Василенко Максим Анатольевич

Дата рождения: 17.08.1992
Вуз (дата окончания): НГТУ (2012)
Год поступления в аспирантуру: 2016
Форма обучения: очная
Направление подготовки: 03.06.01 - "Физика и астрономия"
Специальность: 01.04.10 - "Физика полупроводников"
Тема диссертации: Предполагаемая: «Спин-зависимая фотоэмиссия из гетероструктур A3B5 с отрицательным электронным сродством»
Научный руководитель: д.ф.-м.н., профессор Терещенко Олег Евгеньевич к.ф.-м.н., доцент Шварц Наталия Львовна
Лаборатория: Лаб. №37, Гр.2
E-mail:

Публикации:

Статьи в рецензируемых научных журналах:

НазваниеПервая страница
М. А. Василенко, А. Г. Настовьяк, И. Г.Неизвестный, Н. Л. Шварц, Изучение процесса формирование наноструктур А3В5 методом капельной эпитаксии (Монте-Карло моделирование), Автометрия, 2016, Т. 52, №5, с. 111-121.
Suprunets A.G., Vasilenko M.A., Shwartz N.L. Self-catalyzed GaAs and InAs nanowires growth (Monte Carlo simulation), Journal of Physics: Conference Series, 2016, V. 690, p. 012011.
M. A. Vasilenko, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz. Formation of GaAs nanostructures by droplet epitaxy — Monte Carlo simulation. Comput. Mater. Sci., 2015, V. 102, pp. 286-292.

Труды конференций:

НазваниеОбложкаПервая страница
Maxim A. Vasilenko, Nataliya L. Shwartz. Monte Carlo Simulation of GaAs Nanorings Formation by Droplet Epitaxy. 17th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices EDM 2016: Conference Proceedings, 2016, June 30–Yuly 4, 2016, ISBN 978-1-5090-0785-1, р.3-7
N. Shwartz, M. Vasilenko, M. Nesterenko, I. Neizvestny. Analysis of GaAs nanostructure formation according to vapor-liquid-solid mechanism. Proceedings of International Conference Nanomeeting - 2015. “Physics, Chemistry and Application of Nanostructures” Minsk, Belerus, 26–29 May, 2015, p.334-337. Published by World Scientific Publishing Co.Pte.Ltd. 5 Toh Tuck Link, Singapore 596227, ISBN 978-981-4696-51-7.
Н. Л. Шварц, М. А. Василенко, А. Г. Супрунец. Монте-Карло моделирование роста полупроводниковых наноструктур. Материалы Всероссийской научной конференции с международным участием. II Байкальский материаловедческий форум 29 июня-5 июля 2015 г. Улан-Удэ. Ч.2.—Улан-Удэ. Издательство Бурятского научного центра СО РАН, 2015.- 226 с. ISBN 978-5-7925-0469-1., c. 155-157.
A.G. Nastovjak, I.G. Neizvestny, M.A. Vasilenko, N.L. Shwartz. Surface morphology transformation during droplet epitaxy growth - Monte Carlo simulation. Proceedings of the 23th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology” St. Petersburg, Russia, June 22–26, 2015, p. 204-205. Published by St. Petersburg Academic University, ISBN 978-5- 7422-4876-7.
M.A. Vasilenko, N.L. Shwartz. Analysis of GaAs surface etching during droplet epitaxy process (Monte Carlo Simulation). Proceedings of 16th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. EDM-2015, Erlagol, Altai, 29 June- 3 July, 2015, p.16-19.
A.G. Suprunets, M.A. Vasilenko, N.L. Shwartz. Investigation of Self-Catalyzed GaAs NW Growth by Monte Carlo Simulation.. Proceedings of 15th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. EDM-2014, Erlagol, Altai, 30 June- 4 July, 2014, p.14-18.
A.G. Suprunets, M.A. Vasilenko, N.L. Shwartz. Monte Carlo simulation of GaAs nanostructure growth by droplet epitaxy. Proceedings of 14th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. EDM-2013, Erlagol, Altai, July 1 - July 5, 2013, p.46-48.

Личное участие в конференциях:

НазваниеОбложка тезисовОбложка программыВремя выступленияПервая страница
M.A. Vasilenko, N.L. Shwartz, Simulation of GaAs nanostructure growth by droplet epitaxy, 14-ая международная научная конференция-школа «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение», Саранск, 29 сентября - 2 октября 2015, устный доклад
М.А. Василенко, И.Г. Неизвестный, Н.Л. Шварц, Условия формирования нанокристаллов и наноколец GaAs методом капельной эпитаксии (Монте-Карло моделирование), Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) Фотоника 2015, Новосибирск, 12-16 октября 2015 г., стендовый доклад
M.A. Vasilenko, N.L. Shwartz, Analysis of GaAs surface etching during droplet epitaxy process (Monte Carlo Simulation), 16th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. EDM-2015, Erlagol, Altai, 29 June- 3 July, 2015, устный доклад
М.А. Василенко, А.Г. Супрунец, Н.Л. Шварц, Монте-Карло моделирование самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов GaAs, 15 всероссийская конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники, Санкт-Петербург, 25-29 ноября 2013 г., устный доклад
A.G. Suprunets, M.A. Vasilenko, N.L. Shwartz, Monte Carlo simulation of GaAs nanostructure growth by droplet epitaxy, 14th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. EDM-2013, Erlagol, Altai, July 1 - July 5, 2013, устный доклад

Личные достижения (дипломы, гранты, награды, сертификаты, именные стипендии):

  1. Диплом III степени за доклад «Монте-Карло моделирование самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов GaAs», 15 всероссийской конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектроники. 25-29 ноября 2013г, Санкт-Петербург.
  2. Диплом II степени за доклад «Monte Carlo simulation of GaAs nanostructure growth by droplet epitaxy», 14th International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices. EDM-2013, Erlagol, Altai, July 1 - July 5, 2013.

Участие в грантах:

  1. РФФИ 17-02-00729 «Создание и исследование электронных свойств границы раздела систем с ферромагнитным упорядочением на топологических изоляторах» (еще не принят).
  2. РФФИ 17-02-00414 «Изучение процесса формирования планарных нанопроволок по механизму пар-жидкость-кристалл» (еще не принят).
  3. РФФИ 16-31-00120 «Исследование механизмов формирования квантовых колец GaAs/AlGaAs методом Монте-Карло моделирования процесса капельной эпитаксии» (действующий).
  4. РФФИ 14-02-00776 «Формирование наноструктур А3В5 по механизму пар-жидкость-кристалл» (действующий).
  5. РФФИ 14-01-31529 «Алгоритм и программное обеспечение для решеточного Монте-Карло моделирования процессов роста на поверхностях алмазоподобных кристаллов с учетом димеризации» (завершен).