| Микроволновая и терагерцовая фотопроводимость: от квантовых точечных контактов к МОП-транзисторам |
| Квон Зе Дон, член-корр. РАН, д.ф.-м.н. (зав. лаб. Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Что такое кондактанс? |
| Храпай Вадим Сергеевич, к.ф.-м.н. (зав. лаб. Института физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН, г. Черноголовка) |
|
| Магнитоэкситоны в двумерных электронных системах |
| Бисти Вероника Евгеньевна, д.ф.-м.н. (в.н.с. Института физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН, г. Черноголовка) |
|
| Квантовая биология и биоинформатика на основе ДНК |
| Лахно Виктор Дмитриевич, д.ф.-м.н., профессор (научный руководитель филиала, зав. лаб. Института математических проблем биологии РАН, г.Пущино) |
|
| Рассеяние и сопротивление |
| Ковалев Вадим Михайлович, д.ф.-м.н. (зав. лаб. Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Двумерные топологические изоляторы |
| Ольшанецкий Евгений Борисович, д.ф.-м.н. (с.н.с. Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Выращивание гетеро- и наноструктур на основе HgTe |
| Михайлов Николай Николаевич, к.ф.-м.н. (с.н.с. Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Модуляция света: физика работы и применение в электронике |
| Гуляев Дмитрий Владимирович, к.ф.-м.н. (зав.лаб. Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Фаза Берри и топологические инварианты |
| Зиновьева Айгуль Фанизовна, к.ф.-м.н. (с.н.с. Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Фазовые переходы сверхпроводник-металл, сверхпроводник-изолятор и сверхпроводник-сверхизолятор |
| Миронов Алексей Юрьевич, к.ф.-м.н. (с.н.с. Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск)
|
|
| Что такое мемристор? |
| Исламов Дамир Ревинирович, к.ф.-м.н. (с.н.с. Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Ультрахолодные атомы |
| Бетеров Илья Игоревич, к.ф.-м.н. (с.н.с. Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Исследование электронной структуры поверхности твердых тел методом фотоэлектронной спектроскопии с разрешением по углу и спину |
| Голяшов Владимир Андреевич, к.ф.-м.н. (н.с. Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
