|
09:00 - 09:30
|
А.А. Андронов1, А.В. Иконников1, К.В. Маремьянин1,
Ю.Н. Ноздрин1, В.И. Позднякова1, А.А. Мармалюк2, А.А.
Падалица2, М.А. Ладугин2, В.А. Беляков3,
И.В. Ладенков3, Г. Фефелов3
Блох и Ванье-Штарк ТГц
излучения в сверхрешетке в области положительной
статической дифференциальной проводимости
(приглашенный доклад)
1Институт физики
микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия;
2Сигм-
Плюс, Москва, Россия;
3OAO “Салют”, Нижний Новгород,
Россия.
|
|
09:30 - 10:00
|
В.И. Гавриленко
Лазеры терагерцового диапазона на
основе узкозонных полупроводников (приглашенный
доклад)
Институт физики микроструктур РАН,
Нижний Новгород, Россия.
|
|
10:00 - 10:30
|
М.Ю. Барабаненков1,2, Ю.Н. Барабаненков3
Электромагнитные материалы на основе резонансных
наночастиц (приглашенный доклад)
1ИПТМ РАН,
Черноголовка, Россия;
2ПАО «Научно-
исследовательский институт молекулярной
электроники», Москва, Зеленоград, Россия;
3ИРЭ им.
В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия.
|
|
10:30 - 11:00
|
А.В. Аржанников1,2, А.И. Иванов1,2, С.А. Кузнецов1,2,3,
М.А. Макаров1
Частотно-селективная регистрация
потока излучения в интервале 0.4-1.0 ТГц при его
генерации в плазме сильноточным электронным пучком
(приглашенный доклад)
1Институт ядерной физики
им. Г.И. Будкера СО РАН, Новосибирск, Россия;
2
Новосибирский государственный университет,
Новосибирск, Россия;
3 Новосибирский филиал ИФП СО
РАН «Конструкторско-технологический институт
прикладной микроэлектроники», Новосибирск, Россия.
|
|