Эпитаксия полупроводниковых гетероструктур в условиях открытого космического пространства
Свидетельство на товарный знак Лицензия на космическую деятельность

   Работа по программе начата в 1996 году в институте Физики Полупроводников Сибирского Отделения Российской Академии Наук в сотрудничестве с РКК "Энергия" и.м. С.П.Королева.

   Преимущества проведения технологического процесса в условиях орбитальных станций с использованием эффекта молекулярного экрана:

  • преодоление принципиальных ограничений наземных вакуумных технологий;
  • глубокий вакуум и почти неограниченная производительность откачки;
  • сверхбыстрая смена химического состава газовой фазы в зоне роста на поверхности подложки, что позволяет получить гетеропереходы с идеально резкими профилями;
  • возможность сочетания различных технологий роста, таких как молекулярная эпитаксия, химико-пучковая и газо-транспортная эпитаксия низкого давления и т.п.;
  • отсутствие стенок рабочей камеры, накапливающих и отдающих компоненты молекулярных пучков и атмосферы остаточных газов, что позволяет формировать многослойные структуры, содержащие разные по составу слои;
  • повышенная однородность слоев по площади подложек в связи с возможностью пространственного удаления элементов технологической остнастки и аналитических средств от зоны эпитаксиального роста;
  • возможность использования токсичных летучих жидкостей и газов (гидриды, металлоорганические соединения и т.п.) в качестве исходных материалов для синтеза пленок без загрязнения окружающей среды.

НАЗНАЧЕНИЕ

   Оборудование предназначено для проведения в едином технологическом цикле следующих процессов:
- очистка поверхности кристаллов-подложек методом термохимической обработки в сверхвысоком вакууме;
- выращивание эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений A3B5 и тройных твердых растворов, в том числе сверхрешеток и структур с квантовыми точками;
- выращивание эпитаксиальных пленок элементарных полупроводников и их растворов, в том числе сверхрешеток и модулированных структур;
- нанесение металлических покрытий, диэлектрических пленок, магнитных слоев.

 

УНИКАЛЬНЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ УСТАНОВКИ
  1. Автоматизированная загрузка пластин-подложек диаметром 100мм.
  2. Дистанционное автоматизированное управление технологическим процессом.
  3. Совместимость оборудования с условиями чистых помещений.
  4. Возможность наземной отработки космического эксперимента.
Адрес: ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СО РАН
630090, Новосибирск, пр.Лаврентьева, 13, тел./факс (383) 333-35-02, тел.333-32-86, е-mail:pch@isp.nsc.ru