| Структурные процессы на поверхности при неравновесных условиях |
| Латышев Александр Васильевич, академик РАН, д.ф.-м.н. (директор Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| SiGe гетероструктуры для квантовых вычислений |
| Новиков Алексей Витальевич, д.ф.-м.н. (директор Института физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород) |
|
| Перспективное оборудование и технологии для электронно-ионно-плазменной обработки материалов и изделий |
| Коваль Николай Николаевич, д.т.н., профессор (г.н.с. Института сильноточной электроники СО РАН, г. Томск) |
|
| Процессы химического осаждения из газовой фазы в современной микроэлектронике |
| Игуменов Игорь Константинович, д.х.н., профессор (г.н.с. Института неорганической химии СО РАН им. А.В. Николаева, г. Новосибирск) |
|
| Динамическая стабилизация электронных систем в наноструктурах |
| Кибис Олег Васильевич, д.ф.-м.н., профессор (Новосибирский государственный технический университет, г. Новосибирск) |
|
| Рентгеновские дифракционные методики исследования наноструктурированных поликристаллических материалов |
| Цыбуля Сергей Васильевич, д.ф.-м.н., профессор (г.н.с. Института катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, зам. декана ФФ Новосибирского государственного университета, г. Новосибирск) |
|
| Электронный транспорт в системах, на основе квантовых ям HgTe |
| Ольшанецкий Евгений Борисович, д.ф.-м.н. (с.н.с. Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Физические принципы действия и перспективы флэш памяти нового поколения |
| Гриценко Владимир Алексеевич, д.ф.-м.н. (г.н.с. Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Фотоприемные устройства на основе гетероэпитаксиальных структур |
| Дворецкий Сергей Алексеевич, к.ф.-м.н. (зав. отд. Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Актуальные проблемы реализации квантовых вычислений на основе полупроводниковых наноструктур |
| Зиновьева Айгуль Фанизовна, к.ф.-м.н. (с.н.с. Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Однофотонные детекторы для квантовой связи |
| Чистохин Игорь Борисович, к.ф.-м.н. (с.н.с. Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Преобразование морфологии поверхности кремния при осаждении Au и Si (Монте-Карло моделирование) |
| Шварц Наталья Львовна, к.ф.-м.н. (с.н.с. Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, доцент Новосибирского государственного технического университета, г. Новосибирск) |
|