Добрецова Алёна Александровна

Дата рождения: 27.10.1992
Вуз (дата окончания): НГУ (2015)
Год поступления в аспирантуру: 2015
Форма обучения: очная
Направление подготовки: 03.06.01 - "Физика и астрономия"
Специальность: 01.04.10 - "Физика полупроводников"
Тема диссертации: Электронный транспорт в HgTe квантовых ямах с линейным и параболическим законом дисперсии
Научный руководитель: проф., д.ф.-м.н., зав. лаб. Квон Зе Дон
Лаборатория: Лаб. №26, низкоразмерные электронные системы
E-mail:

Публикации:

Статьи в рецензируемых научных журналах:

НазваниеПервая страница
A.A. Dobretsova, A.D. Chepelianskii, N.N. Mikhailov, and Z.D. Kvon, Spin mixing between subbands and extraordinary Landau-level shift in wide HgTe quantum well, Phys. Rev. B 98, 155310 (2018)
A.A. Dobretsova, Z.D. Kvon, S.S. Krishtopenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, "Spin splitting of surface states in HgTe quantum wells", Low. Temp. Phys. 45, 185 (2019)
А.А. Добрецова, З.Д. Квон Л.С. Брагинский, М.В. Энтин, Н.Н. Михайлов, "Подвижность и квантовое время бесщелевых дираковских электронов в HgTe квантовых ямах", ФТП 52, 1469 (2018)
А.А. Добрецова, З.Д. Квон, Л.С. Брагинский, М.В. Энтин, Н.Н. Михайлов, «Подвижность дираковских электронов в HgTe квантовых ямах», Письма в ЖЭТФ 104 402 (2016)
А.А. Добрецова, Л.С. Брагинский, М.В. Энтин, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, «Поверхностные состояния в HgTe квантовой яме и рассеяние на шероховатостях», Письма в ЖЭТФ 101 360 (2015).

Личное участие в конференциях:

НазваниеОбложка тезисовОбложка программыВремя выступленияПервая страница
A. Dobretsova, Z.D. Kvon, S. Krishtopenko, N. Mikhailov, S. Dvoretsky, Shubnikov - de Haas oscillations in a wide (~20nm) HgTe quantum well with surface states, 34th International conference on semiconductor physics ICPS-2018, Montpellier (France), July 29 - August 3, 2018, стендовый доклад
A. Dobretsova, A. Chepelianskii, Z.D. Kvon, S. Gueron, N. Mikhailov, S. Dvoretsky, Landau levels in HgTe quantum well - system with strong spin-orbit, 34th International conference on semiconductor physics ICPS-2018, Montpellier (France), July 29 - August 3, 2018, стендовый доклад
А.А. Добрецова, З.Д. Квон, Л.С. Брагинский, М.В. Энтин, Н.Н. Михайлов, Проводимость и подвижность двумерных безмассовых дираковских фермионов в HgTe квантовой яме, XXII Международный симпозиум “Нанофизика и наноэлектроника”, Нижний Новгород, 12-15 марта 2018г., устный доклад
А.А. Добрецова, А.Д. Шепелянский, З.Д. Квон, С. Герон, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Необычное поведение уровней Ландау в 20нм HgTe квантовой яме, XXII Международный симпозиум “Нанофизика и наноэлектроника”, Нижний Новгород, 12-15 марта 2018г., стендовый доклад
А.А. Добрецова, Электронный газ зоны проводимости широкой (~20нм) HgTe квантовой ямы в магнитном поле, Международная зимняя школа по физике полупроводников Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, 1-5 марта 2018г., устный доклад
A.A. Dobretsova, Berry phase and extraordinary Landau levels shift, Winter school on quantum condensed-matter physics, Chernogolovka, December 13-17, 2017, стендовый доклад
А.А. Добрецова, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов, Состояние топологического изолятора и биения в осцилляциях Шубникова – де Гааза в широкой яме HgTe, 13я Российская конференция по физике полупроводников, г. Екатеринбург, 2-6 октября 2017 г., стендовый доклад
A.A. Dobretsova, Z.D. Kvon, N.N. Mikhailov, Topological Insulator State and Beatings in Shubnikov – de Haas Oscillations in a Wide HgTe Quantum Well, Electronic properties of Two-Dimensional Systems EP2DS-22, Penn State (USA), July 31 – August 4, 2017, стендовый доклад
A.A. Dobretsova, Z.D. Kvon, L.S. Braginsky, M.V. Entin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, Conductivity and electron mobility of 2D massless Dirac fermions in HgTe quantum well, 33rd International Conference on the Physics of Semiconductors ICPS2016, Beijing (China), August 2016, стендовый доклад
А.А. Добрецова, З.Д. Квон, Л.С. Брагинский, М.В. Энтин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Проводимость безмассовых двумерных дираковских фермионов в HgTe квантовой яме, XXI Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, г. Екатеринбург, 15-20 февраля 2016 г., устный доклад
А.А. Добрецова и др., Поверхностные состояния в HgTe квантовой яме и рассеяние на шероховатостях, 12-ая Российская конференция по физике полупроводников, г. Звенигород, 21-25 сентября 2015 г., стендовый доклад
A.A. Dobretsova, Z.D. Kvon, L.S. Braginsky, M.V. Entin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, Surface States in HgTe Quantum Well and Interface-Roughness Scattering, 21-st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems EP2DS-21, Sendai (Japan), July 2015, стендовый доклад
A.A. Dobretsova, there were no presentations of participants, International School of Physics “Enrico Fermi”, Course on “Quantum Matter of Ultralow Temperatures”, Varenna (Italy), July 7-15 2014, стендовый доклад

Личные достижения (дипломы, гранты, награды, сертификаты, именные стипендии):

  1. А.А. Добрецова, “Электронный газ зоны проводимости широкой (~20нм) HgTe квантовой ямы в магнитном поле”, Международная зимняя школа по физике полупроводников Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург (Россия), 1-5 марта 2018г. - второе место за доклад среди молодых ученых.
  2. Стипендия гостя Венского Технического Университета, январь 2018.
  3. Стипендия Правительства Новосибирской области (сентябрь 2016 - август 2017)
  4. А.А. Добрецова, З.Д. Квон, Л.С. Брагинский, М.В. Энтин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, «Проводимость безмассовых двумерных дираковских фермионов в HgTe квантовой яме», Материалы XXI Уральской международной зимней школы по физике полупроводников, г. Екатеринбург, 15-20 февраля 2016г., стр. 114, устный доклад. – награда за лучший доклад среди молодых ученых.

Участие в грантах:

  1. РНФ, 16-12-10041 ОНК Фото- и термоэлектрические явления в двумерных полуметаллах и топологических изоляторах на основе HgTe квантовых ям, 2016 – 2018 г.
  2. РФФИ 18-32-00138 мол_а Транспорт и емкость толстых пленок HgTe, 2018-2020г.
  3. РФФИ 18-52-16007 НЦНИЛ_а Структурный и зарядовый беспорядок в системе двумерных дираковских фермионов на основе теллурида ртути, 2018г.
  4. РФФИ 17-02-00837 А Состояния и кинетика электронов в двумерных топологических изоляторах, 2017-2020г.
  5. РФФИ 17-42-543336 р_мол_а Электронный транспорт и квантовые эффекты в структурах на основе топологических изоляторов, 2017-2019г.
  6. РФФИ 17-52-14007 АНФ_а Терагерцовая магнитооптика дираковских фермионов в структурах на основе HgTe и CdHgTe, 2017-2020г.
  7. РФФИ, 17-02-00384 А Транспортный, микроволновый и терагерцовый отклик квантовых точечных контактов и длиннопериодных решеток антиточек на основе высокоподвижного двумерного электронного газа, 2017-2020г.
  8. РФФИ, 15-52-1608 НЦНИЛ_а Свойства поверхностных состояний трехмерного топологического изолятора на основе теллурида ртути, 2015 – 2017 г.
  9. РФФИ, 14-02-01246 А Терагерцовый отклик высокоподвижного двумерного электронного газа и двумерного топологического изолятора, 2014 – 2016 г.
  10. РФФИ, 13-02-12148 офи_м Дираковские фермионы в полупроводниковых и гибридных (полупроводник – сверхпроводник) наноструктурах, 2013 – 2015 г.

Дополнительная информация по научной деятельности:

1. Сотрудничество с лабораторией спектроскопии твердого тела института физики твердого тела Венского технического университета (Австрия) (командировки с 14.01.2018 по 03.02.2018; с 10.06.2018 по 01.07.2018).

2. Сотрудничество с лабораторией физики твердого тела Южного Парижского университета (Франция) (командировки с 15.05.2016 по 15.07.2016; с 04.03.2017 по 21.05.2017)

Аннотация выпускной квалификационной работы: