Настаушев Юрий Владимирович

старший научный сотрудник, к.ф.-м.н.

тел. 330-78-86, вн. 1379

351 ТК

email:

Научная деятельность: исследование кремниевых наноструктур и алмазоподобных углеродных пленок.

Область научных интересов: полупроводники, наноструктуры.

Образование: 1977 г. – окончил Новосибирский государственный университет по специальности физика, 1986 г. – защитил кандидатскую диссертацию.

Трудовая деятельность: Основное место работы Институт физики полупроводников СО РАН:
1977 по 1983 - стажер, аспирант, инженер
1983 по 1996 - научный сотрудник
1996 - по настоящее время - с.н.с.

Избранные публикации: С 1979 по 2013 гг. опубликовано 62 научных работы. Среди опубликованных:

  • T.M.Burbaev, V.A.Kurbatov, Yu.V.Nastaushev, N.A.Penin "Photo-conductivity of doped germanium (Ge:Zn:Sb, Ge:Hg:Sb) near the room temperature".- Fizika i Teknika Poluprovodnikov, 1979, Vol.13, No.10, pp. 1918-1922.
  • Yu.V.Nastaushev, V.N.Ovsyuk "Generation lifetime of carriers in germanium MDS-structures".- Fizika i Teknika Poluprovodnikov, 1984, Vol.18, No.8, p.1501-1503.
  • G.M.Gusev, V.T.Dolgopolov, Z.D.Kvon, A.A.Shashkin, V.M.Kudryashov, L.V.Litvin, Yu.V.Nastaushev, "Magnetooscillations in a two-dimensional electron system with a periodic potential of antidots".- Pisma v zhurnal eksperimentalnoi i teoreticheskoi fiziki, 1991, Vol.54, No.7, p.369-372.
  • G.M.Gusev, Z.D.Kvon, L.V.Litvin, Yu.V.Nastaushev, A.K.Kalagin, A.I.Toropov "Aharonov-Bohm oscillations in a 2D electron gas with a periodic lattice of scatterers".- JETP Lett., 1992, Vol.55, No.2, pp.123-126.
  • G.M.Gusev, P.Basmaji, D.I.Lubyshev, L.V.Litvin, Yu.V.Nastaushev, V.V.Preobrazhenskii "Magneto-oscillations in a two-dimensional electron gas with a Penrose lattice of artificial scatterers".- Physical Review B, 1993, Vol.47, No.5, p.9928-9930.
  • A.A.Bykov, Z.D.Kvon, L.V.Litvin, Yu.V.Nastaushev, V.G.Mansurov, V.P.Migal, S.P.Moschenko "Photovoltaic effect in quasiballistic electron interferometer".- Solid State Electronics, 1994, Vol.37, No.4-6, pp.713-715.
  • G.M.Gusev, U.Gennser, X.Kleber, D.K.Maude, J.C.Portal, D.I.Lubyshev, P.Basmaji, M. de P.A.Silva, J.C.Rossi, Yu.V.Nastaushev "Quantum interference effects in a strongly fluctuating magnetic field".- Physical Review B , 1996, Vol.53, No.20, pp.13641-13644.
  • G.M.Gusev, J.R.Leite, A.A.Bykov, N.T.Moshegov, V.M.Kudryashov, A.I.Toropov, Yu.V.Nastaushev "Single-particle relaxation time in a spatially fluctuating magnetic field",- Phys. Rev. B, 1999, Vol.59, No.8, pp.5711-5716.
  • Yu.V.Nastaushev, T.Gavrilova, M.Kachanova, L.Nenasheva, V.Kolosanov, O.V.Naumova, V.P.Popov, A.L.Aseev, "20-nm resolution of electron lithography for the nano-devices on ultrathin SOI film",- Materials Science and Engineering C 19 (2002), 189-192.
  • Yu.V.Nastaushev, T.A.Gavrilova, M.M.Kachanova, O.V.Naumova, I.V.Antonova, V.P.Popov, L.V.Litvin, D.V.Sheglov, A.V.Latyshev and A.L.Aseev. "Field effect nanotransistor on ultrathin silicon-on-insulator".- International Journal of Nanoscience 2004, Vol.3, Nos.1&2, pp.155-160.
  • D.V.Sheglov, Yu.V.Nastaushev, A.V.Latyshev and A.L.Aseev. "Nano-patterning of silicon based nanostructures by AFM probe".- International Journal of Nanoscience 2004, Vol.3, Nos.1&2, pp.75-80.
  • Yu.V.Nastaushev, V.Ya.Prinz, S.N.Svitasheva. "A technique for fabricating Au/Ti micro- and nanotubes".- Nanotechnology 2005, Vol.16, pp. 908-912.
  • O. V. Naumova, Yu. V. Nastaushev, S. N. Svitasheva, L. V. Sokolov, N. D. Zakharov, P. Werner, T. A. Gavrilova, F. N. Dultsev and A. L. Aseev, Molecular-beam epitaxy-grown Si whisker structures: morphological, optical and electrical properties, Nanotechnology 19 (2008) 225708 (5pp).
  • F. N. Dultsev, S. N. Svitasheva, Yu. V. Nastaushev, A. L. Aseev, Ellipsometric investigation of the mechanism of the formation of titanium oxynitride nanolayers, Thin Solid Films (2011), V. 519, pp. 6344-6348.
  • С.Н. Свиташева, Г.А. Поздняков, Д.В. Щеглов, Ю.В. Настаушев, Оптические свойства и морфология алмазоподобных пленок, полученных в сверхзвуковом потоке углеводородной плазы, АВТОМЕТРИЯ (2011), Т. 47, № 5, С.59-66.
  • O.V. Naumova, Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, F.N. Dultsev, L.V. Sokolov, A.L.Aseev. Properties of Si nanowhiskers coated with TiOx and TiONx layers. Nanoscience and Nanotechnology (принята в печать) V.3, No.1, February 2013.