|
16:15 - 16:30
|
В.А. Швец1,2, С.А. Дворецкий1,3, Н.Н. Михайлов1,2, Д.Г
Икусов1, И.Н. Ужаков1
Метод эллипсометрического
контроля лазерных структур, выращиваемых на основе
соединения Hg1-xCdxTe
1Институт физики
полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,Новосибирск, Россия;
2Новосибирский государственный
университет, Новосибирск, Россия;
3Национальный
исследовательский Томский государственный
университет, 634050, Томск, Россия.
|
|
16:30 - 16:45
|
Л.С. Басалаева, Ю.В. Настаушев , Ф.Н. Дульцев
Методика формирования упорядоченных массивов
кремниевых нанопилларов для перспективных фотонных
устройств
Институт физики полупроводников
им. А.В. Ржанова, Новосибирск, Россия
|
|
16:45 - 17:00
|
М.Д. Шарков, М.Е. Бойко, Л.Б. Карлина, А.М. Бойко,
С.Г. Конников
Рентгеновские исследования
сверхструктурных свойств пористого сильно
легированного фосфида индия
Физико-технический
институт им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия.
|
|
17:00 - 17:15
|
И.И. Ижнин1,2, Е.И. Фицыч1, А.В. Войцеховский2,
А.Г. Коротаев2, К.Д. Мынбаев3,4, Ф.Ю. Бончик5,
Г.В. Савицкий5, В.С. Варавин6, С.А. Дворецкий2,6,
Н.Н. Михайлов6, М.В. Якушев6, Z. Świątek7
Дефектная
структура в As имплантированных пленках CdHgTe,
полученных методом МЛЭ
1Научно-производственное
предприятие «Карат», Львов, Украина;
2Национальный
исследовательский Томский госуниверситет, Томск,
Россия;
3ФТИ им. А.Ф. Иоффе, С.Петербург, Россия;
4Университет ИТМО, С.Петербург, Россия;
5ИППММ
им. Я.С. Пидстригача НАН Украины, Львов, Украина;
6ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия;
7Institute of Metallurgy and Material Science PAN, Krakow,
Poland.
|
|
17:15 - 17:30
|
В.С. Варавин, Д.В. Марин, Д.А. Шефер, М.В. Якушев
Время жизни неосновных носителей заряда в
легированных индием структурах Cd0,3Hg0,7Te/Si
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова
СО РАН, Новосибирск, Россия
|
|