XI Конференция и X Школа молодых ученых и специалистов
по актуальным проблемам физики, материаловедения,
технологии и диагностики кремния, нанометровых структур
и приборов на его основе
12-15 сентября 2016 г., Новосибирск
 
Новости
23.09.2016 Размещён сборник тезисов.
19.09.2016 Фотоотчёт
11.09.2016 Регистрация участников конференции будет проходить в курорт-отеле «Сосновка» 12 сентября 2016г. с 12:00.
08.09.2016 Оргкомитет организует доставку участников конференции в курорт-отель «Сосновку», где будут проходить заседания секций.

Расписание автобусов:
с 13.09. по 15.09.2016 ежедневно

  • в 08:20 от Административного корпуса ИФП СО РАН (Лаврентьева, 13);
  • вечером по окончании заседаний от «Сосновки».
Отель «Сосновка» предлагает обеды для участников конференции. Стоимость обеда 350 руб.
18.07.2016 Срок оплаты Оргвзноса продлен до 1 августа.
07.06.2016 Размещена Программа конференции.
03.06.2016 Опубликован порядок оплаты Оргвзноса.
23.05.2016 Опубликован список Приглашенных докладов конференции.
20.04.2016 Продлён срок подачи тезисов до 1 мая 2016 г.
10.03.2016 Добро пожаловать на сайт конференции "КРЕМНИЙ 2016"!
Контакты
Факс: +7(383)333-27-71
E-mail:
Тысченко Ида Евгеньевна
Тел.: +7(383)333-25-37
Тычинская Светлана Анатольевна
Тел.: +7(383)333-24-88
Адрес
ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
630090, пр. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, Россия
ПРИГЛАШЕННЫЕ ДОКЛАДЫ

Перспективы инженерии дефектов в мультикристаллическом кремнии для солнечной энергетики
В.В. Кведер
Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия
Гибридные лазеры для оптических межсоединений
З.Ф. Красильник
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия
Физические основы инженерии люминесцентных центров в технологии кремниевых светодиодов с дислокационной люминесценцией
Н.А. Соболев
Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия
Кремний - базовый материал солнечной энергетики
А.И. Непомнящих
Институт геохимии им. А.П. Виноградова СО РАН, Иркутск, Россия
Cовременные технологии получения кремния полупроводниковой чистоты
Т.В. Критская1, Л.Я. Шварцман2
1Запорожская государственная инженерная академия, Запорожье, Украина;
2Компания «Силидо», Вена, Австрия
Кремниевые гетероструктуры с диэлектриками для электроники повышенной надежности
В.П. Попов1, А.В. Глухов2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2ОАО «НЗПП с ОКБ», Новосибирск, Россия
Когда закончится перепроизводство поликремния
Ю.Н. Пархоменко, А.В. Наумов
Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет», Москва, Россия
Фемтосекундная лазерная модификация пленок аморфного гидрированного кремния для оптоэлектроники и фотовольтаики
А.Г. Kaзанский1, М.В. Хенкин1, R. Drevinskas2, M. Beresna3, P. Kazansky3
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия;
1Optoelectronics Research Centre, University of Southampton, Southampton, United Kingdom
Разработка универсальной памяти – движущая сила современной электроники
В.А. Гриценко
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
Радиационные эффекты в кремниевых наноструктурах
Н.Н. Герасименко
Московский институт электронной техники, Зеленоград, Россия
Дислокационные сетки, полученные сращиванием пластин кремния: новое понимание свойств дислокаций
О.Ф. Вывенко
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Магнитозависимые транспортные явления в гибридных структурах с барьером Шоттки, сформированных на основе Si
Н.В. Волков1,3, А.С. Тарасов1,2, М.В. Рауцкий1, Д.А. Смоляков1,3, А.О. Густайцев1,2, А.В. Лукьяненко1,2, И.А. Бондарев1,2, С.Н. Варнаков1,3, С.Г. Овчинников1,2
1Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия;
2Сибирский федеральный университет, Красноярск;
3Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М.Ф. Решетнева, Красноярск
Спиновые эффекты на легких и тяжелых донорах в кремнии
А.А. Ежевский1, А.В. Сухоруков1, Д.В. Гусейнов1, А.В. Кудрин1, А.П. Деточенко1, С.А. Попков1, А.А. Конаков1, Н.В. Абросимов2, Н. Riemann2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия;
2Leibniz Institute for Crystal Growth, Germany, Berlin
Универсальность плоскости {113} в Si для формирования топологических дефектов связей при смешанной кластеризации вакансий и междоузельных атомов
Л.И. Федина
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск, Россия
Новые элементоорганические прекурсоры и процессы химического осаждения из газовой фазы пленок нитридов и карбонитридов кремния
М.Л. Косинова
Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия
Влияние масштабного фактора на общие закономерности свободной и смешанной конвекции расплавов в вариантах метода Чохральского
В.С. Бердников1,2, В.А. Винокуров1, В.В. Винокуров1, В.А. Марков1
1Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский Государственный Технический Университет, Новосибирск
Present and future ultra-low power & energy-efficient electronic devices
Albert Chin, Cheng Wei Shih, and Kai-Zhi Kan
Dept. of Electronics Eng., National Chiao-Tung University, Hsinchu, Taiwan
Список приглашенных докладов
Организаторы конференции
 
© ИФП СО РАН, 2016. webmaster@isp.nsc.ru