|
| 1 |
С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, В.Г.Ремесник
In-situ и ex-situ контроль состава в CdxHg1-xTe потенциальных ямах |
| 2 |
К.С.Журавлёв, Т.В.Малин, Д.Ю.Протасов, А.В.Тихонов , L.Dobos, B.Pecz
Изучение роста широкозонных слоев для УФ фотоприемников |
| 3 |
В.В.Чесноков, Д.В.Чесноков
Лазерный интерференционный метод термохимического формирования регулярных наноструктур на подложка |
| 4 |
В.В.Чесноков, Д.В.Чесноков
Лазерное управление процессами в адсорбированных моноатомных слоях при формировании наноструктур |
| 5 |
Д.В.Чесноков, В.В.Чесноков, Д.М.Никулин, Д.С.Кочкарев
Лазерная зональная ретушь неравномерностей оптических поверхностей, искажающих волновые фронты оптических систем |
| 6 |
В.С.Варавин, М.О.Гарифуллин, И.О.Парм, И.В.Сабинина, Г.Ю.Сидоров,
Ю.Г.Сидоров
Влияние плазмохимического травления на свойства CdHgTe |
| 7 |
И.И.Ижнин , А.И.Ижнин, М.Поцяск, С.А.Дворецкий, В.С.Варавин, Н.Н.Михайлов,
Ю.Г.Сидоров, М.В.Якушев
Влияние отжига на дефектную структуру МЛЭ ГЭС CdxHg1-xTe | 8 |
Р.В.Лёвин , Е.П.Ракова, С.И.Трошков, Б.В.Пушный, М.Н.Мизеров, В.М.Андреев
Особенности легирования GaSb кремнием методом МОС-гидридной эпитаксии |
| 9 |
Э.И.Зульфигаров, С.А.Алиев, А.М.Магеррамов
Об изменении свойств материалов для термомагнитных преобразователей на основе CdHgTe действием электронного облучения
| 10 |
Р.С.Мадатов , Ф.П.Абасов, Ю.М.Мустафаев
Влияние гамма облучения на фотоэлектрические параметры двухбарьерной структуры на основе кремния
| 11 |
И.В.Мутигуллин , К.К.Абгарян, Д.И.Бажанов
Компьютерное моделирование процесса формирования AlN на поверхности сапфира (0001) |
| 12 |
С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, В.Г.Ремесник, Ю.Г.Сидоров, П.В.Сизиков
Метод определения состава HgCdTe структур для двухспектральных фотоприемников 3-5 и 8-12 мкм
|
| 13 |
К.О.Болтарь, И.Д.Бурлаков, А.В.Войцеховский, А.Л.Сизов, В.Г.Средин, Н.Х.Талипов , С.А.Шульга
Влияние воздействия мощного импульсного лазерного излучения на свойства поверхности гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe
|
| 14 |
А.А.Алтухов, А.Ю.Митягин, Н.Х.Талипов , В.С.Фищенко, Г.В.Чучева
Особенности активации бора имплантированного при больших дозах в природные кристаллы алмаза
|
| 15 |
А.А.Алтухов, К.Н.Зяблюк, А.Ю.Митягин, Н.Х.Талипов , Г.В.Чучева
Формирование дельта легированного p-слоя в природных и CVD кристаллах алмаза при термообработках в водороде
|
| 16 |
К.В.Торопецкий , Г.Э.Шайблер, А.С.Терехов
Порог Cs-индуцированной адсорбции кислорода на полупроводниках группы III-V
|
| 17 |
А.М.Турапин , А.В.Войцеховский, А.П.Коханенко, К.А.Лозовой
Зависимость параметров массива квантовых точек Ge на поверхности Si(100) от условий синтеза
|
| 18 |
Т.С.Шамирзаев, Д.С.Абрамкин, А.К.Гутаковский, М.А.Путято, А.Б.Талочкин,
В.В.Преображенский
Высококачественные однородно релаксированные слои GaP выращенные на несогласованных подложках GaAs методом МЛЭ
|
| 19 |
И.О.Ахундов , С.Н.Косолобов, Н.С.Рудая, Д.В.Щеглов, В.Л.Альперович,
А.В.Латышев, А.С.Терехов
Формирование сетки дислокаций в напряженных фотокатодных GaAs/AlGaAs гетероструктурах на стеклянных подложках
|
| 20 |
В.С.Варавин, А.В.Вишняков , А.В.Предеин, Ю.Г.Сидоров
Моделирование туннельных токов, стимулированных глубокой акцепторной примесью, в n-p фотодиодах на основе CdHgTe
|
| 21 |
А.Э.Климов, В.Н.Шумский
Твердый раствор PbSnTe:In как неупорядоченная система с сегнетоэлектрическим фазовым переходом
|
| 22 |
Н.Н.Шабурова
Библиометрические характеристики фотоники |
|
| 45 |
В.М.Ефимов , А.А.Гузев
Определение деформаций и термомеханических напряжений в матричных гибридных сборках на основе InAs
|
| 46 |
Ф.Ф.Сизов, В.В.Забудский , З.Ф.Цибрий, С.Г.Бунчук, Н.И.Момот, Н.Н.Михайлов,
С.А.Дворецкий
Регистрация ТГц/суб-мм излучения структурами с квантовыми ямами на основе КРТ |
| 47 |
В.Л.Курочкин , А.В.Зверев, И.И.Рябцев, И.Г.Неизвестный, А.А.Вольф,
Ю.В.Курочкин, А.Г.Черевко
Регистрация одиночных фотонов на длине волны 1,5 мкм |
| 48 |
В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, А.П.Ковчавцев, Г.Л.Курышев, И.И.Ли, Н.Н.Михайлов,
А.Е.Настовьяк , В.Г.Половинкин, Ю.Г.Сидоров
Свойства МДП структур на основе КРТ с пассивирующими слоями CdTe/ZnTe/ZnS |
| 49 |
И.О.Парм , Ю.П.Машуков, Е.В.Федосенко, В.В.Васильев
Формирование границы раздела диэлектрик-полупроводник для тройного соединения теллурид кадмия ртути в процессе низкотемпературного синтеза диоксида кремния
|
| |
|