Лаборатория физических основ материаловедения кремния

ПУБЛИКАЦИИ



2016

Монографии

  1. V.A. Gritsenko. “Silicon Nitride on Si: Electronic Structure for Flash Memory Devices” - chapter in book “Thin Films on Si: Electronic and Photonic Applications”. 2016 - p.273-322 ’’World Scientific Press”.

Статьи в рецензируемых журналах

  1. V.A. Anikin, A.M. Borisov, V.A. Kazakov, E.S. Mashkova, Yu.N. Palyanov, V.P. Popov, E.A. Shmytkova, S.K. Sigalaev. Diamond single crystal-surface modification under high-fluence ion irradiation. Journal of Physics: Conference Series. 2016, vol. 747, р.012025(6).
  2. K.V. Feklistov, A.G.Cherkov, V.P.Popov. Silicon shallow doping by erbium and oxygen recoils implantation. Solid State Communications. 2016,vol. 242, pp. 41–45.
  3. В. П. Попов, М. А. Ильницкий, Е.Д. Жанаев, А.В. Мяконьких, К.В. Руденко, А.В. Глухов. Биосенсорные свойства КНИ нанопроволочных транзисторов с защитным слоем диэлектрика Al2O3, нанесенным методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения. ФТП, 2016, том 50, №5, с. 643-649. // V.P. Popov, M.A. Ilnitskii, E.D. Zhanaev, A.V. Myakon’kich, K.V. Rudenko, A.V. Glukhov. Biosensor properties of SOI nanowire transistors with PEALD Al2O3 dielectric protective layer. Semiconductors, 2016, vol. 50, no. 5, pp 632-638.
  4. Н.Н.Андрианова, А.М.Борисов, В.А.Казаков, Е.С.Машкова, Ю.Н.Пальянов, Е.А.Питиримова, В.П.Попов, Р.Н.Ризаханов, С.К.Сигалаев. Графитизация поверхности алмаза при высокодозной ионной бомбардировке. Известия Российской академии наук. Сер. Физическая, 2016, том 80, № 2, с. 180–185. // N. N. Andrianova, A. M. Borisov, V. A. Kazakov, E. S. Mashkova, Yu. N. Palyanov, E. A. Pitirimova, V. P. Popov, R. N. Rizakhanov, and S. K. Sigalaev. Graphitization of a Diamond Surface upon High_Dose Ion Bombardment. Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics, 2016, Vol. 80, No. 2, pp. 156–160.
  5. S. Rubanov, A. Suvorova, V.P. Popov, A.A. Kalinin, Yu.N. Palyanov. Fabrication of Graphitic Layers in Diamond Using FIB Implantation and High Pressure High Temperature Annealing . Diamond and Related Materials, 2016, vol. 63, p.143-147.
  6. V.P. Popov, M.A. Ilnitskii, G.P. Pokhil, A.I. Titov, P.A. Karaseov, K.V. Karabeshkin, Yu.N. Pal’yanov, S. Rubanov. Ranges of 10 - 350 keV hydrogen and H2 ions in (111) diamond. Nuclear Instruments and Methods in Physical Research B, (принята в печать).
  7. Т.В. Перевалов, Д.Р. Исламов, А.А Сараев. Атомная и электронная структура поливакансий кислорода в анатазе, Письма в ЖТФ 2016, т.42, №11, стр.97-104.
  8. V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, D.R. Islamov, Electronic properties of hafnium oxide: A contribution from defects and traps, Physics Reports, 2016, v.613, p.1-20.
  9. V.A. Pustovarov, Т.P. Smirnova, M.S. Lebedev, V.A. Gritsenko, M. Kirm. Intrinsic and defect related luminescence in double oxide films of Al–Hf–O system under soft X-ray and VUV excitation. Journal of Luminescence, 2016, v.170, pp.161-167.
  10. V.V. Kaichev, T.P. Smirnova, L.V. Yakovkina, E.V. Ivanova, M.V. Zamoryanskaya, A.A. Saraev, V.A. Pustovarov, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko, Structure, chemistry and luminescence properties of dielectric LaxHf1-xOy films, Materials Chemistry and Physics 2016, v.175, p.200-205.
  11. D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, O.M. Orlov, G. Ya. Krasnikov, The charge transport mechanism and electron trap nature in thermal oxide on silicon, Appl. Phys. Lett. 2016, v.109, p.052901.
  12. V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, O.M. Orlov, G. Ya. Krasnikov, Nature of traps responsible for the memory effect in silicon nitride, Appl. Phys. Lett. 2016, v.109, 062904.
  13. О. М. Орлов, Д. Р. Исламов, А. Г. Черникова, М. Г. Козодаев, А. М. Маркеев, Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, Г.Я. Красников, Транспорт заряда в тонких слоях сегнетоэлектрического Hf0.5Zr0.5O2, Микроэлектроника, 2016, т.45, №5, стр.379-385.
  14. V.A. Gritsenko, D. R. Islamov, T. V. Perevalov, V. Sh. Aliev, A. P. Yelisseyev, E. E. Lomonova, V. A. Pustovarov, A. Chin, Oxygen vacancy in hafnia as a blue luminescence center and a trap of charge carriers, J. Phys. Chem., 2016, v.120, №36, p.19980–19986.
  15. D. R. Islamov, V. A. Gritsenko, T. V. Perevalov, O. M. Orlov, and G. Ya. Krasnikov, Charge transport mechanism of stress induced leakage current in thermal silicon oxide, ECS Transactions, 2016, v.75, №5, p.57-62.
  16. A. A. Chernov, D. R. Islamov, A. A. Pik’nik, T. V. Perevalov, and V. A. Gritsenko, Three-dimensional non-linear complex model of dynamic memristor switching, ECS Transactions, 2016, v.75, accepted.
  17. D. R. Islamov, A. G. Chernikova, M. G. Kozodaev, T. V. Perevalov, V. A. Gritsenko, O. M. Orlov, A. V. Markeev, Leakage Currents Mechanism in Thin Films of Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2, ECS Transactions, 2016, v.75, accepted.
  18. T. V. Perevalov, D. R. Islamov, V. A. Gritsenko, A. A. Saraev, Electronic Structure of Oxygen Deficient Noncentrosymmetric Orthorhombic Hf0.5Zr0.5O2, ECS Transactions, 2016, v.75, №5, p.227-233.
  19. D. R. Islamov, V. N. Kruchinin, V. Sh. Aliev, T. V. Perevalov, V. A. Gritsenko, I. P. Prosvirin, O. M. Orlov, A. Chin, Potential Fluctuation in RRAM Based on Non-Stoichiometric Hafnium Sub-Oxides, Advances in Science and Technology, 2016, v.99, p.69-74.
  20. Д. Р. Исламов, А. Г. Черникова, М. Г. Козодаев, А. М. Маркеев, Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, О. М. Орлов, Механизм транспорта заряда в тонких пленках аморфного и сегнетоэлектрического Hf0.5Zr0.5O2, Письма в ЖЭТФ, 2015, т.102, №8, с.610-614.
  21. В. А. Гриценко, Д. Р. Исламов, О. М. Орлов, Г. Я. Краснико, Е. Н. Морозов, Механизм транспорта электронов и природа ловушек в тонких слоях термического оксида на кремнии после протекания заряда, Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2015, т.4(160), с.52-61.
  22. A. A. Chernov, A. A. Pil’nik, D. R. Islamov, Initial stage of nucleation-mediated crystallization of a supercooled melt, Journal of Crystal Growth, 2016, v.450, p.45-49.
  23. A. A. Chernov, A. A. Pil’nik, D. R. Islamov, Non-linear memristor switching model, Journal of Physics: Conference Series, 2016, v.754, №10, p.102001.
  24. Ю.Н. Новиков, В.А. Гриценко, Г.Я. Красников, О.М. Орлов, ФЛЭШ память, основанная на мультиграфене, Микроэлектроника, 2016, т.45, №1, стр.66-71.
  25. Ю.Н. Новиков, В.А. Гриценко, Релаксация тока в Si3N4: эксперимент и численное моделирование, ФТТ (принято в печать).
  26. Tarkov M.S. Oscillatory neural associative memories with synapses based on memristor bridges. Optical Memory and Neural Networks (Information Optics), 2016, vol. 25, No. 4.
  27. I.E. Tyschenko, V.A. Volodin, A.G. Cherkov. Enhanced germanium precipitation and nanocrystal growth in the Ge+ ion-implanted SiO2 films during high-pressure annealing. Solid State Commun. 2016, v. 247, p. 53-57.