Требования, предъявляемые к современным матричным фотоприёмникам наземных оптико-электронных систем |
В.Д. Шаргородский1, А.Б. Александров1, А.А. Бабаев2 |
1Акционерное общество «Научно-производственная корпорация «Системы прецизионного приборостроения», Москва
2Филиал акционерного общества «Научно-производственная корпорация «Системы прецизионного приборостроения», Великий Новгород |
|
Микро- и наноструктурирование оптических материалов с помощью фемтосекундного ИК излучения |
С.А. Бабин, А.В. Достовалов, А. Вольф |
Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск |
|
Основные тенденции развития оптоэлектронной техники до 2030 года |
А.С. Башкатов, Д.Н. Мещерова |
Мытищинский научно-исследовательский институт радиоизмерительных приборов, г. Мытищи, Московская область |
|
Коллоидные атомно-тонкие квантовые ямы на основе соединений А2В6 |
Р.Б. Васильев |
Факультет наук о материалах, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва |
|
Излучатели терагерцового диапазона на основе полупроводниковых наноструктур |
В.И. Гавриленко |
Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород |
|
Основные тенденции и перспективы развития оптико-электронных систем в авиационном приборостроении |
Е.В. Гаврилов |
АО "НПК ПЕЛЕНГАТОР", Санкт-Петербург |
|
Неклассические излучатели света на основе селективно-позиционированных гибридных микрорезонаторов и (111)In(Ga)As квантовых точек |
И.А. Деребезов, В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, M. von Helversen, C. de la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein |
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск |
|
Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры диапазона 1550 нм |
А.Ю. Егоров |
ООО «Коннектор Оптикс», Санкт-Петербург |
|
Быстродействующие температурно-стабильные микролазеры |
А.Е. Жуков |
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет РАН, Санкт-Петербург |
|
Приборы радиофотоники на основе фосфида индия |
К.С. Журавлев1, Д.В. Дмитриев1, А.И. Торопов1, М.С. Аксенов1, Н.А. Валишева1, A.M. Гилинский1, И.Б. Чистохин1, А.Л. Чиж2, С.А. Малышев2, К.Б. Микитчук2 |
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
2 ГНПО «Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника» Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь |
|
Фотоника среднего УФ диапазона на основе AlGaN наногетероструктур
|
С.В. Иванов, В.Н. Жмерик |
ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург |
|
Текущее состояние и актуальные направления развития космической фотоэнергетики |
С.Г. Кочура, С.И. Опенько, М.В. Нестеришин, П.А. Крючков, Е.О. Воронцова |
АО «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф. Решетнёва», г. Железногорск Красноярского края |
|
Первый российский 40 Гбит/с BPSK- модулятор на основе волоконного интерферометра Маха-Цендера и его применение для решения задач передачи и обработки аналогового сигнала |
И.А. Копаев, Р.З. Ибрагимов |
ООО «Т8», Москва |
|
Конкуренция излучательной и оже-рекомбинации в узкозонных волноводных структурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe, излучающих в среднем и дальнем ИК диапазонах
|
С.В. Морозов1, В.В. Румянцев1, В.В. Уточкин1, Н.С. Куликов1, М.С. Жолудев1, М.А. Фадеев1, В.Я. Алёшкин1, Н.Н. Михайлов2, В.И. Гавриленко1 |
1Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
|
|
Новые материалы для фотоэлектронники на основе двумерных наноструктур |
В.П. Пономаренко, В.С. Попов, Е.Л. Чепурнов |
НПО «Орион», г. Москва |
|
Требования к перспективным ИК фотоприемным устройствам космического применения |
Е.С. Постников, Ю.И. Белоусов |
Филиал АО "Корпорация "Комета" НПЦ "ОЭКН", Санкт-Петербург |
|
Комплексная мульти- и гиперспектральная обработка изображений видимого и ИК диапазонов в задачах обнаружения и классификации объектов на неоднородном фоне |
О.И. Потатуркин, С.М. Борзов |
Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск |
|
Прикладные вопросы проектирования и изготовления фотонных компонентов для приборов и систем |
В.К. Струк |
НИИ радиофотоники и оптоэлектроники ПАО ПНППК, г. Пермь |
|
Оптическое детектирование спиновой поляризации свободных электронов в полупроводниковых гетероструктурах с пространственным разрешением |
О.Е. Терещенко, В.А. Голяшов, В.С. Русецкий, Н.С. Назаров, А.В. Миронов, В.В. Аксенов |
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск |
|
Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры для компактных атомных сенсоров |
В.М. Устинов |
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, Санкт-Петербург |
|
Цифровые методы повышения качества изображения в тепловизионных приборах |
А.В. Голицын, И.И. Кремис, А.О. Лебедев, Б.Н. Новгородов, А.Г. Паулиш, В.Н. Федоринин, П.И. Шапор, К.П. Шатунов |
Новосибирский филиал ИФП СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники», г. Новосибирск |
|
РТ-симметрия терагерцовой фотопроводимости в структурах на основе Hg1-xCdxTe с инверсным спектром |
А.В. Галеева1, А.С. Казаков1, А.И. Артамкин1, Л.И. Рябова2, С.А. Дворецкий3, Н.Н. Михайлов3, М.И. Банников4, С.Н. Данилов5, С.Д. Ганичев5, Д.Р. Хохлов1,4 |
1 Физический факультет, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва
2 Химический факультет, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва
3 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
4 Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва
5 University of Regensburg, Regensburg, Germany |
|
Нелинейная ТГц фотоника жидкостей |
А.П. Шкуринов1, А.В. Балакин1, И.В. Котельников2, В.А. Макаров1, П.М. Солянкин3 |
1Физический факультет и Международный учебно-научный лазерный центр МГУ имени М.В. Ломоносова, г. Москва
2Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт ядерной физики им. Г.И. Будкеpа СО РАН
3Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН - филиал Федерального государственного учреждения «Федеральный научно-исследовательский центр» Российской академии наук», Московская область, г. Шатура
|
|
Опыт проектирования и создания радиофотонного Радиолокатора Х диапазона с фотонным гетеродином и другими элементами радиофотоники. Опыт создания и результаты испытаний радиофотонных АЦП - Х диапазона. Общее состояние и перспективы развития радиофотоники в России |
С.Д. Сапрыкин, А.Н. Шулунов, В.В. Валуев, А. Гаврюшин, И.Н. Крикунов, Д. Фофанов, С. Головин |
АО «НПК «НИИДАР», Москва |
|
Поверхностные плазмонные волны в гибридных фотодетекторах Ge/Si с металлическими субволновыми решетками |
А.И. Якимов |
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск |
|
Матричные ИК фотоприемники на основе гетероструктур узкозонных полупроводников |
М.В. Якушев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Г.Ю. Сидоров, Ю.Г. Сидоров, А.В. Латышев |
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск |
|