В журнале Nature Photonics опубликовано сообщение о создании источника одиночных фотонов на азотном центре в алмазе с использованием электрического возбуждения. Искусственные алмазы выращивались с использованием CVD - технологии. На подложку p-типа напылялись слои n-типа, легированные фосфором. Была исследована динамика фотолюминесценции и электролюминесценции, наблюдалась антигруппировка фотонов. На рисунке изображены структура азотного центра в алмазе, схема однофотонного излучателя и вольт-амперная характеристика p-i-n перехода. И.И.Бетеров