Вернуться к расписанию
Стендовая секция
Дата:Вторник, 12 сентября
Время:17:15 - 18:15
Место:Конференц-зал пансионата «Сосновка»
1.1
К.Е . Аношин1, О.М. Алимов1, М.А. Гоник2, А.В. Наумов2
Получение крупногабаритных германиевых окон с повышенной оптической однородностью на установке «РЕДМЕТ-30»
1ООО «Инфракристалл», Лыткарино, Россия;
2Центр материаловедения «Фотон», Александров, Россия.
1.2
Д.В. Дмитриев1, А.М. Гилинский1, А.И. Торопов1, А.П. Василенко1, А.С. Кожухов1, Д.В. Щеглов1, К.С. Журавлёв1,2
Синтез гетероструктур InAlAs/InGaAs на подложке (001)InP для СВЧ фотодиодов
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2НГУ, Новосибирск, Россия
1.3
А.Н. Карпов1, К.А. Конфедератова1, Н.Л.Шварц1,2
Влияние барьеров Швебеля на изменение морфологии слоя GaN при отжиге (Монте-Карло моделирование)
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия.
1.4
А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский, К.А. Лозовой.
Моделирование процессов формирования квантовых точек в системе GeSn/Si
Томский государственный университет, Томск, Россия
1.5
Г.К. Кривякин1, В.А. Володин1,2, Г.Н. Камаев1, Г.Д. Ивлев3
Влияние водорода на порог плавления плёнок аморфного гидрогенизированного кремния
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия;
3Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь.
1.6
В.Н. Кручинин, Т.В. Перевалов, В.В. Атучин, В.А. Гриценко, С.В. Рыхлицкий
Оптические свойства пленок TiO2, полученных электронно-лучевым осаждением
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН, Новосибирск, Россия
1.7
В.Н. Кручинин, Е.В. Спесивцев, М.А. Аксенов, Р.К. Григорьев, Н.А. Валишева
Оптические свойства анодных оксидных слоев на AlxIn1-xAs
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН, Новосибирск, Россия.
1.8
В.Н. Кручинин1, Е.В. Спесивцев1, Д.Д. Клямер2, Т.В. Басова2
Структурные и оптические особенности пленок незамещенных и фторзамещенных фталоцианинов цинка (II)
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН, Новосибирск, Россия;
2Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения РАН, Новосибирск, Россия.
1.9
Р.В. Левин1,2, Л.В. Данилов1, В.Н. Неведамский1, Б.В. Пушный1,2
Квантоворазмерные гетероструктуры InAs/GaSb выращенные методом газофазной эпитаксией из металлорганических соединений
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия;
2 НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт- Петербург, Россия.
1.10
D.E. Milovzorov
Silicon Crystalline Film Prepared by PECVD at Low Temperatures
Fluens Technology Group Ltd., Moscow 107497, Russia
1.11
К.Д. Мынбаев1,2, Н.Л. Баженов2, А.О. Тимошков2,3, Н.Н. Михайлов4, М.В. Якушев4, В.С. Варавин4, С.А. Дворецкий4,5
Фотолюминесценция слоев Hg1-xCdxTe c x~0.5, выращенных методом МЛЭ
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Росия;
2ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия;
3 СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия;
4ИФП СО РАН им. А.В. Ржанова, Новосибирск, Россия;
5ТГУ, Томск, Россия.
1.12
М.О. Петрушков1, Е.А. Емельянов1, М.А. Путято1, Б.Р. Семягин1, И.Б. Чистохин1, А.В. Васев1, С.М. Гущин2, Е.В. Скробов2, В.В. Преображенский1
Формирование p+-областей в полупроводниковых структурах AIIIB V методом диффузии цинка с использованием Zn3P2
1ИФП СО РАН, Новосибирск, Россия;
2АО «НИИПП», Томск, Россия.
1.13
Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, В.А. Швец
Новые подходы в эллипсометрии материалов и структур фотоники
ИФП СО РАН, Новосибирск, Россия
1.14
К.К. Сабельфельд, Е.Г.Каблукова
Зарождение, коаллесценция и рост нановискеров GaN: cтохастическое моделирование
Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН, Новосибирск, Россия
1.15
К.К. Сабельфельд, А.Е. Киреева
Стохастическое моделирование диффузии- дрейфа экситонов для расчета интенсивности катодолюминесценции для анализа дислокаций
Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН, Новосибирск, Россия
1.16
Е.В. Богданов, Н.Я. Минина
Влияние одноосных деформаций и температуры на параметры излучения лазерных диодов на основе структур p-AlGaAs/GaAsP/n- AlGaAs
Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1.17
В.С. Варавин1, В.С. Евстигнеев2,3, В.Г. Ремесник1, А.Н. Моисеев2,3, А.В. Чилясов3, Б.С. Степанов3
Электрофизические параметры нелегированных и легированных мышьяком MOCVD слоев Cd0,4Hg0,6Te p-типа проводимости
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия;
3Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия.
1.18
А.Г. Журавлев1,2, А.С. Кожухов1, В.Л. Альперович1,2
Морфология и фотоэмиссионные свойства границ раздела Cs/GaAs и GaAs(Cs,O)
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2 Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия.
1.19
А.Н. Акимов1, А.Э. Климов1,2, Д.В. Ищенко1, Н.С. Пащин1, В.Н. Шерстякова1
Неустойчивости фототока в p-i-p структурах на основе плёнок PbSnTe:In/BaF2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия.
1.20
В.Я. Костюченко1, Д.Ю. Протасов1,2, Н.Н. Михайлов2, С.А. Дворецкий2
Влияние варизонных приповерхностных областей на фотопроводимость в скрещенных электрическом и магнитном полях
1Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия;
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия.
1.21
Г.М. Борисов1,2, В.Г. Гольдорт1, А.А. Ковалёв1, Д.В. Ледовских1, Н.Н. Рубцова1
Кинетика отражения полупроводникового быстродействующего зеркала
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия.
1.22
D.E. Milovzorov
Quantum beats phenomena in silicon films with nanocrystal orientation (111) for electromagnetic fields detection
Fluens Technology Group Ltd., Moscow, Russia.
1.23
С.В. Никифоров, В.С. Кортов, А.Н. Киряков, А.А. Меньшенина
Влияние высокотемпературной обработки на люминесцентные свойства моноклинного диоксида циркония
Уральский федеральный университет, Екатеринбург, Россия.
1.24
А.Н. Акимов1, А.Э. Климов1,2, В.А. Лунегов2, В.С. Эпов1
Фотопроводимость пленок PbSnTe:In в режиме термостимулированного тока
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1.25
Е.Р. Закиров1, В.Г. Кеслер1, Г.Ю. Сидоров1, И.П. Просвирин2
Изучение гетерограницы Al2O3/КРТ, формируемой атомно-слоевым осаждением, методом РФЭС.
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия.
1.26
В.Г. Ремесник1, Н.Н. Михайлов1,2, С.А. Дворецкий1,3
Оптические и фотоэлектрические свойства квантовых ям на основе твердых растворов CdxHg 1-xTe
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия;
3Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия.
1.27
В.А. Стучинский, А.В. Вишняков, А.В. Зверев
Сравнение данных моделирования методом Монте-Карло с результатами квази-двумерного анализа процесса диффузии носителей заряда в локально освещенных диодных матричных фотоприёмниках
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
1.28
В.А. Тимофеев1, А.И. Никифоров1, А.Р. Туктамышев1, В.И. Машанов1, А.А. Блошкин1, А.К. Гутаковский1, Н.А. Байдакова2
Многослойные напряженные структуры с псевдоморфными слоями и островками GeSiSn
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Институт физики микроструктур РАН, д. Афонино, Нижегородская обл., Россия.
1.29
В.В. Васильев, А.В. Вишняков, С.А. Дворецкий, А.В. Предеин, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, В.А. Стучинский
Влияние сильнопроводящего anti-debiasing-слоя на фотоответ дефектных и недефектных элементов матрицы в фотовольтаических детекторах на основе КРТ
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
1.30
А.К. Бакаров1, К.С. Журавлев1, А.И. Торопов1, Н.А. Валишева1, А.П. Ковчавцев1, К.О. Болтарь2, А.А. Лопухин2, Д.М. Гапонова3, А.М. Кадыков3
Оптимизация уровня легирования слоев n-InSb для ИК фотоприемников
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2АО «НПО «Орион», Москва, Россия;
3Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия.
1.31
А.В. Войцеховский1, С.Н. Несмелов1, С.М. Дзядух1, В.С. Варавин2, С.А. Дворецкий2, Н.Н. Михайлов2, М.В. Якушев2, Ю.Г. Сидоров2, Г.Ю. Сидоров2
Диагностика электрофизических параметров структур металл-диэлектрик- полупроводник на основе варизонного МЛЭ HgCdTe для пассивации поверхности инфракрасных детекторов
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия;
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия.
1.32
А.В. Войцеховский1, Д.И. Горн1, С.Н. Несмелов1, С.М. Дзядух1, С.А. Дворецкий2, Н.Н. Михайлов2, Г.Ю. Сидоров2, М.В. Якушев2
Исследование барьерных структур на основе КРТ для создания фотодиодных приемников ИК-диапазона
1Томский государственный университет, Томск, Россия;
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия.
1.33
И.А. Азаров, Д.В. Марин, В.А. Швец, М.В. Якушев
О возможностях контроля температуры CdTe в методе МЛЭ с помощью эллипсометра
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия.
1.34
С.М. Отажонов, Н.Э. Алимов, К.А. Ботиров
Особенности физических свойств модифицированной поверхности пленочной структуры p – CdTe–ZnSe c глубокими примесными уровнями
Ферганский государственный университет, Фергана, Узбекистан
1.35
Д.Ю. Протасов1,2, К.С. Журавлев1,3
Зависимости энергии межподзонного перехода и ширины полосы поглощении от уровня легирования в модуляционно- легированных структурах AlGaAs/GaAs
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия;
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия.
1.36
А.Г. Викулов1, С.В. Гамзинов1, И.И.Гольдберг1, А.В. Долгих1, М.В. Тайкин1, А.В. Мазалов2, Д.Р. Сабитов2, В.А. Курешов2, А.А. Падалица2, В.В. Бакин3, С.Н. Косолобов3, С.А. Рожков3,4, Г.Э. Шайблер3,4, А.С. Терехов3
Солнечно – слепой детектор одиночных фотонов с ОЭС – фотокатодом
1ООО «Катод», Новосибирск, Россия;
2АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха», Москва, Россия;
3ИФП СО РАН, Новосибирск, Россия;
4Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия.
1.37
Г.Э. Шайблер1,2, В.В. Бакин1, С.Н. Косолобов1, С.А. Рожков1,2, А.С. Терехов1
Металлический (Cs,O)-слой на поверхностях ОЭС-фотокатодов
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия.
1.38
П.Д. Гиндин, А.С. Ильин, В.В. Карпов, М.Е. Козырев, Н.С. Кузнецов
Система криостатирования крупноформатных матричных ФПУ
ОАО «Швабе- Фотосистемы», Москва, Россия
1.39
П.Д. Гиндин1, В.В. Карпов1, Н.С. Кузнецов1, М.Е. Козырев1, П.А. Мищерин1, В.Ф. Чишко1, А.А. Лопухин2
Динамика фотоэлектрических характеристик матричного фотоприемного устройства формата 64х64 элементов при захолаживании
1ОАО «Швабе-Фотосистемы», Москва, Россия;
2АО «НПО «Орион», Москва, Россия
1.40
В.В. Карпов, Н.С. Кузнецов, А.В. Марущенко, А.С. Швыдкова
Корпуса микроболометрических ФПУ под форматы 160×120, 320×240 и 640×480 элементов
ОАО «Швабе-Фотосистемы», Москва, Россия
1.41
Н.Д. Исмайлов1, Н.Х. Талипов2
ИК-фотоприемники на основе р-CdхHg1-хTe с улучшенными параметрами фоточувствительности
1Институт Физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан;
2Военная академия РВСН им. Петра Великого, Балашиха, Россия.
1.42
Д.А. Пашкеев, А.Д. Шабрин, А.Е. Гончаров, А.В. Ляликов, Л.В. Киселева
Анализ влияния обработки монокристаллов InSb на кристаллическое совершенство поверхности методом рентгеновской дифрактометрии
ГНЦ РФ АО «НПО «Орион», Москва, Россия
1.43
Б.Н. Дражников1, К.В. Козлов1,2, А.И. Патрашин1, В.А. Стрельцов1
Математическая модель крупноформатного инфракрасного фотоприемного устройства с режимом временной задержки и накопления
1ГНЦ РФ АО «НПО «Орион», Москва, Россия;
2МФТИ (ГУ), МО, Долгопрудный, Россия.
1.44
А.В. Никонов1,2, К.О. Болтарь1,2, И.Д. Бурлаков1,3, Н.И. Яковлева1
Исследование характеристик спектральной чувствительности фотодиодов в ИК-диапазоне
1ГНЦ РФ АО «НПО «Орион», Москва, Россия;
2МФТИ (ГУ), МО, Долгопрудный, Россия;
3МТУ (МИРЭА), Москва, Россия.
1.45
В.Г. Половинкин1,2, В.А. Стучинский1, А.В. Вишняков1, И.И. Ли1
Моделирование пространственного распределения квантовой эффективности в ФПУ на основе эпитаксиальных слоёв КРТ
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия.
1.46
И.Б. Чистохин1, М.С. Аксенов1, Н.А. Валишева1, Д.В. Дмитриев1, И.П. Просвирин2, К.С. Журавлев1, А.П. Ковчавцев1, А.К. Гутаковский1
Электрофизические и структурные свойства барьера Шоттки Au/Ti/n-InAlAs для СВЧ фотодиодов
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия.