Лаборатория физических основ материаловедения кремния

ПУБЛИКАЦИИ



2009

Монографии

  1. G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, D.V. Marin, A.G. Cherkov V.A. Skuratov. Light-emitting Si nanostructures in SiO2 layers formed by irradiation with swift heavy ions. - In “Physics, Chemistry and Application of Nanostructures”. Ed. by V.E. Borisenko, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin, ISBN 978-981-4280-35-8, 978-981-4280-35-6, World Scientific Publishing Company, Singapore.

Статьи в рецензируемых журналах

  1. И.Е. Тысченко, М. Фёльсков, А.Г. Черков, В.П. Попов. Рост и электрофизические свойства гетероструктур Si/Ge-на-изоляторе, сформированных методом ионной имплантации и последующего водородного переноса. ФТП, т. 43, в. 1, 2009, с. 58-63.
  2. I.E. Tyschenko, M. Voelskow, A.G. Cherkov, V.P. Popov. Nanometer-thick SGOI structures produced by Ge+ ion implantation of SiO2 film and subsequent hydrogen transfer of Si layer. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 267, 2009, pp. 1277-1280.
  3. I.E. Tyschenko, M. Voelskow, A.G. Cherkov, V.P. Popov. Endotaxial growth of InSb nanocrystals at the bonding interface of the In+ and Sb+ ion implanted SOI structure. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 267, 2009, pp. 1360-1363.
  4. O.V. Naumova, B.I. Fomin, N.V. Sakharova, M.A. Ilnitsky and V.P. Popov. Impact of implantation on the properties of N2O-nitrided oxides of p+- and n+-gate MOS devices. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Volume 267, Issues 8-9, 1 May 2009, Pages 1564-1567, 2009.
  5. О.В. Наумова, Б.И.Фомин, Л.Н. Сафронов, Д.А. Насимов, М.А. Ильницкий, Н.В. Дудченко, С.Ф. Девятова, Э.Д. Жанаев, В.П. Попов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Кремниевые нанопроволочные транзисторы для электронных биосенсоров. Автометрия, т. 45, в. 4, 6-11, 2009. O.V. Naumova, B.I. Fomin, L.N. Safronov, D.A. Nasimov, M.A. Ilnitskii, N.V. Dudchenko, S.F. Devyatova, E.D. Zhanaev, V.P. Popov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev. Silicon nanowire transistors for electron biosensors Optoelectron., Instrum., and Data Proc., 45, 4, pp. 287-291, 2009.
  6. G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, D.V. Marin, A. Misiuk, Z.S. Yanovitskaya, J. Jedrzejewsky and I. Balberg. Effect of pressure annealing on formation of light-emitting Si nanocrystals in Si rich SiO2. Phys. Stat. Sol. (a), 206, № 1, 78-83 (2009).
  7. Г.А. Качурин. Формирование люминесцирующих кремниевых наноструктур в слоях SiOx под действием быстрых тяжелых ионов. Известия ВУЗов. Физика. 2009, № 8/2, стр. 346-349.
  8. I.E. Tyschenko and V.P. Popov. Radiation Hardened Silicon-on-Insulator Structures with N+ Ion Modified Buried SiO2 Layer. AIP Conference Proceedings, vol. 1194, pp. 84-89, 2009.
  9. V.P. Popov. Quasiballistic Transport of Charge Carriers in Nanometer FETs in the Model of Heterogeneous Channel. ECS Transactions, vol. 25 (7), pp. 411-417 (2009).
  10. O.V. Naumova, V.P. Popov, L.N. Safronov, B.I. Fomin, D.A. Nasimov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev, Yu.D. Ivanov and A.I. Archakov. Ultra-Thin SOI Layer Nanostructuring and Nanowire Transistor Formation for FemtoMole Electronic Biosensors. ECS Transactions, vol. 25 (10), pp. 83-87 (2009).
  11. V.P. Popov. Quasiballistic Transport of Charge Carriers in Nanometer FETs in the Model of Heterogeneous Channel. ECS-216 Meeting. ECS Transactions, 25 (7) 411-417 (2009).
  12. Сафронов Л.Н., Испарение и созревание преципитатов в массивах 2D островков. Конденсированные среды и межфазные границы, Том 10, № 4, с. 274 – 281, (2008-декабрь).