|
14:30 - 14:45
|
О.И. Семенова, Е.С. Юданова, М.А. Машарин
Перовскит
CH3NH3PbI3 – новая перспектива для фотовольтаики
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО
РАН, Новосибирск, Россия.
|
|
14:45 - 15:00
|
К.Д. Мынбаев1,2, Н.Л. Баженов2, А.А. Семакова1,2, Е.В.
Быханова1,2, А.В. Черняев2,3, С.С. Кижаев3, Н.Д.
Стоянов3
Рекомбинационные процессы в
гетероструктурах на основе InAs
1Университет ИТМО,
Санкт-Петербург, Россия;
2ФТИ им. А.Ф. Иоффе,
Санкт-Петербург, Россия;
3ООО «Микросенсор
Технолоджи», Санкт-Петербург, Россия.
|
|
15:00 - 15:15
|
Д.М. Леган, О.П. Пчеляков, М.О. Петрушков, В.В.
Преображенский
Вычисление оптимальной толщины
слоя In0.3Ga0.7As в трехкаскадном
In0.3Ga0.7As/GaAs/In0.5Ga0.5P солнечном элементе в
зависимости от величины времени жизни неосновных
носителей заряда в этом слое
Институт физики
полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,
Новосибирск, Россия
|
|
15:15 - 15:30
|
С.В. Никифоров, В.С. Кортов
Процессы переноса
заряда с участием глубоких ловушек и люминесценция в
анион-дефектном оксиде алюминия
Уральский
федеральный университет, Екатеринбург, Россия
|
|
15:30 - 15:45
|
Д.В. Гуляев, С.А. Бацанов, А.К. Гутаковский,
К.С. Журавлев
Роль барьера в люминесценции
квантовых точек PbS, синтезированных в матрице
Ленгмюра-Блоджетт
Институт физики
полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,
Новосибирск, Россия
|
|
15:45 - 16:00
|
Р.И. Баталов1, Р.М. Баязитов1, Г.А. Новиков1,
И.А. Файзрахманов1, В.А. Шустов1, В.В. Воробьев2,
Ю.Н. Осин2, Г.Д. Ивлев3
Создание напряженных и
сильно легированных слоев n+-Ge:Sb с использованием
мощных лазерных и ионных пучков
1Казанский физико-
технический институт КазНЦ РАН, Казань, Россия;
2
Междисциплинарный центр «Аналитическая
микроскопия» Казанского федерального университета,
Казань, Россия;
3Белорусский государственный
университет, Минск, Беларусь.
|
|