Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН
пр. Ак. Лаврентьева 13, 600090 Новосибирск, Россия
О КОНФЕРЕНЦИИ
Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники продолжает серию конференций, которые проходили в Новосибирске в 2003 и 2008 годах.
Полупроводниковая нанофотоэлектроника включает в себя широкий класс полупроводниковых материалов, явлений и приборов, осуществляющих взаимное преобразование оптического и электрического сигналов, и в настоящее время является уже не только областью научных исследований, но и основой создания широкого класса приборов и устройств гражданского и военного применения. Поэтому основной объем исследований в этой области направлен на разработку технологий новых более совершенных материалов, создание приборов и устройств с лучшими характеристиками по квантовой эффективности, пространственным разрешением и более высокой степенью интеграции. Решение практических задач, особенно в области ИК техники, диктует непрерывное ужесточение требований к совершенству ИК материалов в части кристаллической структуры и однородности распределения электрофизических характеристик в объеме материала. Необходимость обработки больших объемов информации требует расширения спектрального диапазона фотоэлектронных приборов с увеличением степени интеграции. И, наконец, проблема снижения стоимости фотоэлектронных изделий требует новых идей и подходов в изготовлении материалов, приборов и постановке методов контроля.
На конференции будут организованы пленарные, устные и стендовые сессии по следующим направлениям:
методы и технологии получения наноструктурированных материалов для перспективных фотоприемников ИК-диапазона;
фотоэлектрические явления в полупроводниковых структурах;
фотодетекторы ближнего и дальнего ИК-диапазонов на основе соединений А2В6 и А3В5, элементарных полупроводников и квантовых наноструктур (сверхрешетки, квантовые ямы, квантовые проволоки, квантовые точки);
солнечные элементы, полупроводниковые преобразователи длинноволного излучения в коротковолновое излучение;
полупроводниковые излучатели ближнего и дальнего ИК-диапазонов;