Совещание "Актуальные проблемы полупроводниковой фотоэлектроники"
"ФОТОНИКА-2003"
28-31 августа 2003г. Россия, Новосибирск.

1. Морфология, атомные реконструкции и электронные свойства поверхности GaAs(Cs,O) фотокатодов с предельными характеристиками. В.Л. Альперович, О.Е. Терещенко, В.С. Воронин, Н.С. Рудая, Г.Э. Шайблер, А.В. Латышев, Д.И. Щеглов, А.С. Терехов.
2. Унифицированный модуль ФПУ. Акимова Н.М., Астахов В.П., Грибанов А.А., Долганин Ю.Н., Загулин В.В., Карпов В.В., Корольков В.П., Крашенинников В.С., Кузнецов Н.С.,Савченко М.А.
3. Фото и электролюминесценция в нанокомпозитных слоях SiO_xN_y(Si). В.Г.Бару, В.А.Житов, Л.Ю.Захаров, А.Н.Изотов, В.И.Покалякин, Г.В.Степанов, Э.А.Штейнман
4. Физические явления, ограничивающие предел разрешения и квантовую эффективность GaAs-(Cs,O) фотокатода. В.В. Бакин, А.А. Пахневич, А.П. Сметанников, В.Э. Андреев, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, С.В. Шевелев, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов
5. Влияние низкотемпературных отжигов на электрофизические параметры пленок CdHgTe. Бахтин П.А., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Коробкин А.П., Михайлов Н.Н., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г.
6. Метрологическое обеспечение измерений параметров гетероэпитаксиальных структур CdHgTe. Булдыгин А.Ф., Дегтярев Е.В. Дворецкий С.А., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Речкунов С.П., Сидоров Ю.Г.
7. Синтез слоев нитрида кремния в планарно-индукционном реакторе. В.В. Васильев, Ф.Н. Дульцев, И.О. Парм, А.П. Соловьев
8. ИК ФПУ на варизонных слоях КРТ. А.Л.Асеев, В.В.Васильев, В.Н.Овсюк
9. Влияние фонового излучения на рекомбинационные параметры эпитаксиальных пленок КРТ. Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Филатов М.Ф. Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г.
10. Двухцветный фотоприемник для видимой и средней ИК области спектра. Гаврушко В.В, Сапожников А.А. Прошкин Ю.Н., Кузюков С.Г., Старшинов Б.П.
11. Низкопороговые полупроводниковые лазеры с вертикальным резонатором на основе AlO-GaAs брэгговских зеркал. В.А.Гайслер, А.И.Торопов, А.К.Бакаров, О.Р.Баютова, И.А.Деребезов, А.К.Калагин, М.М.Качанова, А.С.Медведев, Л.А.Ненашева, А.С.Суранов
12. Фотокатодные гетероструктуры InGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии. Е.В.Граца, А.Д.Дуб, В.Г. Волков, С.Б.Севастьянов
13. Испытание гибридных матричных модулей на устойчивость к многократным термоциклированиям. Гузев А.А., Базовкин В.М., Ефимов В.М., Курышев Г.Л., Панова З.В.
14. Температурные деформации фотоприемных модулей, состоящих из соединенных индиевыми "столбами" кристаллов InAs и Si. Гузев А. А., Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Половинкин В.Г., Панова З.В.
15. Выращивание из паровой фазы объемных монокристаллов ZnCdTe и изготовление подложек для эпитаксии КРТ. А.А.Давыдов, Н.В.Жаворонков
16. Фотодетекторы на основе гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками. А.В.Двуреченский, А.И.Якимов.
17. Эпитаксиальные структуры твердых растворов ртуть-кадмий-теллур для матричных фотоприемников на спектральные диапазоны 3-5 и 8-14 мкм. И.А.Денисов, Н.И.Шматов, А.А.Шленский, И.Д.Бурлаков, Л.Д.Сагинов.
18. Расчёт предельных параметров идеального наблюдательного тепловизора с учётом влияния окружающей среды. Дирочка А.И., Свиридов А.Н.
19. Исследование температурных полей в конструкциях многоэлементных приемников излучения. Долганин Ю.Н., Козырев М.Е., Карпов В.В., Кузнецов Н.С.
20. Инжекционные лазеры с квантовыми ямами InGaAsN диапазона длин волн 1.3-1.5 микрона. Егоров А.Ю., Одноблюдов В.А., Шерняков Ю.М, Никитина Е.В.,Мамутин В.В., Устинов В.М.
21. Простая модель динамики разрушения гибридных фотоприемных сборок при многократных термоциклированиях. Ефимов В.М.,
22. Латеральные сверхрешётки GaAs/AlAs, выращенные на нано-фасетированной поверхности (311)А: структура, свойства и перспективы использования для ИК-приёмников. М.Д.Ефремов, В.А.Володин, Д.В.Марин, Р.С.Матвиенко, В.В.Преображенский, Б.Р.Семягин, В.А.Сачков, Н.Н.Леденцов, И.Р.Сошников, D.Litvinov, A.Rosenauer, D.Gerthen, С.Н.Гриняев
23. Стимулированное излучение ТГц диапазона из напряженных p-Ge и структур SiGe/Si. М.С. Каган, И.В. Алтухов, В.П. Синис, Е.Г. Чиркова, И.Н. Яссиевич, Дж. Колодзей
24. Гальваническое нанесение In-"Микростолбов" на элементы фотоприемных устройств. Казаков В.А., Филиновский В.Ю.
25. Сверхрешетки с Х-электронами для ИК-фотоприемников. Егунов Р.М., Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н.
26. О возможности повышения рабочей температуры фотодиодов из InSb. В.П. Астахов, В.П. Ежов, В.В. Карпов
27. Фоточувствительность гранулярных пленок BaYCuO. В.В. Карпов, А.М. Савченко
28. Фотоприёмные устройства на основе плёнок PbSnTe(In) - PbSnGeTe(In) для задач дистанционного зондирования Земли. А.Э. Климов, О.В.Смолин, Е.В. Сусов, В.Н. Шумский
29. Определение состава твердых растворов Hg_1-xCd_xTe по спектрам решеточного отражения. В.Л.Константинов .
30. Исследование магнетополевых зависимостей коэффициента Холла и проводимости и в пленках CdHgTe, выращенных методом МЛЭ. Бахтин П.А., Гутаковский А. К., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Коробкин А.П., Михайлов Н.Н., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г.
31. Многопроходные гетероструктуры AlGaAs для высокоэффективных излучателей ИК-диапазона. Крюков В.Л., Николаенко А.М, Коршунова Н.В., Захлебин В.А.
32. Основные технологические принципы выращивания гетероструктур AlGaAs для ОЭС-фотокатодов методом жидкофазной эпитаксии. В.Л. Крюков, Ю.И. Кунакин, А.А. Матяш, С.С. Стрельченко, К.А. Титивкин
33. Кремниевые фотоприёмники видимого и инфракрасного диапазонов - элементная база современных фотонных систем. Е.В.Костюков, Ю.А.Кузнецов, А.С.Скрылёв, В.В.Чернокожин, В.В.Воронов, М.И.Какоулин, С.В.Трунов, А.А.Тихонов
34. Факторы, ограничивающие пороговые характеристики матричных фотоприемников длинноволнового ИК-диапазона. Ю.И. Завадский, Ю.А.Кузнецов, В.В.Чернокожин
35. Создание новых принципов построения фотоприемных матричных ИК систем с оптическим считыванием, работающих при комнатной температуре. Курышев Г.Л. , Базовкин В.М. , Девятова С.Ф. , Половинкин В.Г. , Ли И.И. , Ерков В.Г. , Валишева Н.А.
36. Образование дефектов в эпитаксиальных структурах HgCdTe, CdTe, CdZnTe, HgZnTe, HgMnTe. Логинов Ю.Ю., Браун П.Д.
37. (311)-ориентированные сверхрешетки GaAs/AlAs в приемниках и излучателях ИК-диапазона: оптические свойства, возможность применения, преимущества. Г.А.Любас
38. Особенности выращивания гетероструктур для фотокатодов методом МОС-гидридной эпитаксии. А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, Д.Б. Никитин, П.В. Булаев, И.Д. Залевский, М.В. Коваленко
39. Получение гетероструктур с квантовыми ямами для ИК-фотоприемников на спектральный диапазон 3-5 и 8-12 мкм методом МОС-гидридной эпитаксии. А.А. Мармалюк, А.А. Падалица, Д.Б. Никитин, П.В. Булаев, И.В. Будкин, И.Д. Залевский, М.В. Коваленко
40. Получение гетероструктур на основе GaN методом МОС-гидридной эпитаксии. А.В. Неуважаев, А.Ф. Иванов, А.А. Мармалюк
41. Автоматизированная система управления технологическим процессом. Михайлов Н.Н., Титов В.П., Кербс В. Ф., Аульченко Н.А., Назаров Н.И., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А.
42. Выращивание CdTe на поверхности ГЭС КРТ МЛЭ. Михайлов Н.Н., Смирнов Р.Н., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Сабинина И.В., Гутаковский А.К., Ремесник В.Г.
43. Антиструктурный теллур как донорный центр в пленках КРТ, выращенных методом МЛЭ. Сидоров Ю.Г., Михайлов Н.Н., Варавин В.С.
44. МЛЭ эпитаксиальные структуры Hg_1-xCd_xTe - перспективный материал для производства многоэлементных ИК фоторезисторов. А.А. Комов, И.Ю. Ларцев, М.С. Никитин, Г.В. Чеканова
45. Кристаллы для ИК-излучателей на основе гетероструктур GaAlAs. А.В.Скипер, Н.Б.Матвеева, В.В.Парамонов, А.А.Матяш
46. Тепловизионный микроскоп. Базовкин В.М., Гузев А.А., Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Ларшин А.С., Половинкин В.Г.
47. Инфракрасное излучение, возникающее при лавинном пробое GaAs транзисторов. К.С.Журавлев, В.Г.Половинкин, В.А.Колосанов, А.Г.Милехин, Т.С.Шамирзаев, Г.Л.Курышев
48. Фотодиоды и матричные фотоприёмники на основе соединений CdHgTe. В.И. Стафеев, В.П. Пономаренко, A.M. Филачёв, Л.Д. Сагинов, И.Д. Бурлаков, В.Н. Соляков, К.О. Болтарь
49. Эпитаксиальные слои Cd_1-xZn_xTe/GaAs(310). Придачин Д.Н. , Гутаковский А.К., Сидоров Ю.Г., Сабинина И.В., Якушев М.В., Колесников А.В., Шамирзаев Т.С., Жаворонков Н.В.
50. Длина диффузии в ГЭС КРТ МЛЭ КРТ p-типа проводимости. Протасов Д.Ю., Васильев В.В., Овсюк В.Н., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А., Костюченко В.Я.
51. Схемы считывания для многоэлементных КРТ-ФПУ. Рева В.П., Сизов Ф.Ф., Деркач Ю.П, Голенков А.Г., Коринец С.В., Писаренко Л.А.
52. Термоэлектрические приемники излучения: состояние и перспективы. А. В. Двуреченский, И. А. Рязанцев, Л.С. Смирнов
53. Установка измерения параметров малоресурсных криогенных приемников излучения. Сапожников А.А., Гаврушко В.В., Сапожников А.А.
54. Измерение параметров фоторезисторов. Сапожников А.А., Гаврушко В.В., Прошкин Ю.Н., Сапожников А.А.
55. Фотоприемное устройство на основе твердого раствора InGaAsSb. Сапожников А.А. Чупраков А.М. Сапожников А.А. Гаврушко В.В, Прошкин Ю.Н., Кузюков С.Г.
56. Особенности туннелирования через ловушки и оптимальная структура низкофоновых фотодиодов на основе узкозонных твердых растворов (CdHg)Te. А.Ю. Селяков, В.П. Пономаренко
57. Температура BLIP режима ИК фотодиода на основе - легированного p-n перехода нового типа. А.Ю. Селяков
58. Расчет фоточувствительности многослойной гетероструктуры Si / Si_1-xGe_x / Si с поглощением ИК излучения на свободных носителях. Серебренников П.С.
59. Статус МЛЭ CdHgTe в тепловизионной технике. Асеев А.Л., Белоконев В.М., Крайлюк А.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Дегтярев Е.В., Михайлов Н.Н, Сидоров Ю.Г., Якушев М.В.
60. Многоэлементные гибридные ФПУ на основе КРТ-фотодиодов. Васильев В.В., Голенков А.Г., Забудский В.В., Марчишин И.В., Рева В.П., Овсюк В.Н., Сидоров Ю.Г., Сизов Ф.Ф.,
61. Оптимизация технологических условий роста ГЭС КРТ МЛЭ. Михайлов Н.Н., Смирнов Р.Н., Сидоров Ю.Г., Дворецкий С.А
62. Аппаратно-программный метод интегральной оценки формирователей изображения систем технического зрения. Милосердов С.С., Солодков А.А.
63. Универсальная методика расчета основных параметров формирователей изображения систем технического зрения. Солодков А.А.
64. Инжекционные фотодиоды. В.И.Стафеев, И.Д. Анисимова
65. Исследования гетероэпитаксиальных структур КРТ, полученных методом МЛЭ и разработка фоторезисторов на их основе. Сусов Е.В., Смолин О.В. Никитин М.С., Чеканова Г.В., Сидоров Ю.Г., Михайлов Н.Н., Варавин В.С.
66. О термической стабильности фотодиодов на основе гетероэпитаксиальных слоев Cd_xHg_1-xTe p-типа. В.В. Васильев, В.Н. Овсюк, Н.Х. Талипов
67. Цифровые технологии измерения параметров электронно-оптических преобразователей. В.Э. Андреев, А.А Кравченко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов, А.С. Хохорин, Е.В. Дегтярев.
68. Физические пределы технических характеристик электронно-оптических преобразователей. А.С. Терехов
69. Фотоприемник УФ-диапазона с GaN-(Cs) фотокатодом с отрицательным электронным сродством. О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, С.В. Шевелев, А.С. Терехов, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин
70. Влияние межзонной поляризации на туннелирование носителей заряда через P-N переход в узкозонном материале Cd_xHg_1-xTe. В.В.Тугушев, Е.В.Сусов, О.В.Смолин
71. Матричные приемники ИК излучения на оптоакустических элементах. В.Н. Федоринин, А.В. Гельфанд, П.П. Мальцев
72. Фотоприемники ультрафиолетового и видимого диапазона на основе текстурированного пористого кремния. В.И. Хитько, Л.Г. Юрченок, В.П. Бондаренко, Н.Н. Ворозов, П.С. Смертенко, Т.Я. Горбач
73. Автоматизация технологий проектирования и изготовления плоских электронно-оптических преобразователей. В.А. Бригинец, С.Н. Косолобов, В.В. Хатункин, Г.Э. Шайблер, С.В. Шевелев, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов.
74. Эллипсометрический контроль при выращивании тонких слоев КРТ и неоднородных структур методом МЛЭ. Швец В.А., Рыхлицкий С.В., Спесивцев Е.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Сидоров Ю.Г., Смирнов Р.Н.
75. Межзонная фотопроводимость напряженных структур Si/Ge/Si с квантовыми точками германия. О. А. Шегай, А. И. Никифоров
76. Инфракрасные детекторы на основе гетероструктур Si_1-xGe_x(B)/Si. В. А. Юрьев, М. Г. Войтик, Л. В. Арапкина, Д. Б. Ставровский, В. А. Чапнин , В. С. Аврутин, Н. Ф. Изюмская
77. The structure of solid solution Zn_xCd_100-xTe. G.S.Yurjev, S.F.Marenkin, V.N.Guskov, A.M.Natarovski
78. Молекулярно-лучевая эпитаксия соединений CdTe(310) и HgCdTe(310) на подложках Si(310). Якушев М.В., Брунев Д.А., Варавин В.С., Васильев В.В., Гончаренко А.Н., Гутаковский А.К., Придачин Д.Н., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Швец В.А.
79. Использование оптических и фотоэлектрических явлений для бесконтактного измерения параметров фотокатодных гетероструктур, выращенных МОС-гидридной эпитаксией. С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов, А.А. Падалица, А.А. Мармалюк, П.В. Булаев, Д.Б.Никитин.
80. Высокосветосильный растровый УФ телеспектрометр. А.С. Рафаилович, В.Б. Шлишевский
81. Построение низкоуровневых телевизионных систем с высоким пространственным разрешением. К.П. Шатунов, С.М. Чурилов, И.В. Шапкин, Е.О. Ульянова, А.В. Турбин. А.С. Рафаилович, П.В. Журавлев
82. Комплекс модулей для обеспечения воздушной всепогодной разведки в широком спектральном диапазоне. К.П. Шатунов, П.И. Шапор, С.М. Чурилов, Е.А. Терёшин, С.И. Лепин, И.В. Шапкин.
83. Проблемы технической реализации оптико-электронной системы автоматического определения координат цели по световой вспышке. Белоконев В.М., Итигин А.М.-Ш., Хацевич Т.Н., Шлишевский В.Б.
84. Видеоспектрометрия в УФ диапазоне. Чиков К.Н., Красавцев В.М., Гуд В.В.
85. Пути реализации многоспектральных комплексированных оптико-электронных систем. В.А. Моисеев, Е.А.Терешин, П.В. Журавлев, Е.О. Ульянова, К.П. Шатунов, С.М. Чурилов
86. Пути развития в создании новых тепловизионных комплексов. С. В. Олейник
87. Мультиплексор болометрической матрицы. Дшхунян В.Л., Машевич П.Р., Чесноков В.П., Володин Е.Б., Зюбин В.В., Минаев В.В., Михалев И.В., Мурылева Е.В., Фортинский Ю.К., Тарасов В.В., Здобников А.Е., Четверов Ю.С.
88. Термочувствительные слои VO_x для микроболометрических приемников ИК излучения, полученные по золь-гель технологии. С.А.Волков, М.А.Демьяненко, В.Н.Овсюк, В.В.Шашкин, Л.Л.Васильева, А.С. Кушкова, С.М.Репинский, Б.И.Фомин
89. Микроболометрические приемники ИК излучения на основе золь-гель VO_x. М.А.Демьяненко, В.Н.Овсюк, В.В.Шашкин, Б.И.Фомин, Е.И.Черепов, Л.Л.Васильева, С.М.Репинский, И.П.Михайловский, И.О.Парм, А.П.Соловьев

Правила представления тезисов.