Матричные фотоприемные модули на основе структур с квантовыми ямами, разработанные в ОАО "ЦНИИ "Циклон" |
А.Б.Барабанов, П.В.Бирюлин, А.А.Солодков, Ф.С.Соснин, В.В.Тарасов, В.Б.Куликов |
ОАО "ЦНИИ "Циклон" |
ИК фотоэлектроника второго поколения |
К. О. Болтарь 1,2, В. П. Пономаренко 1,2, И. Д. Бурлаков 1,3, А. М. Филачев 1 |
1 ФГУП «НПО «Орион», Москва
2 Московский физико-технический институт, Долгопрудный
3 Московский институт радиотехники, электроники и автоматики, Москва |
Физические и биомедицинские исследования, основанные на применении матричного тепловидения высокого разрешения |
Б.Г.Вайнер |
ИФП СО РАН, Новосибирск |
Спектроскопия фонон-поляритонных возбуждений ультратонких пленок в дальнем и ближнем поле |
Е.А.Виноградов, Н.Н.Новикова, В.А.Яковлев |
ИСАН, Троицк |
Сверхминиатюрные микрорезонаторные излучатели на основе полупроводниковых наноструктур |
В.А.Гайслер |
ИФП СО РАН, Новосибирск |
Разработка и освоение производства субматричных и матричных ФПУ среднего и дальнего ИК-диапазона |
Д.А.Гиндин, В.П.Ежов, В.В.Карпов |
ОАО «МЗ «Сапфир», г. Москва |
Плазмонные эффекты в металл-полупроводниковых композитах |
П.С.Копьев, Т.В.Шубина |
ФТИ им. А.Ф.Иоффе, Санкт-Петербург |
Быстродействующие линейчатые МДП - фотоприемники на основе арсенида и антимонида индия |
Г.Л.Курышев, А.П.Ковчавцев, В.Г.Половинкин , В.М Базовкин. , А.АГузев. И.И.Ли |
ИФП СО РАН, Новосибирск |
Комбинационное рассеяние света полупроводниковыми квантовыми точками: от массива к одиночной точке |
А.Г.Милёхин 1,2, Л.Л.Свешникова 1, T.A. Дуда 1, Н.А.Ерюков 1, А.К.Kaлагин 1, А.И.Торопов 1, Н.В.Суровцев 3, С.В.Адищев3, C.Himcinschi 4, D.R.T.Zahn 5 |
1 Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия
2 Новосибирский Государственный университет, Новосибирск, Россия
3 Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск, Россия
4 Institut fur Theoretische Physik, TU Bergakademie Freiberg, Freiberg, Germany
5 Semiconductor Physics, Chemnitz University of Technology, Chemnitz, Germany |
Двухспектральные гетероэпитаксиальные структуры HgCdTe и фотоприемные устройства на их основе |
Н.Н.Михайлов, Д.В.Брунев, В.В.Васильев, В.С. Варавин, С.А.Дворецкий, Д.Г.Икусов, А.В.Предеин, В.Г.Ремесник, И.В.Сабинина, Г.Ю.Сидоров,
Ю.Г.Сидоров, А.О.Сусляков |
ИФП СО РАН, Новосибирск |
Нанотехнологии в создании солнечных элементов |
И.Г.Неизвестный |
ИФП СО РАН, Новосибирск |
Анализ тенденций развития охлаждаемых и неохлаждаемых инфракрасных фокальных матриц |
М.С.Никитин |
ОАО НПО "Альфа", Москва |
Новые направления полупроводниковой фотоэлектроники |
В.П.Пономаренко |
ФГУП "НПО "Орион", Москва |
Информационные технологии в оптоэлектронике |
О.И.Потатуркин |
ИАиЭ СО РАН, Новосибирск |
Полупроводниковые приемники от ИК до мм диапазона. Критерии применения. |
Ф.Ф.Сизов, Ж.В.Гуменюк-Сычевская, А.В.Шевчик-Шекера
|
ИФП НАН Украины, Украина, Киев |
Мощные полупроводниковые лазеры |
И.С.Тарасов |
ФТИ РАН, Санкт-Петербург |
Оптико-электронные модули для тепловизионных приборов различного назначения на основе субматричных и матричных фотоприемников |
В.Н.Федоринин 1, С.М.Чурилов 1, Т.Н.Хацевич 2, В.В.Васильев 1, И.И.Кремис 1, К.П.Шатунов 1, Е.А.Терешин 3 |
1 Филиал ИФП СО РАН «КТИПМ», Новосибирск
2 Сибирская государственная геодезическая академия , Новосибирск
3ОАО «Красногорский завод им. С.А. Зверева», Красногорск |
Терагерцовая фотопроводимость и новый тип локальных состояний в легированных сплавах на основе теллурида свинца |
Д.Е.Долженко 1, В.И.Черничкин 1, Л.И.Рябова 1, А.В.Никорич 2, В.А.Касьян 3, З.М.Дашевский 3, С.Д.Ганичев 4, С.Н.Данилов 4, В.В.Бельков 5, Д.Р.Хохлов 1 |
1 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Москва
2 Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев , Молдова
3 Университет Бен-Гурион, Бир Шева, Израиль
4 Университет Регенсбурга, Регенсбург, Германия
5 ФТИ им.А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия |
Планарные приемные матрицы для систем радиовидения миллиметрового диапазона длин волн |
В.И.Шашкин |
ИФМ РАН, Нижний Новгород |
Матричные фотоприемники PbSnTe:In на кремнии для дальнего ИК и терагерцового диапазонов |
А.Э.Климов, В.Н.Шумский |
ИФП СО РАН, Новосибирск |
Полноформатный фотоприемный модуль на основе гетероструктур CdHgTe/Si(310), выращенных методом МЛЭ |
М.В.Якушев, Д.В.Брунев, В.В.Васильев, В.С. Варавин, С.А.Дворецкий, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров, А.В.Сорочкин, И.В.Марчишин, А.Л.Асеев |
ИФП СО РАН, Новосибирск |
Список приглашенных докладов будет дополняться.