к списку аспирантов

Милахин Денис Сергеевич

Публикации:

Статьи в рецензируемых научных журналах:

Название	Первая страница
Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, Ю.Г. Галицын и К.С. Журавлев, «Нитридизация нереконструированной и реконструированной (√31х√31) R±9° поверхности (0001) сапфира в потоке аммиака», Физика и техника полупроводников, том 49, 2015, 925-931.
D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. G. Mansurov, Y. G. Galitsyn, K. S. Zhuravlev, "Chemical kinetics and thermodynamics of the AlN crystalline phase formation on sapphire substrate in ammonia MBE", Journal of Thermal Analysis and Calorimetry, 2018, doi.org/10.1007/s10973-018-7116-z
Т.В. Малин, Д.С. Милахин, В.Г. Мансуров, Ю.Г. Галицын, А.С. Кожухов, В.В. Ратников, А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов, К.С. Журавлeв, "Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN", Физика и техника полупроводников, том 52, вып. 6, 2018, 643-650, DOI:10.21883/FTP.2018.06.45930.8600
Denis Milakhin, Timur Malin, Vladimir Mansurov, Yury Galitsyn, and Konstantin Zhuravlev, Electron-Stimulated Aluminum Nitride Crystalline Phase Formation on the Sapphire Surface, Phys. Status Solidi B, 1800516, 2019, 1-5.
Igor V. Osinnykh, Timur V. Malin, Denis S. Milakhin, Viktor F. Plyusnin, and Konstantin S. Zhuravlev, Donor–acceptor pair emission via defects with strong electron–phonon coupling in heavily doped AlxGa1−xN:Si layers with Al content x > 0.5, Japanese Journal of Applied Physics, 58, SCCB27 (2019), SCCB27-1-7
Т.В. Малин, Д.С. Милахин, И.А. Александров, В.Е. Земляков, В.И. Егоркин, А.А. Зайцев, Д.Ю. Протасов, А.С. Кожухов, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, В.Г. Мансуров, К.С. Журавлёв, Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN, Письма в Журнал технической физики, т. 45, №15, 2019, стр. 21
В.Г. Мансуров, Ю.Г. Галицын, Ю.И. Михайлов, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, К.С. Журавлев, ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ФОРМИРОВАНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СЛОЯ AlN НА ПОВЕРХНОСТИ (0001)Al2O3, Химия в интересах устойчивого развития, №3, 2019, стр. 317
Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, Ю.Г. Галицын, А.С. Кожухов, И.А. Александров, Н.В. Ржеуцкий, Е.В. Лебедок, Е.А. Разумец, К.С. Журавлев, Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных g-AlN и g-Si3N3, Физика твердого тела, том 61, вып. 12, 2019, pp 2327-2332
И.В. Осинных, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, И.А. Александров, К.С. Журавлев, Рост гетероструктур AlGaN:Si c брэгговскими зеркалами для сине-зеленого спектрального диапазона, Автометрия, т. 55, №5, 2019, 93-100.
K Zhuravlev, V Mansurov, Yu Galitsyn, T Malin, D Milakhin and V Zemlyakov, Evolution of the surface states during the in situ SiN layer formation on AlN/GaN heterostructures, Semiconductor Science and Technology, 35, 2020, 075004, doi.org/10.1088/1361-6641/ab7e44
Denis S. Milakhin, Timur V. Malin, Vladimir G. Mansurov, Yury G. Galitsyn, Konstantin S. Zhuravlev, Optimal Stage Determination of Sapphire Nitridation Process Completion under High-Energy Electron Beam Influence, 21st INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICRO/NANOTECHNOLOGIES AND ELECTRON DEVICES EDM 2020, IEEE Xplore, 2020, 14-18, DOI: 10.1109/EDM49804.2020.9153543
Ivan A Aleksandrov, Timur V Malin, Denis S Milakhin, Boris Ya Ber, Dmitrii Yu Kazantsev and Konstantin S Zhuravlev, Donor-acceptor nature of orange photoluminescence in AlN, Semiconductor Science and Technology, 35, 2020, 125006.
Т.В. Малин, Д.С. Милахин, В.Г. Мансуров, А.С. Кожухов, Д.Ю. Протасов, И.Д. Лошкарев, К.С. Журавлев, Рост нитридных гетероэпитаксиальных структур: от эпитаксии буферных слоев до пассивации поверхности, Автометрия, т. 56, № 5, 2020, 44-51.
T.V. Malin, V.G. Mansurov, Yu.G. Galitsyn, D.S. Milakhin, D.Yu. Protasov, B.Ya. Ber, D.Yu. Kazantsev, V.V. Ratnikov, M.P. Shcheglov, A.N. Smirnov, V.Yu. Davydov, K.S. Zhuravlev, Mg3N2 nanocrystallites formation during the GaN:Mg layers growth by the NH3-MBE technique, Journal of Crystal Growth, Vol. 554, 2021, 125963. DOI:10.1016/j.jcrysgro.2020.125963
D.S. Milakhin, T.V. Malin, V.G. Mansurov, Yu.G. Galitsyn, A.S. Kozhukhov, D.E. Utkin, K.S. Zhuravlev, Peculiarities of the AlN crystalline phase formation in a result of the electron-stimulated reconstruction transition (√31×√31)R ± 9◦ - (1 × 1), Applied Surface Science, 2021, 148548. DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.148548.
D S Milakhin, T V Malin, V G Mansurov, Yu G Galitsyn and K S Zhuravlev, Analysis of the AlN phase transition on a sapphire surface within a universal 2D lattice gas model in MBE, Journal of Physics: Conference Series, 1851 (2021) 012005, doi:10.1088/1742-6596/1851/1/012005
Yan E. Maidebura; Vladimir G. Mansurov; Timur V. Malin; Denis. S. Milakhin; Konstantin S. Zhuravlev, Influence of the Elemental Composition on the Surface of the GaN Layer on the Surface Energy in Ammonia MBE, 2021 IEEE 22nd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM), 2021, 83-86. DOI: 10.1109/EDM52169.2021.9507711
Mansurov V.G., Galitsyn Yu.G., Malin T.V., Teys S.A., Milakhin D.S., Zhuravlev K.S. Evolution of the atomic and electronic structures during nitridation of the Si(111) surface under ammonia flux. Applied Surface Science, v. 571, p. 151276, 2022. DOI: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2021.151276.

Труды конференций:

Название	Обложка	Первая страница
Д.С. Милахин, «Физико-химические процессы при взаимодействии NH3 с поверхностью (0001) Al2O3», XV Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, г. Санкт-Петербург, 2013, устный
Милахин Д.С., Малин Т.В., Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г,, Журавлев К.С., «Кинетика нитридизации нереконструированной н реконструированной поверхности (0001) Al2O3 в потоке аммиака при МЛЭ», Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ - 20), 2014, г. Ижевск, заочное участие.
Милахин Д.С., Малин Т.В., Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г,, Журавлев К.С., «Влияние электронного пучка на процесс нитридизации сапфира», Международная научная студенческая конференция (МНСК-2015), г. Новосибирск, 2015, устный.
Милахин Д.С., Малин Т.В., Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г,, Журавлев К.С., «Исследование кинетики нитридизации сапфира с учетом влияния электронного пучка», Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ - 21), г. Омск, 2015, устный.
Milakhin D.S., «Nitridation of unreconstructed and reconstructed surface (0001) of sapphire in a flux of ammonia», городская научно-практическая конференция аспирантов и магистрантов «Progress through Innovations», г. Новосибирск, 2015, устный.
Milakhin D.S., «Влияние электронного пучка на процесс нитридизации сапфира», Европейская конференция кристаллического роста (ECCG5), Болонья, Италия, 2015, стендовый.
Milakhin D.S., «Peculiarities of sapphire nitridation under the influence of a high-energy electron beam», городская научно-практическая конференция аспирантов и магистрантов «Progress through Innovations», г. Новосибирск, 2016, устный.
Denis S. Milakhin, Timur V. Malin, Vladimir G. Mansurov, Yury G. Galitsyn, Konstantin S. Zhuravlev, "Chemical kinetics and thermodynamics of the AlN crystalline phase formation on sapphire substrate in ammonia MBE", XXI International Conference on Chemical Thermodynamics in Russia (RCCT– 2017), 26-30 июня 2017, г. Новосибирск, Россия, устный
Александров И.А., Малышева Е.Д., Мансуров В.Г., Малин Т.В., Конфедератова К.А. , Милахин Д.С. , Гилинский А.М., Журавлев К.С. , Cho J.-H., ChoY.-H. Экситон-фононное взаимодействие в одиночных квантовых точках GaN/AlN, полученных методом капельной эпитаксии, XIII Российская конференция по физике полупроводников, Екатеринбург, 2-6 октября, 2017, стендовый доклад на российской конференции.
Мансуров В.Г., Малин Т.В., Галицын Ю.Г., Милахин Д.С., Журавлев К.С., Cora I., Kovacs A., Pecz B. Формирование графеноподобного AlN на поверхности (111)Si, XIII Российская конференция по физике полупроводников, Екатеринбург, 2-6 октября, 2017, стендовый доклад на российской конференции.
Мансуров В.Г., Малин Т.В, Галицын Ю.Г, Милахин Д.С., Журавлев К.С. Образование двумерного монослоя SiN на поверхности (111)Si в потоке аммиака, XIII Российская конференция по физике полупроводников, Екатеринбург, 2-6 октября, 2017, стендовый доклад на российской конференции.
Милахин Д.С., Малин Т.В., Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г., Журавлев К.С., Механизм ускорения нитридизации сапфира быстрыми электронами, XIII Российская конференция по физике полупроводников, 02.10-06.10.2017 Екатеринбург, Россия, стендовый
Милахин Д.С., Малин Т.В., Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г,, Журавлев К.С., “Electron beam induced reconstruction transition and nitridation of sapphire”, 2017 Russia-Japan Conference "Advanced Materials: Synthesis, Processing and Properties of Nanostructures", г. Сендай, Япония 2017 г., стендовый.
Милахин Д.С., Малин Т.В., Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г,, Журавлев К.С., “Electron beam induced reconstruction transition and nitridation of sapphire”, 19th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy, г. Санкт-Петербург, 2017 г., стендовый.
D.S. Milakhin, T.V. Malin, V.G. Mansurov, Y.G. Galitsyn, K.S. Zhuravlev, Influence of the electron beam on the initial stage of AlN formation in ammonia MBE, ICNS 12 - 12th International Conference on Nitride Semiconductors, July 24-28, 2017 - Strasbourg, France, стендовый
Р.В. Рыжук, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, Д.С. Милахин, К.С. Журавлев, Н.И. Каргин,Температурный диапазон двумерного роста GaN при аммиачной МЛЭ, 11-я Всероссийская конференция "Нитриды Галлия, Индия и Алюминия: структуры и приборы", Москва, 1-3 февраля, 2017, Стендовый доклад
Милахин Д.С., Малин Т.В., Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г,, Журавлев К.С., "Определение корректного времени нитридизации сапфира с учетом влияния электронного пучка", Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы, г. Москва 2017 г, стендовый.
Милахин Д.С., Малин Т.В., Мансуров В.Г.,Галицын Ю.Г., Кожухов А.С., Журавлев К.С, "ЭЛЕКТРОННО-СТИМУЛИРОВАННОЕ ФОРМИРОВАНИЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ФАЗЫ AlN НА РЕКОНСТРУИРОВАННОЙ (√31×√31)R±9° ПОВЕРХНОСТИ САПФИРА", III Международная научная конференция "АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА" (ФТТ-2018), 25-28 сентября 2018 года, г. Минск, Беларусь, постер.
Igor Osinnykh,Timur Malin,Denis Milakhin, and Konstantin Zhuravlev, The energy structure of recombination centers in heavily doped AlxGa1-xN:Si layers with x>0.5 grown by molecular beam epitaxy,The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), Kanazawa, November 11 – 16, 2018, Стендовый доклад
Milakhin Denis, Malin Timur, Mansurov Vladimir, Galitsyn Yury, Zhuravlev Konstantin, "Electron-stimulated III-nitride crystalline phase formation on the sapphire surface in ammonia MBE", 34th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2018), on July 29 to August 3, 2018, Corum, Montpellier, France, poster presentation.
И.В.Осинных, Т.В.Малин, Д.С. Милахин, И.А. Александров, К.С. Журавлев, Рост гетероструктур AlGaN:Si брегговских зеркал для спектрального диапазона, соответствующего зеленой люминесценции, Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) «ФОТОНИКА 2019», 27–31 мая, 2019 Новосибирск, Стендовый.
Mansurov V.G., Galitsyn Yu.G., Malin T.V., Milakhin D.S., Konfederatova K.A., Zhuravlev K.S.REVERSIBLE 2D-3D TRANSITION IN THIN GaN LAYER FORMED ON THE AlN (0001) SURFACE, МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ. МЕХАНИЗМЫ И НЕЛИНЕЙНЫЕ ПРОБЛЕМЫ НУКЛЕАЦИИ И РОСТА КРИСТАЛЛОВ И ТОНКИХ ПЛЕНОК (MGCTF 2019), Санкт-Петербург, 01 — 05 ИЮЛЯ 2019, 2019, Стендовый
Mansurov V.G., Galitsyn Yu.G., Malin T.V., Milakhin D.S., Teys S.A., Zhuravlev K.S., NUCLEATION OF THE GRAPHENE-LIKE Si3N3 LAYER ON THE Si (111) STUDIED BY STM, МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ. МЕХАНИЗМЫ И НЕЛИНЕЙНЫЕ ПРОБЛЕМЫ НУКЛЕАЦИИ И РОСТА КРИСТАЛЛОВ И ТОНКИХ ПЛЕНОК (MGCTF 2019), Санкт-Петербург, 01 — 05 ИЮЛЯ 2019, 2019, Устный
Milakhin D.S., Malin T.V., Mansurov V.G., Galitsyn Yu.G., Zhuravlev K.S., Lebiadok Ya.V., Razumets A.A., GaN NANOCRYSTALS FORMATION ON THE GRAPHENE-LIKE g-AlN AND g-Si3N3 SURFACES, МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ. МЕХАНИЗМЫ И НЕЛИНЕЙНЫЕ ПРОБЛЕМЫ НУКЛЕАЦИИ И РОСТА КРИСТАЛЛОВ И ТОНКИХ ПЛЕНОК (MGCTF 2019), Санкт-Петербург, 01 — 05 ИЮЛЯ 2019, 2019, Стендовый доклад
В.Г. Мансуров, Ю.Г. Галицын, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, К.А Конфедератова, К.С. Журавлев, Е.В. Лебедок, Е.А. Разумец.Фазовый 2D-3D переход на поверхности (0001) тонкого слоя GaN, XIV Российская конференция по физике полупроводников, г. Новосибирск, санаторий «Сосновка», 9-13 сентября, 2019, Стендовый доклад
Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, Ю.Г. Галицын, К.С. Журавлев, Е.В. Лебедок, Е.А. Разумец. Образование нанокристаллов GaN на rрафеноподобных g-AlN и g-Si3N3 методом аммиачной МЛЭ., XIV Российская конференция по физике полупроводников, г. Новосибирск, санаторий «Сосновка», 9-13 сентября, 2019, Стендовый доклад
В.Г. Мансуров, Ю.Г. Галицын, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, С.А. Тийс, К.С. Журавлев. Морфологические исследования графеноподобного слоя Si3N3 на поверхности Si(111)., XIV Российская конференция по физике полупроводников, г. Новосибирск, санаторий «Сосновка», 9-13 сентября, 2019, Стендовый доклад
Т.В. Малин, Д.С. Милахин, И.А. Александров, В.Е. Земляков, В.И. Еrоркин, А.А. Зайцев, Д.Ю. Протасов, А.С. Кожухов, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, В.Г. Мансуров, К.С. Журавлёв, Высокоомный GaN буфер для AlGaN/GaN-HEMT, XIV Российская конференция по физике полупроводников, г. Новосибирск, санаторий «Сосновка», 9-13 сентября, 2019, Устный доклад
В.Г. Мансуров, Ю.Г. Галицын, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, К.С. Журавлев. Влияние потока Si на фазовый переход (7x7)-(1x1) на поверхности Si (111), XIV Российская конференция по физике полупроводников, г. Новосибирск, санаторий «Сосновка», 9-13 сентября, 2019, Стендовый доклад
Т.В. Малин, Д.С. Милахин, И.А. Александров, В.Е. Земляков, Д.Ю. Протасов, А.С. Кожухов, Б.Я. Бер, В.Г. Мансуров, К.С. Журавлёв, Компенсированный высокоомный буфер для GaN HEMT, VIII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника и микроэлектроника СВЧ», Санкт-Петербург, 3-6 июня, 2019, Устный доклад
I. V. Osinnykh, T. V. Malin, D.S. Milakhin, K. S. Zhuravlev, B. Ya. Ber and D. Yu. Kazantcev, Transformation of inverse domains at the AlN / AlGaN interface, 20th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy (EuroMBE 2019), Lenggries, February 17th to 20th, 2019, Стендовый доклад
V.G. Mansurov, T.V. Malin, D.S. Milakhin, K.A. Konfederatova, Yu.G.Galitsyn, K.S. Zhuravlev, Influence of the temperature and ammonia flux onto the 2D-3D transition during GaN QDs formation on the (0001)AlN surface, 20th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy (EuroMBE 2019), Lenggries, February 17th to 20th, 2019, Стендовый доклад
Milakhin D.S., Malin T.V., Mansurov V.G., Galitsyn Yu.G., Kozhukhov A.S. and Zhuravlev K.S., Electron-stimulated formation of the AlN crystalline structure on the reconstructed (√31 × √31) R±9° sapphire surface, The 20th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy - EuroMBE 2019 - from February 17th to 20th, 2019. Lenggries, Germany, стендовый
Denis S. Milakhin, Timur V. Malin, Vladimir G. Mansurov, Yury G. Galitsyn, Konstantin S. Zhuravlev, Optimal Stage Determination of Sapphire Nitridation Process Completion under High-Energy Electron Beam Influence, XXI International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, 29 June - 3 July 2020, устный.
Милахин Д.С., Журавлев К. С., Анализ фазового перехода AlN на поверхности сапфира в рамках универсальной модели 2D решеточного газа в условиях МЛЭ, XXII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, 24-27 ноября, 2020, Санкт-Петербург, стендовый.
Милахин Д.С., Мансуров В.Г., Журавлев К. С., Универсальная модель 2D решеточного газа для описания процесса нитридизации сапфира методом молекулярно-лучевой эпитаксии, Всероссийская научная конференция молодых ученых «Наука. Технологии. Инновации» (НТИ 2020), 30 ноября - 4 декабря, 2020, Новосибирск, Устный доклад
В.Г. Мансуров, Ю.Г. Галицын, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, С.А. Тийс, К.С. Журавлев, ОБРАЗОВАНИЕ НОВОЙ ГРАФЕНОПОДОБНОЙ МОДИФИКАЦИИ НИТРИДА КРЕМНИЯ (g-Si3N3) НА ПОВЕРХНОСТИ Si(111), 12-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники (Мокеровские чтения), 19–20 мая 2021 года, г. Москва, устный.
Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, Ю.Г. Галицын, Д.С. Милахин, В.Е. Земляков, К. С. Журавлев, ЭВОЛЮЦИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ В ПРОЦЕССЕ IN SITU ФОРМИРОВАНИЯ СЛОЯ SiN НА ПОВЕРХНОСТИ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ AlN/GaN, 12-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники (Мокеровские чтения), 19–20 мая 2021 года, г. Москва, устный.
Yan E. Maidebura; Vladimir G. Mansurov; Timur V. Malin; Denis. S. Milakhin; Konstantin S. Zhuravlev, Influence of the Elemental Composition on the Surface of the GaN Layer on the Surface Energy in Ammonia MBE 2021 IEEE 22nd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM), 30 June-4 July 2021, Souzga, the Altai Republic, Russia , устный.
Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, К.С. Журавлев, Анализ полупроводниковых слоев AlN на подложке сапфира (0001) методом спектроскопии поверхностных поляритонов, Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) ФОТОНИКА 2021, г. Новосибирск, Россия, 4-8 октября 2021 г., стендовый доклад. Докладчик. ISBN 978-5-6046428-9-4, стр. 128, DOI 10.34077/RCSP2021-128;
В.Г. Мансуров, Ю.Г. Галицын, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, А.С. Петров, К.С. Журавлев, Процессы формирования упорядоченных двумерных фаз кремния (пористого силицена) на поверхности g-Si3N3/Si(111), Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) ФОТОНИКА 2021, г. Новосибирск, Россия, 4-8 октября 2021 г., устный доклад. Соавтор. ISBN 978-5-6046428-9-4, стр. 67, DOI 10.34077/RCSP2021-67;
И.В. Осинных, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, И.А. Александров, К.С. Журавлев, Установление типов переходов, ответственных за фиолетовую полосу фотолюминесценции в сильно легированном AlN:Si. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) ФОТОНИКА 2021, г. Новосибирск, Россия, 4-8 октября 2021 г., стендовый доклад. Соавтор. ISBN 978-5-6046428-9-4, стр. 121, DOI 10.34077/RCSP2021-121;
D. Milakhin, T. Malin, V. Mansurov, Yu. Galitsyn, and K. Zhuravlev, Formation regularities of the AlN crystalline phase on the sapphire surface by molecular beam epitaxy technique, IX International Scientific Conference «ACTUAL PROBLEMS OF SOLID STATE PHYSICS» (APSSP-2021), Minsk, Belarus, November 22-26, 2021, устный доклад. Докладчик. P. 314;

Личное участие в конференциях:

Название	Обложка тезисов	Обложка программы	Время выступления	Первая страница
Д.С. Милахин, Физико-химические процессы при взаимодействии NH3 с поверхностью (0001) Al2O3, XV Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, г. Санкт-Петербург, 25.11-29.11.2013, устный доклад
Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, Ю.Г. Галицын и К.С. Журавлев, Влияние электронного пучка па процесс нитридизации сапфира, Международная научная студенческая конференция (МНСК-2015), г. Новосибирск, 11.04 – 17.04.2015, устный доклад
Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, Ю.Г. Голицын и К.С. Журавлев, Исследование кинетики нитридизации сапфира с учетом влияния электронного пучка, Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ - 21), г. Омск, 26.03 – 2.04.2015, устный доклад
Д.С. Милахин, Studying nitridation process of unreconstructed and reconstructed surface (0001) of Al2O3 in a stream of ammonia, Городская научно-практическая конференция аспирантов и магистрантов «Progress through Innovations», г. Новосибирск, 2.04.2015, устный доклад
D.S. Milakhin, Peculiarities of sapphire nitridation under the influence of the high-energy electron beam, Европейская конференция кристаллического роста (ECCG5), Болонья, Италия, 09.09 – 11.09.2015, стендовый доклад
Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, Ю.Г. Галицын и К.С. Журавлев, Peculiarities of sapphire nitridation under the influence of the high-energy electron beam, Городская научно-практическая конференция аспирантов и магистрантов «Progress through Innovations», г. Новосибирск, 31.03.2016, устный доклад
Denis S. Milakhin, Timur V. Malin, Vladimir G. Mansurov, Yury G. Galitsyn, Konstantin S. Zhuravlev, "Chemical kinetics and thermodynamics of the AlN crystalline phase formation on sapphire substrate in ammonia MBE", XXI International Conference on Chemical Thermodynamics in Russia (RCCT– 2017), г. Новосибирск, Россия, 26-30 июня 2017, устный доклад
Denis Milakhin, Timur Malin, Vladimir Mansurov, Yury Galitsyn, Konstantin Zhuravlev, "Ectron beam induced reconstruction transition and nitridation of sapphire", 2017 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for Materials Integration Center and Materials Science Center in conjunction with 2017 Russia-Japan Conference "Advanced Materials: Synthesis, Processing and Properties of Nanostructures", г. Сендай (Япония), 21-22.03.17, стендовый доклад
Milakhin D.S., Malin T.V., Mansurov V.G., Galitsyn Yu.G., Zhuravlev K.S., Lebiadok Ya.V., Razumets A.A., GaN NANOCRYSTALS FORMATION ON THE GRAPHENE-LIKE g-AlN AND g-Si3N3 SURFACES, МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ. МЕХАНИЗМЫ И НЕЛИНЕЙНЫЕ ПРОБЛЕМЫ НУКЛЕАЦИИ И РОСТА КРИСТАЛЛОВ И ТОНКИХ ПЛЕНОК (MGCTF 2019), Санкт-Петербург, Стендовый доклад, 01 — 05 ИЮЛЯ 2019,, стендовый доклад
Mansurov V.G., Galitsyn Yu.G., Malin T.V., Milakhin D.S., Konfederatova K.A., Zhuravlev K.S., REVERSIBLE 2D-3D TRANSITION IN THIN GaN LAYER FORMED ON THE AlN (0001) SURFACE, МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ. МЕХАНИЗМЫ И НЕЛИНЕЙНЫЕ ПРОБЛЕМЫ НУКЛЕАЦИИ И РОСТА КРИСТАЛЛОВ И ТОНКИХ ПЛЕНОК (MGCTF 2019), Санкт-Петербург, 01 — 05 ИЮЛЯ 2019, стендовый доклад
Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, Ю.Г. Галицын, К.С. Журавлев, Е.В. Лебедок, Е.А. Разумец. , Образование нанокристаллов GaN на rрафеноподобных g-AlN и g-Si3N3 методом аммиачной МЛЭ., XIV Российская конференция по физике полупроводников, г. Новосибирск, санаторий «Сосновка», 9-13 сентября, 2019, стендовый доклад
Denis S. Milakhin, Timur V. Malin, Vladimir G. Mansurov, Yury G. Galitsyn, Konstantin S. Zhuravlev, Optimal Stage Determination of Sapphire Nitridation Process Completion under High-Energy Electron Beam Influence, XXI International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, Эрлагол, Алтай, 29 June - 3 July 2020, устный доклад
Милахин Д.С., Журавлев К. С., Анализ фазового перехода AlN на поверхности сапфира в рамках универсальной модели 2D решеточного газа в условиях МЛЭ,, XXII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, Россия, 24-27 ноября, 2020, стендовый доклад
Милахин Д.С., Мансуров В.Г., Журавлев К. С., Универсальная модель 2D решеточного газа для описания процесса нитридизации сапфира методом молекулярно-лучевой эпитаксии, Всероссийская научная конференция молодых ученых «Наука. Технологии. Инновации» (НТИ 2020), Новосибирск, Россия, 30 ноября - 4 декабря, 2020, устный доклад
Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, К.С. Журавлев, Анализ полупроводниковых слоев AlN на подложке сапфира (0001) методом спектроскопии поверхностных поляритонов, Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) ФОТОНИКА 2021, г. Новосибирск, Россия, 4-8 октября 2021 г., стендовый доклад
D. Milakhin, T. Malin, V. Mansurov, Yu. Galitsyn, and K. Zhuravlev, Formation regularities of the AlN crystalline phase on the sapphire surface by molecular beam epitaxy technique, IX International Scientific Conference «ACTUAL PROBLEMS OF SOLID STATE PHYSICS» (APSSP-2021), Minsk, Belarus, November 22-26, 2021, устный доклад

Личные достижения (дипломы, гранты, награды, сертификаты, именные стипендии):

1. Сертификат участия во II туре Открытой Международной студенческой Интернет-Олимпиады по дисциплине Химия, 13.04.2012
2. Диплом I степени за первое место во II туре Открытой Международной студенческой Интернет-Олимпиады по дисциплине Химия, 13.04.2012
3. Диплом II степени за победу в заключительном туре Открытой Международной студенческой Интернет-Олимпиады по дисциплине Химия, 13.04.2012
4. Серебряная медаль за победу в заключительном туре Открытой Международной студенческой Интернет-Олимпиады по дисциплине Химия, 13.04.2012
5. Диплом за доклад «Физико-химические процессы при взаимодействии NH3 с поверхностью (0001) Al2O3», XV Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, г. Санкт-Петербург, 25.11-29.11.2013.
6. Диплом за лучший доклад на научной конференции «Дни студенческой науки НГТУ-2014»
7. Диплом за лучший доклад среди студентов старших курсов на Двадцать первой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых, г. Омск, 26.03 – 2.04.2015
8. Diploma with distinction for one of the best presentations at the City Scientific Conference of Graduate and Postgraduate Students «Progress through Innovations», Novosibirsk, 2.04.2015
9. Диплом второй степени за работу, представленную на 53-ю Международную научную студенческую конференцию МНСК-2015, г. Новосибирск, 11.04 – 17.04.2015
10. Diploma with distinction for one of the best presentations at the City Scientific Conference of Graduate and Postgraduate Students «Progress through Innovations», Novosibirsk, 31.03.2016
11. Диплом за участие во II туре конкурсного отбора Стипендиальной программы В. Потанина, 01.02.2016
12. Стипендия имени Г.П. Лыщинского «За значительные достижения в учебе, научной, научно-технической и творческой деятельности», с 01.01.2013 по 31.12.2013
13. Стипендия имени Г.П. Лыщинского «За значительные достижения в учебе, научной, научно-технической и творческой деятельности», с 01.01.2015 по 31.12.2015
14. Стипендия конкурса ИФП СО РАН для молодых ученых, 2016 год
15. Certificate of exellence XXI International Conference on Chemical Thermodynamics in Russia (RCCT - 2017), Category: Best oral presentation
16. Стипендия конкурса ИФП СО РАН для молодых ученых, 2018 год
17. Диплом за работу "Начальная стадия эпитаксии А3-нитридов на подложке сапфира: от нитридизации до высококачественного буфера", получившую 2 премию в конкурсе научных работ ИФП СО РАН в 2019 году.
18. Диплом лауреата конкурса на присуждение премии мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций в номинации "Лучший молодой исследователь в организациях науки" в отрасли физико-математических наук 2019г.
19. Стипендия Президента Российской Федерации молодым ученым и аспирантам, осуществляющим перспективные научные исследования и разработки по приоритетным направлениям модернизации российской экономики, на 2019-2021 годы
20. Диплом победителя программы "УМНИК"
21. The first place diploma for the report Optimal Stage Determination of Sapphire Nitridation Process Completion under High-Energy Electron Beam Influence at the section Section 1. Semiconductor Physics and Technology
22. Именная стипендия им.К.К. Свиташева на конкурсе ИФП СО РАН для молодых ученых, 2020 год
23. Диплом III степени за доклад на XIV Всероссийской научной конференции молодых ученых «Наука. Технологии. Инновации.»

Участие в грантах:

1. Грант НГТУ для выполнения научной работы от 07.05.2015 «Влияние электронного пучка на процесс нитридизации сапфира».
2. Грант № 18-52-00008 Бел_а, Графеноподобные GaN/AlN наноструктуры., Статус: Поддержан
3. Договор № 829-14 МИФИ НИР «Исследование технологического процесса получения гетероэпитаксиальных структур с двумерным электронным газом на основе нитридов галлия и алюминия на подложках кремния и карбида кремния" 2014 - 2016 г.
4. СОГЛАШЕНИЕ о предоставлении субсидии № 514.613.21.0039 Минобрнауки, НИР «Создание новых лазерных сред на основе AlGaN гетероструктур, активированных дефектами" 2015 - 2016 г.
5. Контракт № 750/НТК/870-16 НПО «Орион» «Разработка молекулярно-лучевых гетероэпитаксиальных структур для матричных фотоприемных модулей ультрафиолетового диапазона» 2015 - 2017 г.
6. Проект № 14.613.21.0039, Создание новых лазерных сред на основе AlGaN гетероструктур, активированных дефектами; исследование их люминесцентных и генерационных свойств и разработка лазерных систем на этой основе сине-зеленого спектрального диапазона.
7. Грант № 17-52-04023 Бел_мол_а, Атомная и энергетическая структура гетерограниц и интерфейсных дефектов в низкоразмерных структурах на основе нитридов металлов третьей группы, Статус: Поддержана.
8. Грант № 17-02-00947 А, Ван-дер-Ваальсовские и графеноподобные кристаллы AlN и SiN, Статус: Поддержана.
9. Грант № 16-52-46029 СТ_а, Широкозонные полупроводниковые излучатели света на горячих электронах, Статус: Получены печатные формы 25.09.2015.
10. Грант № 16-02-00175 А, Особенности пространственной микроструктуры и электронного строения многослойных гетеросистем GaN/AlN и Ge/Si по данным XAFS спектроскопии, Статус: Поддержана.
11. Грант № 16-02-00018 А, Исследование люминесцентных и генерационных свойств лазерных сред на основе AlGaN /AlN гетероструктур, активированных дефектами, Статус: Поддержана.
12. Грант № 14-02-91371 СТ_а, Управление свойствами двумерного электронного газа с помощью in situ пассивации поверхности AlGaN/GaN гетероструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии, Статус: Завершен.
13. Грант № 14-02-92007 ННС_а, InGaN/AlN квантовые точки для источников одиночных и запутанных фотонов, работающих при комнатной температуре, Статус: Завершен.
14. Грант № 13-02-00985 А, Атомная структура двумерного кристаллического слоя AlN на поверхностях (0001) Al2O3 и (111) Si и процессы его формирования., Статус: Завершён 31.12.2015.
15. Грант РНФ №18-72-00136 "Энергетическая структура и оптические свойства точечных дефектов в широкозонных кристаллах нитридов металлов третьей группы"

Научно-педагогическая практика:

1. Филиал кафедры ППиМЭ факультета РЭФ НГТУ в ИФП СО РАН, Руководитель практики: В.Г. Половинкин. Предмет "Актуальные проблемы современной нанотехнологии".

Отчёты о выполнении НИР:

Аннотация выпускной квалификационной работы: