IXРоссийская конференция
по физике полупроводников
28 сентября - 3 октября 2009 г.
Новосибирск - Томск
Новости
09.10.2009 Фотоотчет
15.07.2009 ВНИМАНИЕ!!! На сайте размещена программа
14.07.2009 Обновлена информация о проживании
14.07.2009 ВНИМАНИЕ!!! Обновлена информация о рейсах по состоянию на 13 июля 2009 года
11.06.2009 Обновлен список Докладов по приглашению
18.05.2009 Прилагаем образцы документов для участников конференции.
Контакты

Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН
пр. Ак. Лаврентьева 13, 600090 Новосибирск, Россия
Тел: (383)333-32-60
Факс: (383)333-27-71
E-mail:

ТЕМАТИКА КОНФЕРЕНЦИИ

Конференция посвящена фундаментальным проблемам физики полупроводников.

Основные разделы программы:

  1. Объемные полупроводники: электрические и оптические свойства, релаксация носителей, сверхбыстрые явления, экситоны, фононы, фазовые переходы, упорядочение.
  2. Поверхность, пленки, слои: эпитаксия, атомная и электронная структура поверхности, адсорбция и поверхностные реакции, процессы формирования (самоорганизации) нанокластеров, СТМ и АСМ, оптическая микроскопия ближнего поля.
  3. Гетероструктуры и сверхрешетки: структурные и оптические свойства, электронный транспорт, микрорезонаторы.
  4. Двумерные системы: структурные, электронные, магнитные свойства, туннелирование, локализация, фононы, плазмоны, высокочастотный транспорт, квантовый эффект Холла, корреляционные эффекты.
  5. Одномерные и нульмерные системы: энергетический спектр, электронный транспорт, оптические свойства, локализация.
  6. Широкозонные материалы (SiC, GaN, II-VI и др.): рост, оптические и электронные свойства.
  7. Спиновые явления, спинтроника, наномагнетизм.
  8. Примеси и дефекты (объемные полупроводники и квантово-размерные структуры): примеси с мелкими и глубокими уровнями, магнитные примеси, структурные дефекты, неупорядоченные полупроводники.
  9. Высокочастотные явления в полупроводниках (СВЧ и терагерцовый диапазон).
  10. Органические полупроводники, молекулярные системы.
  11. Углеродные наноматериалы.
  12. Метаматериалы и фотонные кристаллы.
  13. Полупроводниковые приборы и устройства: технология, методы исследования, наноприборы.

Заполните регистрационную форму и примите участие в нашей конференции
Список пленарных и приглашенных докладов.
Организаторы конференции
Конференцию поддерживают
Все участники конференции оплачивают организацион- ный взнос. Прилагаем образцы документов для участников конференции: Договор на участие в конференции и Акт приемки.
Проживание будет организовано в гостинице "Золотая долина"
Информация о переезде из Новосибирска в Томск и отъезде после окончания конференции.
Информация о экскурсиях, организации досуга и культурно-развлекательных программ.
 
© ИФП СО РАН, 2009. Webmaster: Sambur Nadezhda, webmaster@isp.nsc.ru