|
| 23 |
А.Г.Журавлев , И.Л.Сербин, А.Г.Паулиш, Г.Э.Шайблер, В.Л.Альперович,
А.С.Терехов
Неравновесные явления при формировании субмонослойных цезиевых покрытий на поверхности GaAs(001) |
| 24 |
А.Э.Климов, В.Н.Шумский, В.С.Эпов
Особенности динамики тока в пленках PbSnTe:In в сильных магнитных полях |
| 25 |
Ю.С.Вайнштейн , О.Б.Гусев, Ю.К.Ундалов, О.С.Ельцина, Е.И.Теруков,
О.М.Сресели
Фотоответ и фотолюминесценция нанокластеров аморфного кремния в матрице нестехиометрического субоксида кремния |
| 26 |
Е.В.Богданов , Н.Я.Минина, С.С.Широков
Особенности электролюминесценции и перестройка спектра дырок в n-AlGaAs/GaAsP/p-AlGaAs при одноосном сжатии |
| 27 |
А.В.Войцеховский , С.Н.Несмелов, С.М.Дзядух, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий,
Н.Н.Михайлов, Ю.Г.Сидоров, М.В.Якушев
Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с неоднородным распределением состава |
| 28 |
Д.В.Дмитриев , И.В.Марчишин, А.А.Быков
Микроволновая фотопроводимость двумерного электронного газа в гетероструктурах GaAs/AlAs при больших факторах заполнения |
| 29 |
В.С.Ефанов , Г.Н.Камаев, А.Х.Антоненко, А.А.Гисматулин, А.С.Гилева,
М.Д.Ефремов
Формирование и исследование фотоэлектрических свойств наноразмерных гетероструктур Si\\SiO2 на кремнии |
| 30 |
А.А.Исмаилов , Н.Д.Ахмедзаде, М.М.Ширинов
Эффект появления дополнительных неравновесных носителей заряда в монокристаллах GaSe и InSe |
| 31 |
А.Н.Акимов, А.Э.Климов, Д.В.Ищенко , Н.С.Пащин, В.Н.Шерстякова,
В.Н.Шумский
Исследование гальваномагнитных и фотоэлектрических свойств твердых растворах Pb1-xSnxTe:In в зависимости от содержания олова |
| 32 |
Д.В.Комбаров , В.Я.Костюченко, Д.Ю.Протасов, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов,
В.С.Варавин
Влияние низкотемпературных отжигов на свойства ГЭС КРТ МЛЭ p-типа |
| 33 |
В.Я.Костюченко , А.В.Трифанов, Д.Ю.Протасов, А.В.Войцеховский
Автоматизированный комплекс определения рекомбинационно-диффузионных параметров в плёнках узкозонных полупроводников p-типа |
| 34 |
Д.Мелебаев
Фоточувствительность наноструктурированных диодов Шоттки Au-
окисел-n-GaP в УФ области спектра |
| 35 |
А.П.Ковчавцев, Г.Л.Курышев, И.И.Ли, А.Е.Настовьяк , В.Г.Половинкин,
А.В.Царенко, В.М.Гайлес, В.Н.Гаштольд, А.П.Казак, В.П.Хромов
Адмиттанс Si-МОП-структур с глубокой примесью |
| 36 |
А.Н.Акимов, А.Э.Климов, Н.С.Пащин , В.Н.Шумский
Особенности динамики фототока в пленках PbSnTe:In в терагерцевой области спектра |
| 37 |
Ю.Г.Пейсахович , А.А.Штыгашев
Нестационарная фотоэмиссия через поверхностную гетероструктуру и матрица плотности |
| 38 |
А.В.Предеин , В.В.Васильев, И.В.Сабинина, Н.Н.Михайлов, В.С.Варавин,
Ю.Г.Сидоров
Двухцветный фотодиод на основе слоев ГЭС КРТ МЛЭ |
| 39 |
В.Я.Костюченко, Д.Ю.Протасов , А.В.Войцеховский, Ю.Б.Андрусов, И.А.Денисов
Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект на плёнках ГЭС ЖФЭ p-КРТ |
| 40 |
С.А.Рожков , Г.Э.Шайблер, В.В.Бакин, С.Н.Косолобов, А.С.Терехов, А.Ю.Андреев,
К.Ю.Телегин, А.А.Падалица, А.А.Мармалюк
Влияние «фотонного переноса» на транспорт электронов в полупрозрачных
p+–GaAs(Cs,O) – фотокатодах |
| 41 |
А.В.Сорочкин , В.С.Варавин, А.В.Предеин, И.В.Сабинина, М.В.Якушев
Фотоэлектрические характеристики диодов на основе HgCdTe/Si(310) |
| 42 |
А.М.Ташлиева
Фоточувствительность барьеров Шоттки Au-p-GaP |
| 43 |
О.Е.Терещенко , А.Г.Паулиш, Т.С.Шамирзаев, М.Н.Неклюдова, А.К.Гутаковский,
А.М.Гилинский, Д.В.Дмитриев, А.И.Торопов, X.Li., G.Lampel, Y.Lassailly, D.Paget, J.Peretti
Оптический детектор спина электрона на основе структур Pd/Fe/GaAs/InGaAs |
| 44 |
А.В.Войцеховский , Д.В.Григорьев, Е.Ю.Марфин, О.П.Пчеляков, А.И.Никифоров
Влияние квантовых точек Ge на эффективность преобразования солнечного элемента на основе Si |
|