В ИФП СО РАН разработана технология эпитаксиального роста гетероструктур на основе материалов кадмий-ртуть теллур (HgCdTe) с эллипсометрическим контролем толщины и состава слоев. Эта технология позволила создать гетероструктуры c квантовыми ямами (КЯ) HgTe/CdHgTe.

Сотрудники ИФМ РАН (Нижний Новгород), используя эти гетероструктуры в рамках совместных исследований, получили стимулированное излучение в терагерцовом спектральном диапазоне, и продемонстрировали возможность создания лазеров, работающих на длинах волн 25-60 мкм.

Статья по данной тематике опубликована на портале «Научная Россия».