrared Thermography and Thermal Imaging: Science and Applications”. Международный научный семинар “Infrared Thermography & Thermal Imaging: Science and Applications”. March 23, 2011, Purdue University (West Lafayette, IN, USA).

устные

  1. V.V. Atuchin, L.I. Isaenko, V.G. Kesler, Zheshuai Lin, S.I. Lobanov. Exploration of optical and electronic parameters of lithium thiogallate (LiGaS2). // Proceedings of 12th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, June 30 – July 4, 2011, Erlagol, Russia. p. 10-14.
  2. V.V. Atuchin, V.G. Kesler, V.N. Yakovenchuk. Nanointervention into mineral universe. II. Electronic structure of clinobarylite, BaBe2Si2O7, from Khibiny massif, Kola peninsula. // Proceedings of Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, 21-28 August, 2011, Vladivostok, Russia, p. 191-192.
  3. J. Martinez-Garcia, L. Braginsky, V. Shklover, J.W. Lawson. Correlation function approach for estimating thermal conductivity in highly porous fibrous materials. Proceedings of the 9th IASMA / WSEAS International Conference on Fluid Mechanics & Aerodynamics, Florence, Italy, August 23-25. 2011. In Recent Advances in Fluid Mechanics and Heat & Mass Transfer, pp. 78-83 (2011).
  4. Тарков М.С. О вложении графов параллельных программ в графы распределенных вычислительных систем сетями Хопфилда // Труды XIII Всероссийской научно-технической конференции «НЕЙРОИНФОРМАТИКА-2011», часть 3, Москва, 2011, С. 131 - 138.
  5. Tarkov M.S., Tikhonov N.V. Evaluating the Thermogram Heterogeneity Based on its Quadtree Representation // Pattern Recognition and Information Processing (PRIP’2011): proceedings of the 11th International Conference (18 – 20 may, Minsk, Republic of Belarus). – Minsk: BSUIR, 2011. – P. 149-152.
  6. Тарков М.С., Тихонов Н.В., Половинкин В.Г., Нурминский В.Н., Чернышов М.Ю. Технология оценивания состава изображений клеточных препаратов для медико-биологических исследований // Тезисы докладов Всероссийской конференции «Математическое моделирование и вычислительно-информационные технологии в междисциплинарных научных исследованиях», 15–17 июня 2011 г., г. Иркутск. – С. 109.
  7. Tarkov M.S. On Mapping Graphs of Parallel Programs onto Graphs of Distributed Computer Systems by Recurrent Neural Networks // Proc. of 11th Int. Conf. PaCT 2011, Kazan, Russia, September 19-23, 2011. – Lecture Notes on Computer Science, Vol. 6873. P.358-367.
  8. Ландман А.К., Петров А.М., Петров А.Э., Сакаев О.О., Задорожный А.Ф., Тарков М.С. Использование отказоустойчивых распределенных вычислительных систем для управления электроэнергетическими системами // Труды 3-й Международной научно-технической конференции «Современные направления развития систем релейной защиты и автоматики энергосистем», Санкт-Петербург, 30.05-03.06 2011 г., CD-ROM, PS2 – S4-05.
  9. А.П. Ковчавцев, А.В. Царенко, Н.А. Валишева, А.А. Гузев, З.В. Панова, В.Г. Половинкин, Т.А. Левцова, Л.А. Семенова, Г.Л. Курышев, Квантование электронов в слоях обогащения арсенида индия. Фотоника-2011, Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники, Новосибирск, 22-26 августа 2011, Тезисы докладов, С. 20.
  10. С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, И.В. Мжельский, В.Г. Половинкин, М.А. Ременный, А.Ю. Рыбальченко, Н.М. Стусь. Об эффективности сбора фототока в обратно смещенных фотодиодах на основе InAsSbP(λс=4.5 мкм). Фотоника-2011, Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники, Новосибирск, 22-26 августа 2011, Тезисы докладов, С. 22.
  11. N.A. Valisheva, O.E. Tereshchenko, S.E. Kulkova, S.V. Eremeev, A.V. Kalinkin, I.P. Prosvirin, V.A. Golyashov. Fluorine influence on composition, atomic and electronic structures of oxide/InAs(111)A interface, Book of abstracts of 11th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures, October 3-7, 2011 St. Petersburg, Russia.
  12. N.A. Valisheva, O.E. Tereshchenko, A.P. Kovchavcev, M.S. Aksenov, A.V. Kalinkin, I.P. Prosvirin, S.E. Kulkova, S.V. Eremeev, A.V. Zarenko, V.A. Goljashov. Study of correlation between composition, structure and electronic properties of anodic oxide/InAs (111)A interface, Book of abstracts of 13th International conference ISFSI-2011, 3-8 June 2011, Prague, p. 17549.
  13. N.A. Valisheva, O.E. Tereshchenko, M.S. Aksenov, A.P. Kovchavchev, A.V. Kalinkin, I.P. Prosvirin, S.E. Kulkova, S. Bakulin, T.A. Levtzova, V.A. Goljashov. INFLUENCE OF CHEMICAL COMPOSITION AND ATOMIC STRUCTURE ON ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF ANODIC OXIDE/InAs (111)A INTERFACE, Book of abstracts VII International conference on semiconductor surface passivation SSP-2011, 11-15 September, Kracow, p. 33.
  14. M.S. Aksenov, V.V. Preobrazhensky, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, N.A. Valisheva, O.E. Tereshchenko, Electrical Properties of MIS-structures and Schottky Barriers of Si/GaAs (001) interface, 2011 International Conference and Seminar of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), June 30 2011-July 4 2011, p.: 3 – 5, Erlagol, Altai. INSPEC Accession Number: 12216765.
  15. V.A. Golyashov, M.S. Aksenov, N.A. Valisheva, I.P. Prosvirin, A.V. Kalinkin, V.V. Preobrazhensky, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, O.E. Tereshchenko. Formation of HfO2/GaAs(001) interface with Si interlayer. 2011 International Conference and Seminar of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), p. 34 - 36, June 30 - July 4 2011, Erlagol, Altai. IEEE Catalog Number: CFP11500-PRT.
  16. О.И. Семенова, С.Ф. Девятова. «Плазмохимический нитрид кремния. Свойства и применение». XIV конференция и VI школа молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение. Нижний Новгород, 30 мая – 2 июня 2011 г. Труды.
  17. Ф.Н. Дульцев, С.Ф. Девятова, В.Г. Ерков. «Механизм осаждения поликристаллического кремния при пиролизе моносилана в LP CVD реакторе». Второй семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы: 14-16 июня 2011 года, Новосибирск, Россия. Тезисы, стр. 22.
  18. О.И. Семенова, С.И. Романов, Н.В. Вандышева, С.Ф. Девятова. «Слои аморфного кремния, полученного плазмо-стимулированным осаждением, для современных применений». Второй семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы: 14-16 июня 2011 года, Новосибирск, Россия. Тезисы, стр. 49.
  19. С.Ф. Девятова, О.И. Семенова, И.И. Бикбаев. «Исследование структурных и электрофизических свойств нитрида кремния, полученного в плазме радиочастотного разряда». Второй семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы: 14-16 июня 2011 года, Новосибирск, Россия. Тезисы, стр. 63.
  20. С.Ф. Девятова, О.И. Семенова. «Покрытия на основе РЕ CVD нитрида кремния для современных приложений». 10-th International conference “Films and Coating – 2011”, стр. 184-186.

стендовые

  1. V.V. Atuchin, V.G. Kesler. Electronic parameters of RbTiOPO4. // 7-ая Международная конференция «Инноватика-2011», 24-26 марта 2011, Махачкала, Россия, Poster 13.
  2. V.V. Atuchin, L.I. Isaenko, V.G. Kesler, S. Lobanov, H. Huang, Z.S. Lin. Electronic structure of LiGaS2. // 7-ая Международная конференция «Инноватика-2011», 24-26 марта 2011, Махачкала, Россия, Poster 21.
  3. O.Yu. Khyzhun, V.V. Atuchin, V.G. Kesler, Electronic structure of RbTiOPO4 by XPS. // Всеукраинская конференция с международным участием «Актуальные проблемы химии и физики поверхности», 11-13 мая 2011, Киев, Украина, Poster 58.
  4. О.Ю. Хижун, В.Г. Гроссман, Б.Г. Базаров, В.Г. Кеслер, В.В. Атучин. Синтез и электронные параметры микрокристаллов TlPr(MoO4)2. // Всеукраинская конференция с международным участием «Актуальные проблемы химии и физики поверхности», 11-13 мая 2011, Киев, Украина, Стенд 60.
  5. V.V. Atuchin, O.Yu. Khyzhun, V.G. Kesler. Structural and electronic parameters of RbTiOPO4 by XPS. // The International Conference for Nanomaterials Synthesis and Characterization (INSC 2011), 4-5 July 2011, Selangor, Malaysia.
  6. V.V. Atuchin, V.G. Kesler, V.N. Yakovenchuk. Nanointervention into mineral universe. II. Electronic structure of clinobarylite, BaBe2Si2O7, from Khibiny massif, Kola peninsula. // Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, 21-28 August, 2011, Vladivostok, Russia, PO.I.23.12.
  7. V.V. Atuchin, V.G. Kesler. Electronic parameters of layered ferroelectric titanate La2Ti2O7. // XIII Международная конференция «Опто-, наноэлектроника, наносистемы и микросистемы», 19-26 сентября 2011, Ульяновск, Россия, Poster, p. 90.
  8. Tarkov M.S. Mapping semigroup array operations onto multicomputer with torus topology. // Proceedings of ACM ICUIMC 2011, February 21–23, Seoul, Korea.
  9. А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, И.И. Ли, А.Е. Настовъяк, В.Г. Половинкин, А.В. Царенко, В.М. Гайлес, В.Н. Гаштольд, А.П. Казак, В.П. Хромов. Адмитанс Si-МОП-структур с глубокой примесью. Фотоника-2011, Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники, Новосибирск, 22-26 августа 2011, Тезисы докладов, С. 112.
  10. В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, И.И. Ли, Н.Н. Михайлов, А.Е. Настовъяк, В.Г. Половинкин, Ю.Г. Сидоров. Свойства МДП структур на основе КРТ с пассивирующими слоями CdTe/ZnTe/ZnS. Фотоника-2011, Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники, Новосибирск, 22-26 августа 2011, Тезисы докладов, С. 125.
  11. В.Г. Половинкин, В.М. Базовкин, Г.Л. Курышев, И.В. Мжельский. Сканирующий инфракрасный микроскоп. Фотоника-2011, Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники, Новосибирск, 22-26 августа 2011, Тезисы докладов, С. 138.
  12. Г.Л. Курышев, И.В. Мжельский, А.Е. Настовьяк, В.Г. Половинкин. Определение абсолютной температуры микрообъектов в ИК микроскопии. Фотоника-2011, Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники, Новосибирск, 22-26 августа 2011, Тезисы докладов, С. 145.
  13. Н.А. Валишева, О.Е. Терещенко, А.П. Ковчавцев, М.С. Аксенов, А.В. Царенко, И.П. Просвирин, А.В. Калинкин, С.Е. Кулькова, С.В. Еремеев, В.А. Голяшов. О природе поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик/InAs(111)A, Тезисы X Российской конференции по физике полупроводников, 17-23 сентября 2011, г. Нижний Новгород.
  14. N.A. Valisheva, V.V. Kokovkin, T.A. Levtzova. The influence of fluoride additives on InAs (111)A-electrode oxidation in different media, Book of abstracts of 13th International conference ISFSI-2011, 3-8 June 2011, Prague. p. 17613.
  15. V.A. Golyashov, M.S. Aksenov, N.A. Valisheva, S.F. Devyatova, I.P. Prosvirin, A.V. Kalinkin, V.V. Preobrazhensky, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, O.E. Tereshchenko. Formation of HfO2/Si/GaAs(001) heterojunction with low density of interface states, Book of abstracts of 13th International conference ISFSI-2011, 3-8 June 2011, Prague. p. 17573.
  16. С.Ф. Девятова, В.Г. Ерков. «Осаждение слоёв силицида титана LP CVD методом в реакторе промышленного типа». Второй семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы: 14-16 июня 2011 года, Новосибирск, Россия. Тезисы, стр. 91.
  17. V.A. Golyashov, M.S. Aksenov, N.A. Valisheva, S.F. Devyatova, I.P. Prosvirin, A.V. Kalinkin, V.V. Preobrazhensky, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, O.E.Tereshchenko. “Formation of HfO2/Si/GaAs(001) heterojunction with low density of interface states”. 13-th ICFSI International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces July 3-8 2011, Prague, Czech Republic. P. 201.
  18. Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, S.F. Devyatova, D.A. Nasimov, T.V. Kozlova, A.V. Latyshev. "Silicon nanocrystals formation by means of e-beam lithography and dry gas etching". Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Vladivostok, 21-28 August, 2011.
  19. В.М. Ефимов, G. Lecarpentier, G. Ribette. Современные средства гибридизации матричных инфракрасных фотоприемников, стр.127.
  20. А.А. Гузев, В.М. Ефимов. Определение деформаций и термомеханических напряжений в матричных гибридных сборках на основе InAs, стр. 122. «Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники - Фотоника 2011», тезисы, Новосибирск , 22-26 августа 2011.
  21. Ефимов В.М., Гузев А.А. Деформация и разрушение микросоединений в матричных фотоприемных микросхемах при температурах 300-77 К, стр. 539.
  22. Ефимов В.М. Пластическая деформация индиевых микросоединений в матричных ФПУ на основе InAs, стр. 540. IV международная конференция «Деформация и разрушение материалов и наноматериалов» DFMN-2011, сборник материалов, Москва, 25-28 октября 2011 г., ИМЕТ РАН.