2.1
|
Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, Г.А. Новиков, Н.М. Лядов, В.А. Шустов,
В.И. Нуждин
Особенности люминесценции полупроводниковых кристаллов и
стекол с ионами эрбия, подвергнутых импульсным обработкам
Казанский физико-
технический институт КазНЦ РАН, Казань, Россия
|
2.2
|
В.В. Малютина-Бронская1, В.Б. Залесский1, А.А. Ходин1, О.В. Ермаков1,
В.С. Калиновский2, Е.В. Контрош2, В.М.Андреев2, Е.И. Теруков2
Гибридный
солнечный элемент на основе соединений А3В5 и кремния
1Государственное
научно-производственное объединение «Оптика, оптоэлектроника и лазерная
техника», Минск, Беларусь;
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе,
Санкт-Петербург, Россия.
|
2.3
|
М.А. Путято1, Н.А. Валишева1, М.О. Петрушков1, В.В. Преображенский1,
И.Б. Чистохин1, Б.Р. Семягин1, Е.А. Емельянов1, А.В. Васев1, А.Ф.Скачков2,
Г.И. Юрко2, И.И. Нестеренко2, С.В. Янчур3
Проблемы создания гибких
двухкаскадных фотоэлектрических преобразователей на основе гетероструктур
InGaP/GaAs
1ИФП СО РАН, Новосибирск, Россия;
2ПАО «Сатурн», Краснодар,
Россия;
3ГНЦ ФГУП «Центр Келдыша», Москва, Россия.
|
2.4
|
Д.Е. Уткин1, А.А. Шкляев1,2, А.В. Латышев1,2
Формирование двумерных
фотонных кристаллов на основе слоев Si
1Институт физики полупроводников
им.
А.В.
Ржанова СО
РАН, Новосибирск,
Россия;
2Новосибирский
государственный университет, Новосибирск, Россия.
|
2.5
|
Д.С. Абрамкин1,2, М.О. Петрушков1, Е.А. Емельянов1, М.А. Путято1,
Б.Р. Семягин1, В.В. Преображенский1, А.П. Василенко1, А.К. Гутаковский1,2,
Т.С. Шамирзаев1,2
Эпитаксиальные слои GaAs/Si как база для интеграции A3B5
гетероструктур в кремниевую технологию
1Институт физики полупроводников
им.
А.В.
Ржанова СО
РАН, Новосибирск,
Россия;
2Новосибирский
государственный университет, Новосибирск, Россия.
|
2.6
|
И.А Азаров1,3, Ю.Ю. Чопорова2,3, Б.А. Князев2,3, В.А. Швец1,3
Устройства
управления поляризацией электромагнитного излучения в терагерцовом
диапазоне частот
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО
РАН, Новосибирск, Россия;
2Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН,
Новосибирск,
Россия;
3Новосибирский
государственный
университет,
Новосибирск, Россия.
|
2.7
|
С.В. Анищик1, К.Л. Иванов2, В.Г. Винс3
Спектроскопия антипересечения уровней
NV центров в алмазе
1Институт химической кинетики и горения СО РАН им.
В.В. Воеводского, Новосибирск, Россия;
2Международный томографический
центр СО РАН, Новосибирск, Россия;
3VinsDiam Ltd., Новосибирск, Россия.
|
2.8
|
О.Ю. Волков, А.В. Снежко, В.В. Павловский, В.И. Покалякин
Джозефсоновская
спектроскопия для характеризации электродинамических структур терагерцовой
фотоники
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН,
Москва, Россия.
|
2.9
|
А.Ю. Игуменов1, А.С. Паршин1, К.Н. Зайкова1, Ю.Л. Михлин2, О.П. Пчеляков1,3,
В.С. Жигалов4
Разложение дифференциальных спектров сечения неупругого
рассеяния электронов Si и силицида FeSi2 на элементарные составляющие
1СибГАУ им. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия;
2ИХХТ СО РАН, Красноярск,
Россия;
3ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
4ИФ им. Л.В.
Киренского СО РАН, Красноярск, Россия.
|
2.10
|
А.Г. Итальянцев1, М.Ю.Барабаненков1,2, М.Э. Макаров1, А.А. Сапегин1,3,
А.А. Марахин1,3, Р.Т. Миннуллин1,3, А.И. Ильин2, А.Н. Грузинцев2, В.Т. Волков2
Моделирование элементов интегрированных структур радиофотоники
1ПАО
НИИМЭ, Москва, Зеленоград, Россия;
2ИПТМ РАН, Черноголовка, Россия;
3МФТИ,
Долгопрудный, Россия.
|
2.11
|
Е.А. Колосовский1, А.В. Царев1,2
Аномальное заграждение волноводной моды
в кремниевом оптическом волноводе с периодическими туннельными вставками
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск,
Россия;
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия.
|
2.12
|
Е.А. Колосовский1, Р.М. Тазиев1, А.В. Царев1,2
Улучшение параметров
полимерных электрооптических модуляторов за счет применения диэлектрических
полосок с высокой диэлектрической проницаемостью
1Институт физики
полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский
государственный университет, Новосибирск, Россия.
|
2.13
|
А.А. Лямкина, Л.С. Басалаева, С.П. Мощенко
Плазмонные антенны и волноводы
на основе ямок селективного травления в кремнии и арсениде галлия
Институт
физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
|
2.14
|
А.М. Гилинский, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, К.С. Журавлев
Люминесценция
слоев InAlAs для приборных применений
Институт физики полупроводников им.
А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
|
2.15
|
В.Г. Шенгуров1, С.А. Денисов1, В.Ю. Чалков1, М.В. Степихова2, А.П. Деточенко1,
А.А. Ежевский1, Е.Е. Бардина1, А.В. Нежданов1, В.А. Гавва3, А.Д. Буланов3
Люминесцентные свойства моноизотопных 28Si и 28Si1-x74Gex, легированных эрбием
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний
Новгород, Россия;
2Институт физики микроструктур РАН, Нижегородская обл.,
Кстовский район, д. Афонино, Россия;
3Институт химии высокочистых веществ
им Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия.
|
2.16
|
Р.И. Баталов1, Р.М. Баязитов1, И.А. Файзрахманов1, Н.М. Лядов1, В.А.
Володин2,3, Г.К. Кривякин2, Г.Д. Ивлев4
Структура и оптические свойства
наночастиц Ge, полученных на поверхности оксидных подложек импульсным
лазерным воздействием
1Казанский физико-технический институт КазНЦ РАН,
Казань, Россия;
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,
Новосибирск, Россия;
3Новосибирский государственный университет,
Новосибирск, Россия;
4Белорусский государственный университет, Минск,
Беларусь.
|
2.17
|
К.В. Феклистов, Д.С. Абрамкин
Фото- и электролюминесценция эрбия в Ta2O5
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск,
Россия
|
2.18
|
Н.Н. Михайлов1,2, С.А. Дворецкий1,3, Д.Г. Икусов1, В.Г. Ремесник1, В.А. Швец1,2,
И.Н. Ужаков1, С.В. Морозов4, В.И. Гавриленко4
МЛЭ рост и характеризация
лазерных структур с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe для длинноволновой
области спектра
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,
Новосибирск,
Россия;
2Новосибирский
государственный
университет,
Новосибирск,
Россия;
3Национальный
исследовательский
Томский
государственный
университет,
Томск,
Россия;
4Институт
физики
микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия.
|
2.19
|
И.В. Осинных1, Т.В. Малин1, К.С. Журавлев1, П.А. Бохан1, Д.Э. Закревский1,
Н.В. Фатеев1, Б.Я. Бер2, Д.Ю. Казанцев2
Природа широкополосной
люминесценции и усиление излучения в сильнолегированных слоях AlGaN:Si
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск,
Россия;
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург,
Россия.
|
2.20
|
С.Л. Микерин1, А.Э. Симанчук1, А.И. Плеханов1, А.В. Якиманский2
Нелинейно-
оптические свойства второго порядка хромофоров группы Disperse Red и их
применение для генерации терагерцового излучения.
1Институт автоматики и
электрометрии СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Институт высокомолекулярных
соединений РАН, Санкт-Петербург, Россия.
|
2.21
|
М.А. Демьяненко1, А.Р. Новоселов2, А.И. Козлов1, Д.Г. Есаев1, В.Н. Овсюк1
Мозаичный принцип создания неохлаждаемых микроболометрических приемников
сверхвысокой
размерности
1Институт
физики
полупроводников
им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
2Филиал ИФП СО РАН
“Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники”
(КТИ ПМ), Новосибирск, Россия.
|
2.22
|
Д.В. Бородин1,2, Ю.В. Осипов1,2, В.В. Васильев1
КМОП ВЗН мультиплексор 6×576
для гибридных ИК ФПУ
1ООО "РТК Инпекс", Мытищи, Россия;
2АО "НПП
Пульсар", Москва, Россия.
|
2.23
|
Д.В. Бородин1,2, Ю.В. Осипов1,2, В.В. Васильев1
Матричный КМОП фотоприемник
с ячейкой размером 5,5×5,5 мкм2
1ООО "РТК Инпекс", Мытищи, Россия;
2АО "НПП
Пульсар", Москва, Россия.
|
2.24
|
П.П. Добровольский, К.П. Шатунов, П.А. Алдохин
Разработка микроскопа,
применяемого в стенде для контроля качества оптических систем, работающих в
спектральном диапазоне 8-12 мкм
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-
технологический институт прикладной микроэлектроники” (КТИ ПМ),
Новосибирск, Россия.
|
2.25
|
П.П. Добровольский, С.В. Хрящов, Г.И. Косолапов
Исследование
теплофизических
характеристик
газонаполненного
криостата
с
быстродействующим микроохладителем
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-
технологический институт прикладной микроэлектроники” (КТИ ПМ),
Новосибирск, Россия.
|
2.26
|
М.А. Демьяненко, А.И. Козлов, В.Н. Овсюк
Аналого-цифровые кремниевые
мультиплексоры сигналов фотоприемников инфракрасного диапазона
Институт
физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия.
|
2.27
|
А.Р. Новоселов1, М.А. Демьяненко2, И.В. Марчишин2, А.В. Гусаченко1,
А.О. Морозов1, И.В. Рогова1, Б.Н. Новгородов1, А.И. Артёмов1, В.Н. Федоринин1
Отечественный болометрический термовизор для промышленного применения
1Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-технологический институт прикладной
микроэлектроники”, Новосибирск, Россия;
2Институт физики полупроводников
им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия.
|
2.28
|
С.М. Борзов1, Б.Н. Дражников2, В.И. Козик1, О.И. Потатуркин1,3,
В.В. Синельщиков4
Оценка характеристик и коррекция данных крупноформатных
тепловизионных фотоприемников
1Институт автоматики и электрометрии СО
РАН, Новосибирск, Россия;
2АО «НПО «Орион», Москва, Россия;
3Новосибирский
государственный университет, Новосибирск, Россия;
4ОАО «Корпорация
«Комета»», Москва, Россия.
|
2.29
|
А.Г. Паулиш, А.Л. Филимонов
Термомеханический привод для термокомпенсации
объектива
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-технологический институт
прикладной микроэлектроники”, Новосибирск, Россия
|
2.30
|
Д.В. Алантьев, А.А. Голицын, А.В. Голицын, А.Г. Паулиш, С.Д. Чибурун
Система
активно-импульсного видения для сложных условий наблюдения
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-технологический институт
прикладной микроэлектроники”, Новосибирск, Россия
|
2.31
|
А.В. Гусаченко, А.О. Морозов, А.Г. Паулиш, И.В. Рогова
Исследование
возможности использования СВЧ модуля с частотной модуляцией в комплексном
устройстве обнаружения скрытых объектов
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-технологический институт
прикладной микроэлектроники”, Новосибирск, Россия
|
2.32
|
И.И. Кремис, Д.А. Толмачев, Р.А. Гладков
Фильтрация остаточной
неоднородности и дефектов изображения в тепловизорах третьего поколения с
использованием микросканирования
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-технологический институт
прикладной микроэлектроники”, Новосибирск, Россия
|
2.33
|
И.И. Кремис, Д.А. Толмачев
Минимизация остаточной неоднородности
изображения в тепловизорах второго поколения на основе фильтрации
пространственных
частот
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-технологический институт
прикладной микроэлектроники”, Новосибирск, Россия
|
2.34
|
И.И. Кремис, В.А. Моисеев, К.П. Шатунов, Е.О. Ульянова, Р.А. Гладков,
А.А. Горшков
Системы микросканирования для тепловизоров третьего поколения
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-технологический институт
прикладной микроэлектроники”, Новосибирск, Россия
|
2.35
|
И.И. Кремис, B.C. Калинин, В.Н. Федоринин, Ю.М. Корсаков, К.П. Шатунов
Сканирующий тепловизионный прибор на базе отечественного фотоприемного
устройства
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-технологический институт
прикладной микроэлектроники”, Новосибирск, Россия
|
2.36
|
А.В. Голицын
О возможности коррекции хроматических аберраций объектива на
пяти длинах волн с помощью жидкостных оптических компонентов
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-технологический институт
прикладной микроэлектроники”, Новосибирск, Россия
|
2.37
|
А.А. Голицын, Н.А. Сейфи
Стенд для исследования возможности использования
ПЗС-фотоприемников в составе активно-импульсных приборов наблюдения
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-технологический институт
прикладной микроэлектроники”, Новосибирск, Россия
|
2.38
|
Г.Е. Журов, М.Ю. Цивинский, К.Р. Яминов
Применение системы на кристалле
(СнК) для реализации сложных систем автофокусировки в комплексных оптико-
электронных приборах
Филиал ИФП СО РАН “Конструкторско-технологический институт
прикладной микроэлектроники”, Новосибирск, Россия
|
2.39
|
В.А. Пилипович, В.Б. Залесский, А.И. Конойко, В.М. Кравченко, К.А. Рещиков
Термооптический преобразователь на базе матрицы микрорезонаторов Фабри-
Перо
ГНПО «Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника», Минск, Беларусь
|
2.40
|
Э.Г. Косцов, А.И. Скурлатов, А.М. Щербаченко
Прецизионная оптико-электронная
система определения параметров элементов MEMS- дифракционной решетки
Институт автоматики и электрометрии, Новосибирск, Россия
|
2.41
|
М.А. Демьяненко
Широкополосные приемники терагерцового излучения на
основе болометров инвертированного типа с тонким металлическим поглотителем
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск,
Россия
|
2.42
|
А.О. Лебедев, В.Н. Федоринин
Алгоритмы обработки тепловизионного
изображения для автоматического выделение объекта наблюдения
Филиал ИФП
СО РАН «КТИПМ», Новосибирск, Россия
|
2.43
|
Д.В. Осипов, И.И. Кремис, В.С. Калинин.
Метод коррекции дефектных каналов в
линейчатых тепловизорах в автоматическом режиме
Филиал ИФП
СО РАН «КТИПМ», Новосибирск, Россия
|
2.44
|
К.О. Болтарь1,2, Н.А. Иродов1, М.В. Седнев1, Н.И. Яковлева1
Матрица
фотодиодов формата 640х512 на основе nBp структур с поглощающим слоем
In0,53Ga0,47As
1ГНЦ РФ АО «НПО «Орион», Москва, Россия;
2МФТИ (ГУ), МО,
Долгопрудный, Россия.
|
2.45
|
А.В. Предеин, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, В.Д. Кузьмин, Д.В.
Марин, И.В. Марчишин, Н.Н. Михайлов, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, Г.Ю. Сидоров,
М.В. Якушев, В.Г. Ремесник
Сравнение параметров матричных ФЧЭ на основе
слоев КРТ, выращенных на подложках арсенида галлия и кремния
Институт
физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
|
2.46
|
А.В. Полесский1,2, Н.А. Соломонова1, Н.А. Семенченко1
Исследование точности
определения параметров спектральной характеристики ИК и УФ ФПУ
1ГНЦ РФ АО
«НПО «Орион», Москва, Россия;
2МТУ (МИРЭА), Москва, Россия.
|
2.47
|
А.Д. Юдовская1, А.В. Полесский1,2
Установка контроля пятна рассеяния ИК
объективов на основе матричного фотоприемного устройства
1ГНЦ РФ АО
«НПО «Орион», Москва, Россия;
2МТУ (МИРЭА), Москва, Россия.
|
|