Насимов Дмитрий Александрович
научный сотрудник
тел. 330-90-82, вн. 1286
108 ТК
email:
Область научных интересов: сверхвысоковакуумная электронная микроскопия, электронная литография.
Образование: окончил - Новосибирский государственный университет по специальности физика
Избранные публикации:
- T.I. Baturina, A.Yu. Mironov, V.M. Vinokur, N.M. Chtchelkatchev, A. Glatz, D.A. Nasimov, A.V. Latyshev, "Resonant Andreev Transmission in Two-Dimensional Array of SNS Junctions", Physica C (2009), doi: 10.1016/j.physc.2009.11.107.
- Наумова О.В., Фомин Б.И., Сафронов Л.Н., Насимов Д.А., Ильницкий М.А., Дудченко Н.В., Девятова С.Ф., Жанаев Э.Д., Попов В.П., Латышев А.В., Асеев А.Л. Кремниевые нанопроволочные транзисторы для электронных биосенсоров. Автометрия , т.45, №4, 2009, 6-11.
- O. V. Naumova, B. I. Fomin, L. N. Safronov, D. A. Nasimov, M. A. Ilnitskii, N. V. Dudchenko, S. F. Devyatova, E. D. Zhanaev, V. P. Popov, A. V. Latyshev, A. L. Aseev. Silicon Nanowire Transistors for Electron Biosensors. Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing, v. 5 (4), 287-291, 2009.
- O. V. Naumova, V. P. Popov, L. N. Safronov, B. I. Fomin, D. A. Nasimov, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, Yu. D. Ivanov and A. I. Archakov. Ultra-Thin SOI Layer Nanostructuring and Nanowire Transistor Formation for FemtoMole Electronic Biosensors.ESC Transactions, 25(10), 83-87, 2009.