1.1
|
К.Е . Аношин1, О.М. Алимов1, М.А. Гоник2, А.В. Наумов2
Получение
крупногабаритных германиевых окон с повышенной оптической однородностью на
установке «РЕДМЕТ-30»
1ООО «Инфракристалл», Лыткарино, Россия;
2Центр
материаловедения «Фотон», Александров, Россия.
|
1.2
|
Д.В. Дмитриев1, А.М. Гилинский1, А.И. Торопов1, А.П. Василенко1,
А.С. Кожухов1, Д.В. Щеглов1, К.С. Журавлёв1,2
Синтез гетероструктур
InAlAs/InGaAs на подложке (001)InP для СВЧ фотодиодов
1Институт физики
полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2НГУ,
Новосибирск, Россия
|
1.3
|
А.Н. Карпов1, К.А. Конфедератова1, Н.Л.Шварц1,2
Влияние барьеров Швебеля
на изменение морфологии слоя GaN при отжиге (Монте-Карло моделирование)
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения
РАН, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский государственный технический
университет, Новосибирск, Россия.
|
1.4
|
А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский, К.А. Лозовой.
Моделирование процессов
формирования квантовых точек в системе GeSn/Si
Томский государственный
университет, Томск, Россия
|
1.5
|
Г.К. Кривякин1, В.А. Володин1,2, Г.Н. Камаев1, Г.Д. Ивлев3
Влияние водорода на
порог плавления плёнок аморфного гидрогенизированного кремния
1Институт
физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН, Новосибирск,
Россия;
2Новосибирский
государственный
университет,
Новосибирск, Россия;
3Белорусский государственный университет, Минск,
Беларусь.
|
1.6
|
В.Н. Кручинин, Т.В. Перевалов, В.В. Атучин, В.А. Гриценко, С.В. Рыхлицкий
Оптические свойства пленок TiO2, полученных электронно-лучевым осаждением
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения
РАН, Новосибирск, Россия
|
1.7
|
В.Н. Кручинин, Е.В. Спесивцев, М.А. Аксенов, Р.К. Григорьев, Н.А. Валишева
Оптические свойства анодных оксидных слоев на AlxIn1-xAs
1Институт физики
полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН, Новосибирск,
Россия.
|
1.8
|
В.Н. Кручинин1, Е.В. Спесивцев1, Д.Д. Клямер2, Т.В. Басова2
Структурные и
оптические
особенности
пленок
незамещенных
и
фторзамещенных
фталоцианинов цинка (II)
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН, Новосибирск, Россия;
2Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения РАН, Новосибирск, Россия.
|
1.9
|
Р.В. Левин1,2, Л.В. Данилов1, В.Н. Неведамский1, Б.В. Пушный1,2
Квантоворазмерные гетероструктуры InAs/GaSb выращенные методом газофазной
эпитаксией из металлорганических соединений
1 Физико-технический институт
им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия;
2 НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-
Петербург, Россия.
|
1.10
|
D.E. Milovzorov
Silicon Crystalline Film Prepared by PECVD at Low Temperatures
Fluens Technology Group Ltd., Moscow 107497, Russia
|
1.11
|
К.Д. Мынбаев1,2, Н.Л. Баженов2, А.О. Тимошков2,3, Н.Н. Михайлов4,
М.В. Якушев4, В.С. Варавин4, С.А. Дворецкий4,5
Фотолюминесценция слоев Hg1-xCdxTe c x~0.5, выращенных методом МЛЭ
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Росия;
2ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия;
3 СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия;
4ИФП СО РАН им. А.В. Ржанова, Новосибирск, Россия;
5ТГУ, Томск, Россия.
|
1.12
|
М.О. Петрушков1, Е.А. Емельянов1, М.А. Путято1, Б.Р. Семягин1,
И.Б. Чистохин1, А.В. Васев1, С.М. Гущин2, Е.В. Скробов2, В.В. Преображенский1
Формирование p+-областей в полупроводниковых структурах AIIIB V методом
диффузии цинка с использованием Zn3P2
1ИФП СО РАН, Новосибирск, Россия;
2АО «НИИПП», Томск, Россия.
|
1.13
|
Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, В.А. Швец
Новые подходы в эллипсометрии
материалов и структур фотоники
ИФП СО РАН, Новосибирск, Россия
|
1.14
|
К.К. Сабельфельд, Е.Г.Каблукова
Зарождение, коаллесценция и рост
нановискеров GaN: cтохастическое моделирование
Институт вычислительной
математики и математической геофизики СО РАН, Новосибирск, Россия
|
1.15
|
К.К. Сабельфельд, А.Е. Киреева
Стохастическое моделирование диффузии-
дрейфа экситонов для расчета интенсивности катодолюминесценции для анализа
дислокаций
Институт вычислительной математики и математической
геофизики СО РАН, Новосибирск, Россия
|
1.16
|
Е.В. Богданов, Н.Я. Минина
Влияние одноосных деформаций и температуры на
параметры излучения лазерных диодов на основе структур p-AlGaAs/GaAsP/n-
AlGaAs
Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
|
1.17
|
В.С. Варавин1, В.С. Евстигнеев2,3, В.Г. Ремесник1, А.Н. Моисеев2,3, А.В.
Чилясов3, Б.С. Степанов3
Электрофизические параметры нелегированных и
легированных мышьяком MOCVD слоев Cd0,4Hg0,6Te p-типа проводимости
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск,
Россия;
2ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия;
3Институт
химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия.
|
1.18
|
А.Г. Журавлев1,2, А.С. Кожухов1, В.Л. Альперович1,2
Морфология и
фотоэмиссионные свойства границ раздела Cs/GaAs и GaAs(Cs,O)
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия.
|
1.19
|
А.Н. Акимов1, А.Э. Климов1,2, Д.В. Ищенко1, Н.С. Пащин1, В.Н. Шерстякова1
Неустойчивости фототока в p-i-p структурах на основе плёнок PbSnTe:In/BaF2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский
государственный
технический
университет,
Новосибирск, Россия.
|
1.20
|
В.Я. Костюченко1, Д.Ю. Протасов1,2, Н.Н. Михайлов2, С.А. Дворецкий2
Влияние
варизонных приповерхностных областей на фотопроводимость в скрещенных
электрическом
и
магнитном
полях
1Новосибирский
государственный
технический университет, Новосибирск, Россия;
2Институт физики
полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия.
|
1.21
|
Г.М. Борисов1,2, В.Г. Гольдорт1, А.А. Ковалёв1, Д.В. Ледовских1, Н.Н. Рубцова1
Кинетика
отражения
полупроводникового
быстродействующего
зеркала
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск,
Россия;
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия.
|
1.22
|
D.E. Milovzorov
Quantum beats phenomena in silicon films with nanocrystal orientation
(111) for electromagnetic fields detection
Fluens Technology Group Ltd., Moscow,
Russia.
|
1.23
|
С.В. Никифоров, В.С. Кортов, А.Н. Киряков, А.А. Меньшенина
Влияние
высокотемпературной обработки на люминесцентные свойства моноклинного
диоксида циркония
Уральский федеральный университет, Екатеринбург,
Россия.
|
1.24
|
А.Н. Акимов1, А.Э. Климов1,2, В.А. Лунегов2, В.С. Эпов1
Фотопроводимость
пленок PbSnTe:In в режиме термостимулированного тока
1Институт физики
полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский
государственный университет, Новосибирск, Россия
|
1.25
|
Е.Р. Закиров1, В.Г. Кеслер1, Г.Ю. Сидоров1, И.П. Просвирин2
Изучение
гетерограницы Al2O3/КРТ, формируемой атомно-слоевым осаждением, методом
РФЭС.
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,
Новосибирск, Россия;
2Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН,
Новосибирск, Россия.
|
1.26
|
В.Г. Ремесник1, Н.Н. Михайлов1,2, С.А. Дворецкий1,3
Оптические и
фотоэлектрические свойства квантовых ям на основе твердых растворов CdxHg 1-xTe
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск,
Россия;
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия;
3Национальный исследовательский Томский государственный университет,
Томск, Россия.
|
1.27
|
В.А. Стучинский, А.В. Вишняков, А.В. Зверев
Сравнение данных моделирования
методом Монте-Карло с результатами квази-двумерного анализа процесса
диффузии носителей заряда в локально освещенных диодных матричных
фотоприёмниках
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск,
Россия
|
1.28
|
В.А. Тимофеев1, А.И. Никифоров1, А.Р. Туктамышев1, В.И. Машанов1, А.А.
Блошкин1, А.К. Гутаковский1, Н.А. Байдакова2
Многослойные напряженные
структуры с псевдоморфными слоями и островками GeSiSn
1Институт физики
полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Институт
физики микроструктур РАН, д. Афонино, Нижегородская обл., Россия.
|
1.29
|
В.В. Васильев, А.В. Вишняков, С.А. Дворецкий, А.В. Предеин, И.В. Сабинина, Ю.Г.
Сидоров, В.А. Стучинский
Влияние сильнопроводящего anti-debiasing-слоя на
фотоответ дефектных и недефектных элементов матрицы в фотовольтаических
детекторах на основе КРТ
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова
СО РАН, Новосибирск, Россия
|
1.30
|
А.К. Бакаров1, К.С. Журавлев1, А.И. Торопов1, Н.А. Валишева1, А.П. Ковчавцев1, К.О. Болтарь2, А.А. Лопухин2, Д.М. Гапонова3, А.М. Кадыков3
Оптимизация
уровня легирования слоев n-InSb для ИК фотоприемников
1Институт физики
полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2АО «НПО
«Орион», Москва, Россия;
3Институт физики микроструктур РАН, Нижний
Новгород, Россия.
|
1.31
|
А.В. Войцеховский1, С.Н. Несмелов1, С.М. Дзядух1, В.С. Варавин2, С.А.
Дворецкий2, Н.Н. Михайлов2, М.В. Якушев2, Ю.Г. Сидоров2, Г.Ю. Сидоров2
Диагностика электрофизических параметров структур металл-диэлектрик-
полупроводник на основе варизонного МЛЭ HgCdTe для пассивации поверхности
инфракрасных
детекторов
1Национальный
исследовательский
Томский
государственный
университет,
Томск,
Россия;
2Институт
физики
полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия.
|
1.32
|
А.В. Войцеховский1, Д.И. Горн1, С.Н. Несмелов1, С.М. Дзядух1, С.А. Дворецкий2,
Н.Н. Михайлов2, Г.Ю. Сидоров2, М.В. Якушев2
Исследование барьерных структур
на основе КРТ для создания фотодиодных приемников ИК-диапазона
1Томский
государственный
университет,
Томск,
Россия;
2Институт
физики
полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия.
|
1.33
|
И.А. Азаров, Д.В. Марин, В.А. Швец, М.В. Якушев
О возможностях контроля
температуры CdTe в методе МЛЭ с помощью эллипсометра
Институт физики
полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия.
|
1.34
|
С.М. Отажонов, Н.Э. Алимов, К.А. Ботиров
Особенности физических свойств
модифицированной поверхности пленочной структуры p – CdTe–ZnSe c глубокими
примесными уровнями
Ферганский государственный университет, Фергана,
Узбекистан
|
1.35
|
Д.Ю. Протасов1,2, К.С. Журавлев1,3
Зависимости энергии межподзонного
перехода и ширины полосы поглощении от уровня легирования в модуляционно-
легированных структурах AlGaAs/GaAs
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский государственный
технический
университет,
Новосибирск,
Россия;
3Новосибирский
государственный университет, Новосибирск, Россия.
|
1.36
|
А.Г. Викулов1, С.В. Гамзинов1, И.И.Гольдберг1, А.В. Долгих1, М.В. Тайкин1, А.В. Мазалов2, Д.Р. Сабитов2, В.А. Курешов2, А.А. Падалица2, В.В. Бакин3,
С.Н. Косолобов3, С.А. Рожков3,4, Г.Э. Шайблер3,4, А.С. Терехов3
Солнечно –
слепой детектор одиночных фотонов с ОЭС – фотокатодом
1ООО «Катод»,
Новосибирск, Россия;
2АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха», Москва, Россия;
3ИФП СО РАН, Новосибирск, Россия;
4Новосибирский государственный
университет, Новосибирск, Россия.
|
1.37
|
Г.Э. Шайблер1,2, В.В. Бакин1, С.Н. Косолобов1, С.А. Рожков1,2, А.С. Терехов1
Металлический (Cs,O)-слой на поверхностях ОЭС-фотокатодов
1Институт
физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия.
|
1.38
|
П.Д. Гиндин, А.С. Ильин, В.В. Карпов, М.Е. Козырев, Н.С. Кузнецов
Система
криостатирования
крупноформатных
матричных
ФПУ
ОАО
«Швабе-
Фотосистемы», Москва, Россия
|
1.39
|
П.Д. Гиндин1, В.В. Карпов1, Н.С. Кузнецов1, М.Е. Козырев1, П.А. Мищерин1,
В.Ф. Чишко1, А.А. Лопухин2
Динамика фотоэлектрических характеристик
матричного фотоприемного устройства формата 64х64 элементов при
захолаживании
1ОАО «Швабе-Фотосистемы», Москва, Россия;
2АО «НПО
«Орион», Москва, Россия
|
1.40
|
В.В. Карпов, Н.С. Кузнецов, А.В. Марущенко, А.С. Швыдкова
Корпуса
микроболометрических
ФПУ
под
форматы
160×120,
320×240
и 640×480 элементов
ОАО «Швабе-Фотосистемы», Москва, Россия
|
1.41
|
Н.Д. Исмайлов1, Н.Х. Талипов2
ИК-фотоприемники на основе р-CdхHg1-хTe с
улучшенными параметрами фоточувствительности
1Институт Физики НАН
Азербайджана, Баку, Азербайджан;
2Военная академия РВСН им. Петра
Великого, Балашиха, Россия.
|
1.42
|
Д.А. Пашкеев, А.Д. Шабрин, А.Е. Гончаров, А.В. Ляликов, Л.В. Киселева
Анализ
влияния обработки монокристаллов InSb на кристаллическое совершенство
поверхности методом рентгеновской дифрактометрии
ГНЦ РФ АО «НПО «Орион»,
Москва, Россия
|
1.43
|
Б.Н. Дражников1, К.В. Козлов1,2, А.И. Патрашин1, В.А. Стрельцов1
Математическая модель крупноформатного инфракрасного фотоприемного
устройства с режимом временной задержки и накопления
1ГНЦ РФ АО «НПО
«Орион», Москва, Россия;
2МФТИ (ГУ), МО, Долгопрудный, Россия.
|
1.44
|
А.В. Никонов1,2, К.О. Болтарь1,2, И.Д. Бурлаков1,3, Н.И. Яковлева1
Исследование
характеристик спектральной чувствительности фотодиодов в ИК-диапазоне
1ГНЦ
РФ АО «НПО «Орион», Москва, Россия;
2МФТИ (ГУ), МО, Долгопрудный, Россия;
3МТУ (МИРЭА), Москва, Россия.
|
1.45
|
В.Г. Половинкин1,2, В.А. Стучинский1, А.В. Вишняков1, И.И. Ли1
Моделирование пространственного распределения квантовой эффективности в
ФПУ на основе эпитаксиальных слоёв КРТ
1Институт физики полупроводников
им.
А.В.
Ржанова СО
РАН, Новосибирск,
Россия;
2Новосибирский
государственный технический университет, Новосибирск, Россия.
|
1.46
|
И.Б. Чистохин1, М.С. Аксенов1, Н.А. Валишева1, Д.В. Дмитриев1, И.П.
Просвирин2,
К.С.
Журавлев1,
А.П.
Ковчавцев1,
А.К.
Гутаковский1
Электрофизические и структурные свойства барьера Шоттки Au/Ti/n-InAlAs для
СВЧ фотодиодов
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,
Новосибирск, Россия;
2Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН,
Новосибирск, Россия.
|
|