Перспективы инженерии дефектов в мультикристаллическом кремнии для солнечной энергетики |
В.В. Кведер |
Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия |
|
Гибридные лазеры для оптических межсоединений |
З.Ф. Красильник |
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия |
|
Физические основы инженерии люминесцентных центров в технологии кремниевых светодиодов с дислокационной люминесценцией |
Н.А. Соболев |
Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия |
|
Кремний - базовый материал солнечной энергетики |
А.И. Непомнящих |
Институт геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН, Иркутск, Россия |
|
Cовременные технологии получения кремния полупроводниковой чистоты |
Т.В. Критская1, Л.Я. Шварцман2 |
1Запорожская государственная инженерная академия, Запорожье, Украина;
2Компания «Силидо», Вена, Австрия
|
|
Кремниевые гетероструктуры с диэлектриками для электроники повышенной надежности |
В.П. Попов1, А.В. Глухов2 |
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2ОАО «НЗПП с ОКБ», Новосибирск, Россия |
|
Когда закончится перепроизводство поликремния |
Ю.Н. Пархоменко, А.В. Наумов |
Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет», Москва, Россия |
|
Фемтосекундная лазерная модификация пленок аморфного гидрированного кремния для оптоэлектроники и фотовольтаики |
А.Г. Kaзанский1, М.В. Хенкин1, R. Drevinskas2, M. Beresna3, P. Kazansky3 |
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия;
1Optoelectronics Research Centre, University of Southampton, Southampton, United Kingdom |
|
Разработка универсальной памяти – движущая сила современной электроники |
В.А. Гриценко |
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия |
|
Радиационные эффекты в кремниевых наноструктурах |
Н.Н. Герасименко |
Московский институт электронной техники, Зеленоград, Россия |
|
Дислокационные сетки, полученные сращиванием пластин кремния: новое понимание свойств дислокаций |
О.Ф. Вывенко |
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия |
|
Магнитозависимые транспортные явления в гибридных структурах с барьером Шоттки, сформированных на основе Si |
Н.В. Волков1,3, А.С. Тарасов1,2, М.В. Рауцкий1, Д.А. Смоляков1,3, А.О. Густайцев1,2, А.В. Лукьяненко1,2, И.А. Бондарев1,2, С.Н. Варнаков1,3, С.Г. Овчинников1,2 |
1Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия;
2Сибирский федеральный университет, Красноярск;
3Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева, Красноярск
|
|
Спиновые эффекты на легких и тяжелых донорах в кремнии |
А.А. Ежевский1, А.В. Сухоруков1, Д.В. Гусейнов1, А.В. Кудрин1, А.П. Деточенко1, С.А. Попков1, А.А. Конаков1, Н.В. Абросимов2, Н. Riemann2 |
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия;
2Leibniz Institute for Crystal Growth, Germany, Berlin
|
|
Универсальность плоскости {113} в Si для формирования топологических дефектов связей при смешанной кластеризации вакансий и междоузельных атомов |
Л.И. Федина |
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск, Россия |
|
Новые элементоорганические прекурсоры и процессы химического осаждения из газовой фазы пленок нитридов и карбонитридов кремния |
М.Л. Косинова |
Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия |
|
Влияние масштабного фактора на общие закономерности свободной и смешанной конвекции расплавов в вариантах метода Чохральского |
В.С. Бердников1,2, В.А. Винокуров1, В.В. Винокуров1, В.А. Марков1 |
1Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский Государственный Технический Университет, Новосибирск |
|
Present and future ultra-low power & energy-efficient electronic devices |
Albert Chin, Cheng Wei Shih, and Kai-Zhi Kan |
Dept. of Electronics Eng., National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan |