Вернуться к расписанию
Стендовая секция
Дата:Четверг, 14 сентября
Время:17:30 - 18:30
Место:Конференц-зал пансионата «Сосновка»
2.1
Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, Г.А. Новиков, Н.М. Лядов, В.А. Шустов, В.И. Нуждин
Особенности люминесценции полупроводниковых кристаллов и стекол с ионами эрбия, подвергнутых импульсным обработкам
Казанский физико- технический институт КазНЦ РАН, Казань, Россия
2.2
В.В. Малютина-Бронская1, В.Б. Залесский1, А.А. Ходин1, О.В. Ермаков1, В.С. Калиновский2, Е.В. Контрош2, В.М.Андреев2, Е.И. Теруков2
Гибридный солнечный элемент на основе соединений А3В5 и кремния
1Государственное научно-производственное объединение «Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника», Минск, Беларусь;
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия.
2.3
М.А. Путято1, Н.А. Валишева1, М.О. Петрушков1, В.В. Преображенский1, И.Б. Чистохин1, Б.Р. Семягин1, Е.А. Емельянов1, А.В. Васев1, А.Ф.Скачков2, Г.И. Юрко2, И.И. Нестеренко2, С.В. Янчур3
Проблемы создания гибких двухкаскадных фотоэлектрических преобразователей на основе гетероструктур InGaP/GaAs
1ИФП СО РАН, Новосибирск, Россия;
2ПАО «Сатурн», Краснодар, Россия;
3ГНЦ ФГУП «Центр Келдыша», Москва, Россия.
2.4
Д.Е. Уткин1, А.А. Шкляев1,2, А.В. Латышев1,2
Формирование двумерных фотонных кристаллов на основе слоев Si
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия.
2.5
Д.С. Абрамкин1,2, М.О. Петрушков1, Е.А. Емельянов1, М.А. Путято1, Б.Р. Семягин1, В.В. Преображенский1, А.П. Василенко1, А.К. Гутаковский1,2, Т.С. Шамирзаев1,2
Эпитаксиальные слои GaAs/Si как база для интеграции A3B5 гетероструктур в кремниевую технологию
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия.
2.6
И.А Азаров1,3, Ю.Ю. Чопорова2,3, Б.А. Князев2,3, В.А. Швец1,3
Устройства управления поляризацией электромагнитного излучения в терагерцовом диапазоне частот
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН, Новосибирск, Россия;
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия.
2.7
С.В. Анищик1, К.Л. Иванов2, В.Г. Винс3
Спектроскопия антипересечения уровней NV центров в алмазе
1Институт химической кинетики и горения СО РАН им. В.В. Воеводского, Новосибирск, Россия;
2Международный томографический центр СО РАН, Новосибирск, Россия;
3VinsDiam Ltd., Новосибирск, Россия.
2.8
О.Ю. Волков, А.В. Снежко, В.В. Павловский, В.И. Покалякин
Джозефсоновская спектроскопия для характеризации электродинамических структур терагерцовой фотоники
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия.
2.9
А.Ю. Игуменов1, А.С. Паршин1, К.Н. Зайкова1, Ю.Л. Михлин2, О.П. Пчеляков1,3, В.С. Жигалов4
Разложение дифференциальных спектров сечения неупругого рассеяния электронов Si и силицида FeSi2 на элементарные составляющие
1СибГАУ им. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия;
2ИХХТ СО РАН, Красноярск, Россия;
3ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
4ИФ им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск, Россия.
2.10
А.Г. Итальянцев1, М.Ю.Барабаненков1,2, М.Э. Макаров1, А.А. Сапегин1,3, А.А. Марахин1,3, Р.Т. Миннуллин1,3, А.И. Ильин2, А.Н. Грузинцев2, В.Т. Волков2
Моделирование элементов интегрированных структур радиофотоники
1ПАО НИИМЭ, Москва, Зеленоград, Россия;
2ИПТМ РАН, Черноголовка, Россия;
3МФТИ, Долгопрудный, Россия.
2.11
Е.А. Колосовский1, А.В. Царев1,2
Аномальное заграждение волноводной моды в кремниевом оптическом волноводе с периодическими туннельными вставками
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия.
2.12
Е.А. Колосовский1, Р.М. Тазиев1, А.В. Царев1,2
Улучшение параметров полимерных электрооптических модуляторов за счет применения диэлектрических полосок с высокой диэлектрической проницаемостью
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия.
2.13
А.А. Лямкина, Л.С. Басалаева, С.П. Мощенко
Плазмонные антенны и волноводы на основе ямок селективного травления в кремнии и арсениде галлия
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
2.14
А.М. Гилинский, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, К.С. Журавлев
Люминесценция слоев InAlAs для приборных применений
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
2.15
В.Г. Шенгуров1, С.А. Денисов1, В.Ю. Чалков1, М.В. Степихова2, А.П. Деточенко1, А.А. Ежевский1, Е.Е. Бардина1, А.В. Нежданов1, В.А. Гавва3, А.Д. Буланов3
Люминесцентные свойства моноизотопных 28Si и 28Si1-x74Gex, легированных эрбием
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия;
2Институт физики микроструктур РАН, Нижегородская обл., Кстовский район, д. Афонино, Россия;
3Институт химии высокочистых веществ им Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия.
2.16
Р.И. Баталов1, Р.М. Баязитов1, И.А. Файзрахманов1, Н.М. Лядов1, В.А. Володин2,3, Г.К. Кривякин2, Г.Д. Ивлев4
Структура и оптические свойства наночастиц Ge, полученных на поверхности оксидных подложек импульсным лазерным воздействием
1Казанский физико-технический институт КазНЦ РАН, Казань, Россия;
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия;
4Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь.
2.17
К.В. Феклистов, Д.С. Абрамкин
Фото- и электролюминесценция эрбия в Ta2O5
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
2.18
Н.Н. Михайлов1,2, С.А. Дворецкий1,3, Д.Г. Икусов1, В.Г. Ремесник1, В.А. Швец1,2, И.Н. Ужаков1, С.В. Морозов4, В.И. Гавриленко4
МЛЭ рост и характеризация лазерных структур с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe для длинноволновой области спектра
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия;
3Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия;
4Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия.
2.19
И.В. Осинных1, Т.В. Малин1, К.С. Журавлев1, П.А. Бохан1, Д.Э. Закревский1, Н.В. Фатеев1, Б.Я. Бер2, Д.Ю. Казанцев2
Природа широкополосной люминесценции и усиление излучения в сильнолегированных слоях AlGaN:Si
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия.
2.20
С.Л. Микерин1, А.Э. Симанчук1, А.И. Плеханов1, А.В. Якиманский2
Нелинейно- оптические свойства второго порядка хромофоров группы Disperse Red и их применение для генерации терагерцового излучения.
1Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Институт высокомолекулярных соединений РАН, Санкт-Петербург, Россия.
2.21
М.А. Демьяненко1, А.Р. Новоселов2, А.И. Козлов1, Д.Г. Есаев1, В.Н. Овсюк1
Мозаичный принцип создания неохлаждаемых микроболометрических приемников сверхвысокой размерности
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники” (КТИ ПМ), Новосибирск, Россия.
2.22
Д.В. Бородин1,2, Ю.В. Осипов1,2, В.В. Васильев1
КМОП ВЗН мультиплексор 6×576 для гибридных ИК ФПУ
1ООО "РТК Инпекс", Мытищи, Россия;
2АО "НПП Пульсар", Москва, Россия.
2.23
Д.В. Бородин1,2, Ю.В. Осипов1,2, В.В. Васильев1
Матричный КМОП фотоприемник с ячейкой размером 5,5×5,5 мкм2
1ООО "РТК Инпекс", Мытищи, Россия;
2АО "НПП Пульсар", Москва, Россия.
2.24
П.П. Добровольский, К.П. Шатунов, П.А. Алдохин
Разработка микроскопа, применяемого в стенде для контроля качества оптических систем, работающих в спектральном диапазоне 8-12 мкм
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско- технологический институт прикладной микроэлектроники” (КТИ ПМ), Новосибирск, Россия.
2.25
П.П. Добровольский, С.В. Хрящов, Г.И. Косолапов
Исследование теплофизических характеристик газонаполненного криостата с быстродействующим микроохладителем
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско- технологический институт прикладной микроэлектроники” (КТИ ПМ), Новосибирск, Россия.
2.26
М.А. Демьяненко, А.И. Козлов, В.Н. Овсюк
Аналого-цифровые кремниевые мультиплексоры сигналов фотоприемников инфракрасного диапазона
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия.
2.27
А.Р. Новоселов1, М.А. Демьяненко2, И.В. Марчишин2, А.В. Гусаченко1, А.О. Морозов1, И.В. Рогова1, Б.Н. Новгородов1, А.И. Артёмов1, В.Н. Федоринин1
Отечественный болометрический термовизор для промышленного применения
1Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники”, Новосибирск, Россия;
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия.
2.28
С.М. Борзов1, Б.Н. Дражников2, В.И. Козик1, О.И. Потатуркин1,3, В.В. Синельщиков4
Оценка характеристик и коррекция данных крупноформатных тепловизионных фотоприемников
1Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск, Россия;
2АО «НПО «Орион», Москва, Россия;
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия;
4ОАО «Корпорация «Комета»», Москва, Россия.
2.29
А.Г. Паулиш, А.Л. Филимонов
Термомеханический привод для термокомпенсации объектива
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники”, Новосибирск, Россия
2.30
Д.В. Алантьев, А.А. Голицын, А.В. Голицын, А.Г. Паулиш, С.Д. Чибурун
Система активно-импульсного видения для сложных условий наблюдения
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники”, Новосибирск, Россия
2.31
А.В. Гусаченко, А.О. Морозов, А.Г. Паулиш, И.В. Рогова
Исследование возможности использования СВЧ модуля с частотной модуляцией в комплексном устройстве обнаружения скрытых объектов
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники”, Новосибирск, Россия
2.32
И.И. Кремис, Д.А. Толмачев, Р.А. Гладков
Фильтрация остаточной неоднородности и дефектов изображения в тепловизорах третьего поколения с использованием микросканирования
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники”, Новосибирск, Россия
2.33
И.И. Кремис, Д.А. Толмачев
Минимизация остаточной неоднородности изображения в тепловизорах второго поколения на основе фильтрации пространственных частот
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники”, Новосибирск, Россия
2.34
И.И. Кремис, В.А. Моисеев, К.П. Шатунов, Е.О. Ульянова, Р.А. Гладков, А.А. Горшков
Системы микросканирования для тепловизоров третьего поколения
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники”, Новосибирск, Россия
2.35
И.И. Кремис, B.C. Калинин, В.Н. Федоринин, Ю.М. Корсаков, К.П. Шатунов
Сканирующий тепловизионный прибор на базе отечественного фотоприемного устройства
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники”, Новосибирск, Россия
2.36
А.В. Голицын
О возможности коррекции хроматических аберраций объектива на пяти длинах волн с помощью жидкостных оптических компонентов
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники”, Новосибирск, Россия
2.37
А.А. Голицын, Н.А. Сейфи
Стенд для исследования возможности использования ПЗС-фотоприемников в составе активно-импульсных приборов наблюдения
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники”, Новосибирск, Россия
2.38
Г.Е. Журов, М.Ю. Цивинский, К.Р. Яминов
Применение системы на кристалле (СнК) для реализации сложных систем автофокусировки в комплексных оптико- электронных приборах
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники”, Новосибирск, Россия
2.39
В.А. Пилипович, В.Б. Залесский, А.И. Конойко, В.М. Кравченко, К.А. Рещиков
Термооптический преобразователь на базе матрицы микрорезонаторов Фабри- Перо
ГНПО «Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника», Минск, Беларусь
2.40
Э.Г. Косцов, А.И. Скурлатов, А.М. Щербаченко
Прецизионная оптико-электронная система определения параметров элементов MEMS- дифракционной решетки
Институт автоматики и электрометрии, Новосибирск, Россия
2.41
М.А. Демьяненко
Широкополосные приемники терагерцового излучения на основе болометров инвертированного типа с тонким металлическим поглотителем
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
2.42
А.О. Лебедев, В.Н. Федоринин
Алгоритмы обработки тепловизионного изображения для автоматического выделение объекта наблюдения
Филиал ИФП СО РАН «КТИПМ», Новосибирск, Россия
2.43
Д.В. Осипов, И.И. Кремис, В.С. Калинин.
Метод коррекции дефектных каналов в линейчатых тепловизорах в автоматическом режиме
Филиал ИФП СО РАН «КТИПМ», Новосибирск, Россия
2.44
К.О. Болтарь1,2, Н.А. Иродов1, М.В. Седнев1, Н.И. Яковлева1
Матрица фотодиодов формата 640х512 на основе nBp структур с поглощающим слоем In0,53Ga0,47As
1ГНЦ РФ АО «НПО «Орион», Москва, Россия;
2МФТИ (ГУ), МО, Долгопрудный, Россия.
2.45
А.В. Предеин, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, В.Д. Кузьмин, Д.В. Марин, И.В. Марчишин, Н.Н. Михайлов, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, Г.Ю. Сидоров, М.В. Якушев, В.Г. Ремесник
Сравнение параметров матричных ФЧЭ на основе слоев КРТ, выращенных на подложках арсенида галлия и кремния
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
2.46
А.В. Полесский1,2, Н.А. Соломонова1, Н.А. Семенченко1
Исследование точности определения параметров спектральной характеристики ИК и УФ ФПУ
1ГНЦ РФ АО «НПО «Орион», Москва, Россия;
2МТУ (МИРЭА), Москва, Россия.
2.47
А.Д. Юдовская1, А.В. Полесский1,2
Установка контроля пятна рассеяния ИК объективов на основе матричного фотоприемного устройства
1ГНЦ РФ АО «НПО «Орион», Москва, Россия;
2МТУ (МИРЭА), Москва, Россия.