- процессы роста эпитаксиальных и низкоразмерных квантовых
структур для перспективных фотоприемников ИК-диапазона;
- фотоэлектрические явления в полупроводниковых структурах;
- фотодетекторы ближнего и дальнего ИК-диапазонов на основе
соединений А2В6 и А3В5, элементарных полупроводников и низкоразмерных
квантовых структур (сверхрешетки, квантовые ямы, квантовые проволоки, квантовые точки);
- приборы ночного видения: принципы построения, фотоэлектрические характеристики;
- новые направления в создании тепловизионных приборов,
многоспектральные и комплексные устройства ночного видения;
- полупроводниковые излучатели ближнего и дальнего ИК- диапазонов.
|