| 11:30 - 11:45 |
Н.Д. Ильинская1, С.А. Карандашев1, А.А. Лавров2,
Б.А. Матвеев1, 2, М.А. Ременный1, Н.М. Стусь1, А.А. Усикова1
Одиночные и матричные фотодиоды
на основе гетероструктур InAs1-xSbx/InAsSbP (0≤x≤0.3)
для спектрального диапазона 3-8 мкм
1ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия;
2ООО «ИоффеЛЕД», Санкт-Петербург, Россия
|
| 11:45 - 12:00 |
Ю.Г. Сидоров1, Г.Ю. Сидоров1 , С.А .Дворецкий1,
М.В. Якушев1, В.В. Васильев1, И.В. Сабинина1,
И.В. Марчишин1, Д.В. Марин1, В.Д. Кузьмин1,
А.В. Зверев1, Ю.С. Макаров1, В.С. Варавин1,
А.В. Предеин1, В.Г. Ремесник1, А.В. Латышев1,
А.Л. Асеев1, Д.В. Горшков1, П.А. Сысоев2,
С.С. Милосердов2
Фотоприемные устройства на основе
ГЭС КРТ МЛЭ на подложках Si и GaAs для диапазонов
длин волн 1-3, 3-5 и 8-10 мкм форматом до
1024×1024 элементов
1ИФП СО РАН, Новосибирск,
Россия;
2Филиал 46 ЦНИИ МО РФ, Мытищи, Россия.
|
| 12:00 - 12:15 |
В.И. Бударных, Н.А. Валишева, М.А. Демьяненко,
С.А. Дворецкий, Д.Г. Есаев, А.К. Калагин,
И.В. Марчишин, А.И. Торопов, А.В. Латышев
Фотоприемные устройства на основе многослойных
структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs форматом
384×288 и 640×512
Институт физики полупроводников
им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия.
|
| 12:15 - 12:30 |
Р.В. Давлетшин1,2, А.В. Никонов1,2, П.С. Лазарев1,2,
К.О. Болтарь1,2
Исследование пространственного
распределения спектральной фоточувствительности
матричных фотоприемных устройств
1ГНЦ РФ АО «НПО
«Орион», Москва, Россия;
2МФТИ (ГУ), МО, Долгопрудный, Россия.
|
| 12:30 - 12:45 |
П.Д. Гиндин1, А.В. Артамонов2, В.П. Астахов1,
Н.Н. Евстафьева1, В.В. Карпов1, Г.С. Соловьёва1,
В.С. Теняева1
Секундный фотонный отжиг в технологии
изготовления фотодиодов на InSb
1ОАО «Швабе-
Фотосистемы», Москва, Россия;
2ООО «Технологические системы защитных
покрытий», Москва, Россия
|
|