Лаборатория физических основ материаловедения кремния

ПУБЛИКАЦИИ



2005

Статьи в рецензируемых журналах

  1. А.П. Степовик, Г.В. Мокичев, Э.П. Магда, С.В. Кирюшкин, А.Н. Козиков, А.Л. Семков, А.В. Курочкин, А.В. Лукин, Д.В. Хмельницкий, В.П. Попов, «Использование ускорителя нейтронного генератора НГ-12И для имплантации ионов водорода», Приборы и техника эксперимента, № 1, с. 126-129, 2005.
  2. P.A. Borodovskii, A.F. Buldygin, A.S. Tokarev, E.V. Chernyavskii, "Method for the Microwave Measurement of Carrier Lifetime in Lightly Doped Silicon Ingots", Russian Microelectronics Volume 34, Number 5 (2005), pp. 316 – 324.
  3. Г.А. Качурин, В.А. Володин, Д.И. Тетельбаум, Д.В. Марин, А.Ф. Лейер, А.К. Гутаковский, А.Г. Черков, А.Н. Михайлов. "Формирование кремниевых нанокристаллов в слоях SiO2 при имплантации ионов Si с промежуточными отжигами". ФТП, 39, в. 4, c. 582-586, 2005.
  4. М.Д. Ефремов, Г.Н. Камаев, В.А. Володин, С.А. Аржанникова, Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, А.В. Кретинин, В.В. Малютина-Бронская, Д.В. Марин. Кулоновское блокирование проводимости пленок SiO2 при одноэлектронной зарядке кремниевой квантовой точки в составе цепочки электронных состояний. ФТП, т. 39, в. 8, 945-952, 2005.
  5. I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, E.N. Vandyshev, A.G. Cherkov, A. Misiuk. The properties of hydrostatically strained Ge and Si nanocrystals in silicon dioxide matrix. Solid State Phenomena, v. 108-109, N12, 2005, pp. 39-44.
  6. I.E. Tyschenko, A.A. Frantsuzov, O.V. Naumova, B.I. Fomin, D.V. Nikolaev, V.P. Popov. Carrier accumulation in silicon-on-insulator structures containing ge nanocrystals in the burried SiO2 layer. Solid State Phenomena, v. 108-109, № 12, 2005, pp. 77-82.
  7. I.E. Tyschenko, K.S. Zhuravlev, A.G. Cherkov, A. Misiuk, V.P. Popov. Сavity effect in hydrogen ion implanted silicon-on-insulator structures. Solid State Phenomena, v. 108-109, № 12, 2005, pp. 477-482.
  8. O.V. Naumova, A.A. Frantzusov, I.V. Antonova and V.P. Popov. Total Dose Behavior of Partially Depleted DeleCut SOI MOSFETs. In: Science and Technology of Semiconductor-on-insulator Structures and Devices Operating in a harsh environment, D.Flandre, A.Nazarov (eds), Kluwer Academic Publisher, Netherlands, NATO Science Serias, II Materials, Physics and Chemistry - vol. 185, 2005, pp. 227-232
  9. I.V. Antonova, J. Stano, O.V. Naumova, V.A. Skuratov, V.P. Popov. Radiation Effects in SOI: Irradiation by High Energy Ions and Electrons. In: Science and Technology of Semiconductor-on-insulator Structures and Devices Operating in a harsh environment, D. Flandre, A. Nazarov (eds), Kluwer Academic Publisher, Netherlands, NATO Science Serias, II Materials, Physics and Chemistry - vol. 185, 2005, pp. 215-220.