Во вторник, 26 апреля, в 16 часов в конференц-зале ЛТК состоится семинар лаборатории №10.

Статья в APL И.Е. Тысченко:

Enhanced germanium precipitation and nanocrystal growth in the Ge+ ion-implanted SiO2 films during high-pressure annealing.

Авторы: I.E. Tyschenko, V.A. Volodin, A.G. Cherkov.