Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники
22-26 августа 2011г., Новосибирск
Новости
06.09.2011 Фотоотчет
06.05.2011 ВНИМАНИЕ! Срок регистрации и подачи тезисов продлен до 20 мая 2011г.!
21.03.2011 Новый раздел Доклады по приглашению
18.01.2011 Прилагаем образцы документов для участников конференции.
16.12.2010 Добро пожаловать на сайт конференции "ФОТОНИКА 2011"
Контакты
Факс: (383)333-27-71
E-mail:
Ильина Лариса Александровна - ученый секретарь конференции
Тел.: (383)333-32-60
Тычинская Светлана Анатольевна
Тел.: (383)333-24-88
Адрес
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН
пр. Ак. Лаврентьева 13, 600090 Новосибирск, Россия
Доклады по приглашению
Матричные фотоприемные модули на основе структур с квантовыми ямами, разработанные в ОАО "ЦНИИ "Циклон"
А.Б.Барабанов, П.В.Бирюлин, А.А.Солодков, Ф.С.Соснин, В.В.Тарасов, В.Б.Куликов
ОАО "ЦНИИ "Циклон"
ИК фотоэлектроника второго поколения
К. О. Болтарь 1,2, В. П. Пономаренко 1,2, И. Д. Бурлаков 1,3, А. М. Филачев 1
1 ФГУП «НПО «Орион», Москва
2 Московский физико-технический институт, Долгопрудный
3 Московский институт радиотехники, электроники и автоматики, Москва
Физические и биомедицинские исследования, основанные на применении матричного тепловидения высокого разрешения
Б.Г.Вайнер
ИФП СО РАН, Новосибирск
Спектроскопия фонон-поляритонных возбуждений ультратонких пленок в дальнем и ближнем поле
Е.А.Виноградов, Н.Н.Новикова, В.А.Яковлев
ИСАН, Троицк
Сверхминиатюрные микрорезонаторные излучатели на основе полупроводниковых наноструктур
В.А.Гайслер
ИФП СО РАН, Новосибирск
Разработка и освоение производства субматричных и матричных ФПУ среднего и дальнего ИК-диапазона
Д.А.Гиндин, В.П.Ежов, В.В.Карпов
ОАО «МЗ «Сапфир», г. Москва
Плазмонные эффекты в металл-полупроводниковых композитах
П.С.Копьев, Т.В.Шубина
ФТИ им. А.Ф.Иоффе, Санкт-Петербург
Быстродействующие линейчатые МДП - фотоприемники на основе арсенида и антимонида индия
Г.Л.Курышев, А.П.Ковчавцев, В.Г.Половинкин , В.М Базовкин. , А.АГузев. И.И.Ли
ИФП СО РАН, Новосибирск
Комбинационное рассеяние света полупроводниковыми квантовыми точками: от массива к одиночной точке
А.Г.Милёхин 1,2, Л.Л.Свешникова 1, T.A. Дуда 1, Н.А.Ерюков 1, А.К.Kaлагин 1, А.И.Торопов 1, Н.В.Суровцев 3, С.В.Адищев3, C.Himcinschi 4, D.R.T.Zahn 5
1 Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия
2 Новосибирский Государственный университет, Новосибирск, Россия
3 Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск, Россия
4 Institut fur Theoretische Physik, TU Bergakademie Freiberg, Freiberg, Germany
5 Semiconductor Physics, Chemnitz University of Technology, Chemnitz, Germany
Двухспектральные гетероэпитаксиальные структуры HgCdTe и фотоприемные устройства на их основе
Н.Н.Михайлов, Д.В.Брунев, В.В.Васильев, В.С. Варавин, С.А.Дворецкий, Д.Г.Икусов, А.В.Предеин, В.Г.Ремесник, И.В.Сабинина, Г.Ю.Сидоров, Ю.Г.Сидоров, А.О.Сусляков
ИФП СО РАН, Новосибирск
Нанотехнологии в создании солнечных элементов
И.Г.Неизвестный
ИФП СО РАН, Новосибирск
Анализ тенденций развития охлаждаемых и неохлаждаемых инфракрасных фокальных матриц
М.С.Никитин
ОАО НПО "Альфа", Москва
Новые направления полупроводниковой фотоэлектроники
В.П.Пономаренко
ФГУП "НПО "Орион", Москва
Информационные технологии в оптоэлектронике
О.И.Потатуркин
ИАиЭ СО РАН, Новосибирск
Полупроводниковые приемники от ИК до мм диапазона. Критерии применения.
Ф.Ф.Сизов, Ж.В.Гуменюк-Сычевская, А.В.Шевчик-Шекера
ИФП НАН Украины, Украина, Киев
Мощные полупроводниковые лазеры
И.С.Тарасов
ФТИ РАН, Санкт-Петербург
Оптико-электронные модули для тепловизионных приборов различного назначения на основе субматричных и матричных фотоприемников
В.Н.Федоринин 1, С.М.Чурилов 1, Т.Н.Хацевич 2, В.В.Васильев 1, И.И.Кремис 1, К.П.Шатунов 1, Е.А.Терешин 3
1 Филиал ИФП СО РАН «КТИПМ», Новосибирск
2 Сибирская государственная геодезическая академия , Новосибирск
3ОАО «Красногорский завод им. С.А. Зверева», Красногорск
Терагерцовая фотопроводимость и новый тип локальных состояний в легированных сплавах на основе теллурида свинца
Д.Е.Долженко 1, В.И.Черничкин 1, Л.И.Рябова 1, А.В.Никорич 2, В.А.Касьян 3, З.М.Дашевский 3,  С.Д.Ганичев 4, С.Н.Данилов 4, В.В.Бельков 5, Д.Р.Хохлов 1
1 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Москва
2 Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев , Молдова
3 Университет Бен-Гурион, Бир Шева, Израиль
4 Университет Регенсбурга, Регенсбург, Германия
5 ФТИ им.А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Планарные приемные матрицы для систем радиовидения миллиметрового диапазона длин волн
В.И.Шашкин
ИФМ РАН, Нижний Новгород
Матричные фотоприемники PbSnTe:In на кремнии для дальнего ИК и терагерцового диапазонов
А.Э.Климов, В.Н.Шумский
ИФП СО РАН, Новосибирск
Полноформатный фотоприемный модуль на основе гетероструктур CdHgTe/Si(310), выращенных методом МЛЭ
М.В.Якушев, Д.В.Брунев, В.В.Васильев, В.С. Варавин, С.А.Дворецкий, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров, А.В.Сорочкин, И.В.Марчишин, А.Л.Асеев
ИФП СО РАН, Новосибирск

Список приглашенных докладов будет дополняться.

Заполните регистрационную форму и примите участие в нашей конференции
Отправьте тезисы докладов
Список приглашенных докладов.
Организаторы конференции
Конференцию поддерживают
 
© ИФП СО РАН, 2011. Webmaster: Sambur Nadezhda, webmaster@isp.nsc.ru