- Морфология, атомные реконструкции и электронные свойства поверхности GaAs(Cs,O) фотокатодов с предельными характеристиками. В.Л. Альперович, О.Е. Терещенко, В.С. Воронин, Н.С. Рудая, Г.Э. Шайблер, А.В. Латышев, Д.И. Щеглов, А.С. Терехов.
- Унифицированный модуль ФПУ. Акимова Н.М., Астахов В.П., Грибанов А.А., Долганин Ю.Н., Загулин В.В., Карпов В.В., Корольков В.П., Крашенинников В.С., Кузнецов Н.С.,Савченко М.А.
- Фото и электролюминесценция в нанокомпозитных слоях SiOxNy(Si). В.Г.Бару, В.А.Житов, Л.Ю.Захаров, А.Н.Изотов, В.И.Покалякин, Г.В.Степанов, Э.А.Штейнман
- Физические явления, ограничивающие предел разрешения и квантовую эффективность GaAs-(Cs,O) фотокатода. В.В. Бакин, А.А. Пахневич, А.П. Сметанников, В.Э. Андреев, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, С.В. Шевелев, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов
- Влияние низкотемпературных отжигов на электрофизические параметры пленок CdHgTe. Бахтин П.А., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Коробкин А.П., Михайлов Н.Н., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г.
- Метрологическое обеспечение измерений параметров гетероэпитаксиальных структур CdHgTe. Булдыгин А.Ф., Дегтярев Е.В. Дворецкий С.А., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Речкунов С.П., Сидоров Ю.Г.
- Синтез слоев нитрида кремния в планарно-индукционном реакторе. В.В. Васильев, Ф.Н. Дульцев, И.О. Парм, А.П. Соловьев
- ИК ФПУ на варизонных слоях КРТ. А.Л.Асеев, В.В.Васильев, В.Н.Овсюк
- Влияние фонового излучения на рекомбинационные параметры эпитаксиальных пленок КРТ. Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Филатов М.Ф. Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г.
- Двухцветный фотоприемник для видимой и средней ИК области спектра. Гаврушко В.В, Сапожников А.А. Прошкин Ю.Н., Кузюков С.Г., Старшинов Б.П.
- Низкопороговые полупроводниковые лазеры с вертикальным резонатором на основе AlO-GaAs брэгговских зеркал. В.А.Гайслер, А.И.Торопов, А.К.Бакаров, О.Р.Баютова, И.А.Деребезов, А.К.Калагин, М.М.Качанова, А.С.Медведев, Л.А.Ненашева, А.С.Суранов
- Фотокатодные гетероструктуры InGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии. Е.В.Граца, А.Д.Дуб, В.Г. Волков, С.Б.Севастьянов
- Испытание гибридных матричных модулей на устойчивость к многократным термоциклированиям. Гузев А.А., Базовкин В.М., Ефимов В.М., Курышев Г.Л., Панова З.В.
- Температурные деформации фотоприемных модулей, состоящих из соединенных индиевыми "столбами" кристаллов InAs и Si. Гузев А. А., Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Половинкин В.Г., Панова З.В.
- Выращивание из паровой фазы объемных монокристаллов ZnCdTe и изготовление подложек для эпитаксии КРТ. А.А.Давыдов, Н.В.Жаворонков
- Фотодетекторы на основе гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками. А.В.Двуреченский, А.И.Якимов.
- Эпитаксиальные структуры твердых растворов ртуть-кадмий-теллур для матричных фотоприемников на спектральные диапазоны 3-5 и 8-14 мкм. И.А.Денисов, Н.И.Шматов, А.А.Шленский, И.Д.Бурлаков, Л.Д.Сагинов.
- Расчёт предельных параметров идеального наблюдательного тепловизора с учётом влияния окружающей среды. Дирочка А.И., Свиридов А.Н.
- Исследование температурных полей в конструкциях многоэлементных приемников излучения. Долганин Ю.Н., Козырев М.Е., Карпов В.В., Кузнецов Н.С.
- Инжекционные лазеры с квантовыми ямами InGaAsN диапазона длин волн 1.3-1.5 микрона. Егоров А.Ю., Одноблюдов В.А., Шерняков Ю.М, Никитина Е.В.,Мамутин В.В., Устинов В.М.
- Простая модель динамики разрушения гибридных фотоприемных сборок при многократных термоциклированиях. Ефимов В.М.,
- Латеральные сверхрешётки GaAs/AlAs, выращенные на нано-фасетированной поверхности (311)А: структура, свойства и перспективы использования для ИК-приёмников. М.Д.Ефремов, В.А.Володин, Д.В.Марин, Р.С.Матвиенко, В.В.Преображенский, Б.Р.Семягин, В.А.Сачков, Н.Н.Леденцов, И.Р.Сошников, D.Litvinov, A.Rosenauer, D.Gerthen, С.Н.Гриняев
- Стимулированное излучение ТГц диапазона из напряженных p-Ge и структур SiGe/Si. М.С. Каган, И.В. Алтухов, В.П. Синис, Е.Г. Чиркова, И.Н. Яссиевич, Дж. Колодзей
- Гальваническое нанесение In-"Микростолбов" на элементы фотоприемных устройств. Казаков В.А., Филиновский В.Ю.
- Сверхрешетки с Х-электронами для ИК-фотоприемников. Егунов Р.М., Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н.
- О возможности повышения рабочей температуры фотодиодов из InSb. В.П. Астахов, В.П. Ежов, В.В. Карпов
- Фоточувствительность гранулярных пленок BaYCuO. В.В. Карпов, А.М. Савченко
- Фотоприёмные устройства на основе плёнок PbSnTe(In) - PbSnGeTe(In) для задач дистанционного зондирования Земли. А.Э. Климов, О.В.Смолин, Е.В. Сусов, В.Н. Шумский
- Определение состава твердых растворов Hg1-xCdxTe по спектрам решеточного отражения. В.Л.Константинов .
- Исследование магнетополевых зависимостей коэффициента Холла и проводимости и в пленках CdHgTe, выращенных методом МЛЭ. Бахтин П.А., Гутаковский А. К., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Коробкин А.П., Михайлов Н.Н., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г.
- Многопроходные гетероструктуры AlGaAs для высокоэффективных излучателей ИК-диапазона. Крюков В.Л., Николаенко А.М, Коршунова Н.В., Захлебин В.А.
- Основные технологические принципы выращивания гетероструктур AlGaAs для ОЭС-фотокатодов методом жидкофазной эпитаксии. В.Л. Крюков, Ю.И. Кунакин, А.А. Матяш, С.С. Стрельченко, К.А. Титивкин
- Кремниевые фотоприёмники видимого и инфракрасного диапазонов - элементная база современных фотонных систем. Е.В.Костюков, Ю.А.Кузнецов, А.С.Скрылёв, В.В.Чернокожин, В.В.Воронов, М.И.Какоулин, С.В.Трунов, А.А.Тихонов
- Факторы, ограничивающие пороговые характеристики матричных фотоприемников длинноволнового ИК-диапазона. Ю.И. Завадский, Ю.А.Кузнецов, В.В.Чернокожин
- Создание новых принципов построения фотоприемных матричных ИК систем с оптическим считыванием, работающих при комнатной температуре. Курышев Г.Л. , Базовкин В.М. , Девятова С.Ф. , Половинкин В.Г. , Ли И.И. , Ерков В.Г. , Валишева Н.А.
- Образование дефектов в эпитаксиальных структурах HgCdTe, CdTe, CdZnTe, HgZnTe, HgMnTe. Логинов Ю.Ю., Браун П.Д.
- (311)-ориентированные сверхрешетки GaAs/AlAs в приемниках и излучателях ИК-диапазона: оптические свойства, возможность применения, преимущества. Г.А.Любас
- Особенности выращивания гетероструктур для фотокатодов методом МОС-гидридной эпитаксии. А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, Д.Б. Никитин, П.В. Булаев, И.Д. Залевский, М.В. Коваленко
- Получение гетероструктур с квантовыми ямами для ИК-фотоприемников на спектральный диапазон 3-5 и 8-12 мкм методом МОС-гидридной эпитаксии. А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, Д.Б. Никитин, П.В. Булаев, И.В. Будкин, И.Д. Залевский, М.В. Коваленко
- Получение гетероструктур на основе GaN методом МОС-гидридной эпитаксии. А.В. Неуважаев, А.Ф. Иванов, А.А. Мармалюк
- Автоматизированная система управления технологическим процессом. Михайлов Н.Н., Титов В.П., Кербс В. Ф., Аульченко Н.А., Назаров Н.И., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А.
- Выращивание CdTe на поверхности ГЭС КРТ МЛЭ. Михайлов Н.Н., Смирнов Р.Н., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Сабинина И.В., Гутаковский А.К., Ремесник В.Г.
- Антиструктурный теллур как донорный центр в пленках КРТ, выращенных методом МЛЭ. Сидоров Ю.Г., Михайлов Н.Н., Варавин В.С.
- МЛЭ эпитаксиальные структуры Hg1-xCdxTe - перспективный материал для производства многоэлементных ИК фоторезисторов. А.А. Комов, И.Ю. Ларцев, М.С. Никитин, Г.В. Чеканова
- Кристаллы для ИК-излучателей на основе гетероструктур GaAlAs. А.В.Скипер, Н.Б.Матвеева, В.В.Парамонов, А.А.Матяш
- Тепловизионный микроскоп. Базовкин В.М., Гузев А.А., Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Ларшин А.С., Половинкин В.Г.
- Инфракрасное излучение, возникающее при лавинном пробое GaAs транзисторов. К.С.Журавлев, В.Г.Половинкин, В.А.Колосанов, А.Г.Милехин, Т.С.Шамирзаев, Г.Л.Курышев
- Фотодиоды и матричные фотоприёмники на основе соединений CdHgTe. В.И. Стафеев, В.П. Пономаренко, A.M. Филачёв, Л.Д. Сагинов, И.Д. Бурлаков, В.Н. Соляков, К.О. Болтарь
- Эпитаксиальные слои Cd1-xZnxTe/GaAs(310). Придачин Д.Н. , Гутаковский А.К., Сидоров Ю.Г., Сабинина И.В., Якушев М.В., Колесников А.В., Шамирзаев Т.С., Жаворонков Н.В.
- Длина диффузии в ГЭС КРТ МЛЭ КРТ p-типа проводимости. Протасов Д.Ю., Васильев В.В., Овсюк В.Н., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Костюченко В.Я.
- Схемы считывания для многоэлементных КРТ-ФПУ. Рева В.П., Сизов Ф.Ф., Деркач Ю.П, Голенков А.Г., Коринец С.В., Писаренко Л.А.
- Термоэлектрические приемники излучения: состояние и перспективы. А. В. Двуреченский, И. А. Рязанцев, Л.С. Смирнов
- Установка измерения параметров малоресурсных криогенных приемников излучения. Сапожников А.А., Гаврушко В.В., Сапожников А.А.
- Измерение параметров фоторезисторов. Сапожников А.А., Гаврушко В.В., Прошкин Ю.Н., Сапожников А.А.
- Фотоприемное устройство на основе твердого раствора InGaAsSb. Сапожников А.А. Чупраков А.М. Сапожников А.А. Гаврушко В.В, Прошкин Ю.Н., Кузюков С.Г.
- Особенности туннелирования через ловушки и оптимальная структура низкофоновых фотодиодов на основе узкозонных твердых растворов (CdHg)Te. А.Ю. Селяков, В.П. Пономаренко
- Температура BLIP режима ИК фотодиода на основе - легированного p-n перехода нового типа. А.Ю. Селяков
- Расчет фоточувствительности многослойной гетероструктуры Si / Si1-xGex / Si с поглощением ИК излучения на свободных носителях. Серебренников П.С.
- Статус МЛЭ CdHgTe в тепловизионной технике. Асеев А.Л., Белоконев В.М., Крайлюк А.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Дегтярев Е.В., Михайлов Н.Н, Сидоров Ю.Г., Якушев М.В.
- Многоэлементные гибридные ФПУ на основе КРТ-фотодиодов. Васильев В.В., Голенков А.Г., Забудский В.В., Марчишин И.В., Рева В.П., Овсюк В.Н., Сидоров Ю.Г., Сизов Ф.Ф.,
- Оптимизация технологических условий роста ГЭС КРТ МЛЭ. Михайлов Н.Н., Смирнов Р.Н., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А
- Аппаратно-программный метод интегральной оценки формирователей изображения систем технического зрения. Милосердов С.С., Солодков А.А.
- Универсальная методика расчета основных параметров формирователей изображения систем технического зрения. Солодков А.А.
- Инжекционные фотодиоды. В.И.Стафеев, И.Д. Анисимова
- Исследования гетероэпитаксиальных структур КРТ, полученных методом МЛЭ и разработка фоторезисторов на их основе. Сусов Е.В., Смолин О.В. Никитин М.С., Чеканова Г.В., Сидоров Ю.Г., Михайлов Н.Н., Варавин В.С.
- О термической стабильности фотодиодов на основе гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe p-типа. В.В. Васильев, В.Н. Овсюк, Н.Х. Талипов
- Цифровые технологии измерения параметров электронно-оптических преобразователей. В.Э. Андреев, А.А Кравченко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов, А.С. Хохорин, Е.В. Дегтярев.
- Физические пределы технических характеристик электронно-оптических преобразователей. А.С. Терехов
- Фотоприемник УФ-диапазона с GaN-(Cs) фотокатодом с отрицательным электронным сродством. О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, С.В. Шевелев, А.С. Терехов, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин
- Влияние межзонной поляризации на туннелирование носителей заряда через P-N переход в узкозонном материале CdxHg1-xTe. В.В.Тугушев, Е.В.Сусов, О.В.Смолин
- Матричные приемники ИК излучения на оптоакустических элементах. В.Н. Федоринин, А.В. Гельфанд, П.П. Мальцев
- Фотоприемники ультрафиолетового и видимого диапазона на основе текстурированного пористого кремния. В.И. Хитько, Л.Г. Юрченок, В.П. Бондаренко, Н.Н. Ворозов, П.С. Смертенко, Т.Я. Горбач
- Автоматизация технологий проектирования и изготовления плоских электронно-оптических преобразователей. В.А. Бригинец, С.Н. Косолобов, В.В. Хатункин, Г.Э. Шайблер, С.В. Шевелев, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов.
- Эллипсометрический контроль при выращивании тонких слоев КРТ и неоднородных структур методом МЛЭ. Швец В.А., Рыхлицкий С.В., Спесивцев Е.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Сидоров Ю.Г., Смирнов Р.Н.
- Межзонная фотопроводимость напряженных структур Si/Ge/Si с квантовыми точками германия. О. А. Шегай, А. И. Никифоров
- Инфракрасные детекторы на основе гетероструктур Si1-xGex(B)/Si. В. А. Юрьев, М. Г. Войтик, Л. В. Арапкина, Д. Б. Ставровский, В. А. Чапнин , В. С. Аврутин, Н. Ф. Изюмская
- The structure of solid solution ZnxCd100-xTe. G.S.Yurjev, S.F.Marenkin, V.N.Guskov, A.M.Natarovski
- Молекулярно-лучевая эпитаксия соединений CdTe(310) и HgCdTe(310) на подложках Si(310). Якушев М.В., Брунев Д.А., Варавин В.С., Васильев В.В., Гончаренко А.Н., Гутаковский А.К., Придачин Д.Н., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Швец В.А.
- Использование оптических и фотоэлектрических явлений для бесконтактного измерения параметров фотокатодных гетероструктур, выращенных МОС-гидридной эпитаксией. С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов, А.А. Падалица, А.А. Мармалюк, П.В. Булаев, Д.Б.Никитин.
- Высокосветосильный растровый УФ телеспектрометр. А.С. Рафаилович, В.Б. Шлишевский
- Построение низкоуровневых телевизионных систем с высоким пространственным разрешением. К.П. Шатунов, С.М. Чурилов, И.В. Шапкин, Е.О. Ульянова, А.В. Турбин. А.С. Рафаилович, П.В. Журавлев
- Комплекс модулей для обеспечения воздушной всепогодной разведки в широком спектральном диапазоне. К.П. Шатунов, П.И. Шапор, С.М. Чурилов, Е.А. Терёшин, С.И. Лепин, И.В. Шапкин.
- Проблемы технической реализации оптико-электронной системы автоматического определения координат цели по световой вспышке. Белоконев В.М., Итигин А.М.-Ш., Хацевич Т.Н., Шлишевский В.Б.
- Видеоспектрометрия в УФ диапазоне. Чиков К.Н., Красавцев В.М., Гуд В.В.
- Пути реализации многоспектральных комплексированных оптико-электронных систем. В.А. Моисеев, Е.А.Терешин, П.В. Журавлев, Е.О. Ульянова, К.П. Шатунов, С.М. Чурилов
- Пути развития в создании новых тепловизионных комплексов. С. В. Олейник
- Мультиплексор болометрической матрицы. Дшхунян В.Л., Машевич П.Р., Чесноков В.П., Володин Е.Б., Зюбин В.В., Минаев В.В., Михалев И.В., Мурылева Е.В., Фортинский Ю.К., Тарасов В.В., Здобников А.Е., Четверов Ю.С.
- Термочувствительные слои VOx для микроболометрических приемников ИК излучения, полученные по золь-гель технологии. С.А.Волков, М.А.Демьяненко, В.Н.Овсюк, В.В.Шашкин, Л.Л.Васильева, А.С. Кушкова, С.М.Репинский, Б.И.Фомин
- Микроболометрические приемники ИК излучения на основе золь-гель VOx. М.А.Демьяненко, В.Н.Овсюк, В.В.Шашкин, Б.И.Фомин, Е.И.Черепов, Л.Л.Васильева, С.М.Репинский, И.П.Михайловский, И.О.Парм, А.П.Соловьев
Правила представления тезисов.
Сроки представления
тезисов: Тезисы доклада необходимо представить до 25 мая по
электронной почте в адрес Оргкомитета совещания, либо заполнив форму в разделе регистрационная форма
Правила оформления тезисов:
- Объём тезисов не более 1 страницы формата А4, включая встроенные в текст рисунки;
- Поля - верхнее и нижнее 2см, левое и правое - 3см; интервал 1.5;
- Редактор Word для Windows 6,7;
- Шрифты Times New Roman: текст - 12 нормальный, прямой; загаловок - 14 жирный;
фамилии авторов, название организаций, адресные данные, включая электронный адрес, телефон
и факс - 12 жирный;
- Фамилия докладчика подчеркнута;
- Ссылки в прямых скобках[], список литературы не озаглавливается.
|
| . |