|
11:15 - 11:30
|
В.А. Зиновьев1, А.Ф. Зиновьева1, А.В. Ненашев1,
А.В. Двуреченский1, В.А. Тимофеев1, А.И. Никифоров1,
А.В. Мудрый2
Усиление фотолюминесценции в
структурах с квантовыми точками II типа
1Институт
физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск,
Россия;
2НПЦ НАН Беларуси по материаловедению,
Минск, Беларусь.
|
|
11:30 - 11:45
|
Л.И. Магарилл1,2, М.М. Махмудиан1,2, М.В. Энтин1
Поглощение света краевыми состояниями двумерного
топологического изолятора и фотогальванический
эффект
1Институт физики полупроводников им.
А.В.Ржанова, Новосибирск, Россия;
2Новосибирский
государственный университет, Новосибирск, Россия.
|
|
11:45 - 12:00
|
С.В. Морозов1, В.В. Румянцев1, М.С. Жолудев1,
М.А. Фадеев1, К.Е. Кудрявцев1, А.А. Дубинов1,
А.М. Кадыков1, В.И. Гавриленко1, С.А. Дворецкий2,
Н.Н. Михайлов2
Наблюдение стимулированного
излучения вплоть до 20 мкм в волноводных структурах с
квантовыми ямами на основе HgCdTe
1Институт
физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия;
2
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова
СО РАН, Новосибирск, Россия
|
|
12:00 - 12:15
|
И.А. Александров1, Е.Д. Малышева1, В.Г. Мансуров1,
Т.В. Малин1, К.А. Конфедератова1, Д.С. Милахин1,
А.М. Гилинский1, К.С. Журавлев1, J.-H. Cho2, Y.-H. Cho2
Влияние экситон-фононного взаимодействия на форму
линии фотолюминесценции одиночных квантовых точек
GaN/AlN, полученных методом капельной эпитаксии
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова,
Новосибирск, Россия;
2Korea Advanced Institute of Science
and Technology, Daejeon, Republic of Korea
|
|
12:15 - 12:30
|
В.А. Гайслер, А.В. Гайслер, И.А. Деребезов
Излучатели
на основе полупроводниковых наноструктур
Институт
физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН,
Новосибирск, Россия
|
|
12:30 - 12:45
|
Т.С. Шамирзаев1, Д.Р. Яковлев2,3, М.М. Глазов3,
Е.Л. Ивченко3, M. Bayer2,3
Спиновая релаксация
экситонов в гетероструктурах с монослойными
квантовыми ямами в сильных магнитных полях
1
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова,
Новосибирск, Россия;
2TU Dortmund University, Dortmund,
Germany;
3ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург,
Россия
|
|
12:45 - 13:00
|
В.С. Кривобок, С.Н. Николаев, Е.Е. Онищенко, А.А.
Пручкина, С.И. Ченцов
Изолированные (квантовые)
излучатели связанные с дислокациями в CdZnTe
ФИАН,
Москва, Россия
|
|
13:00 - 13:15
|
В.С. Седов1, А.К. Мартьянов1, А.А. Хомич1, И.И.
Власов1, В.Г. Ральченко2
Плазмохимический синтез
алмаза с яркими оптическими центрами люминесценции
в видимом и ближнем ИК-диапазоне
1Институт общей
физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия;
2СПб
ПГУ, Санкт-Петербург, Россия.
|
|