Поздравляем
победителей конкурса научных работ Института 2018 года!

По первому направлению:

1 премия:

Д.Б. Третьяков, И.И. Бетеров, Е.А. Якшина, В.М. Энтин, И.И. Рябцев, П. Шенэ, П. Пиле
Наблюдение борромеановских трёхчастичных резонансов Фёрстера для трёх взаимодействующих ридберговских атомов рубидия5.7 балла

2 премия:

Д.А. Похабов, А.Г. Погосов, Е.Ю. Жданов, А.А. Шевырин, А.К. Бакаров, А.А. Шкляев
Электрическая спиновая поляризация в подвешенных GaAs квантовых точечных контактах4.32 балла

М.В. Бурдастых, С.В. Постолова, А.Ю. Миронов
Сверхпроводник и сверхизолятор как топологические фазы материи3.84 балла

3 премия:

О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко
Полупроводниковый искусственный графен: эффекты в слабом магнитном поле3.33 балла

Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов
Экспериментальное наблюдение перемещения краевых дислокаций в гетероструктурах Ge/GexSi1−x/Si(001)3.11 балла

Л.С. Брагинский, Л.И. Магарилл, М.М. Махмудиан, М.В. Энтин
Краевые состояния электронов в двумерном топологическом изоляторе: физические последствия линейности электронного спектра2.65 балла

По второму направлению:

1 премия:

В.А. Голяшов, И.Б. Чистохин, А.С. Ярошевич, Т.С. Шамирзаев, И.А. Деребезов, В.А. Гайслер, И.И. Мараховка, А.В. Копотилов, Н.В. Кислых, А.В. Миронов, В.В. Аксенов, О.Е. Терещенко
Фотоэмиссионные и инжекционные свойства вакуумного фотодиода с полупроводниковыми электродами с эффективным отрицательным электронным сродством7.9 балла

Лучшим докладчиком признана Е.А. Якшина (1 место по направлению I)

Премия молодому участнику – соавтору премированной работы присуждена М.В. Бурдастых (2 место по направлению I)