Тарасов Андрей Сергеевич

Дата рождения: 22.05.1994
Вуз (дата окончания): НГТУ (2018)
Год поступления в аспирантуру: 2018
Форма обучения: очная
Направление подготовки: 03.06.01 - "Физика и астрономия"
Специальность: 01.04.10 - "Физика полупроводников"
Тема диссертации: Поверхностные и объёмные свойства плёнок СОТ, выращенных методом МЛЭ на подложках BaF2
Научный руководитель: д.ф.-м.н., профессор Терещенко Олег Евгеньевич
Лаборатория: Лаб. №9
E-mail:

Публикации:

Статьи в рецензируемых научных журналах:

НазваниеПервая страница
А.С. Тарасов, Д.В. Ищенко, А.Н. Акимов, О.И. Ахундов, В.А. Голяшов, А.Э. Климов, Н.С. Пащин, С.П. Супрун, Е.В. Федосенко, В.Н. Шерстякова, О.Е. Терещенко, Модификация поверхностных свойств эпитаксиальных слоёв PbSnTe с составом вблизи инверсии зон , Журнал технической физики, т. 89, №11, 2019, стр. 1795
Климов А.Э., Акимов А.Н., Ахундов О.И., Голяшов В.А., Горшков Д.В., Ищенко Д.В., Сидоров Г.Ю., Супрун С.П., Тарасов А.С., Эпов В.С., Терещенко О.Е., Динамика поверхностной проводимости в пленках PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон , Физика и техника полупроводников, т. 53, №9, 2019, стр. 1207
Andrey K.Kaveev, Vladimir A.Golyashov, Alexander E.Klimov, Eike F.Schwiere, Sergey M.Suturina, Andrey S.Tarasov, Oleg E.Tereshchenko, Structure and magneto-electric properties of Co-based ferromagnetic films grown on the Pb0.71Sn0.29Te crystalline topological insulator, Materials Chemistry and Physics, Volume 240, 15 January 2020, 122-134
Tarasov A.S., Akhundov I.O., Golyashov V.A., Ishchenko D.V., Suprun S.P., XPS and RHEED study of chemically treated PbSnTe surface , International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), Conference Proceeding, 2019, т.-, стр. 19025081
Климов А.Э., Акимов А.Н., Ахундов И.О., Голяшов В.А., Горшков Д.В., Ищенко Д.В., Матюшенко Е.В., Неизвестный И.Г., Сидоров Г.Ю., Супрун С.П., Тарасов А.С., Терещенко О.Е., Эпов В.С., Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами, Физика и техника полупроводников, 2020, т.54, №10, стр. 1122-1128
Акимов А.Н., Ахундов И.О., Ищенко Д.В., Климов А.Э., Неизвестный И.Г., Пащин Н.С., Супрун С.П., Тарасов А.С., Терещенко О.Е., Федосенко Е.В., Шерстякова В.Н., Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом, Физика и техника полупроводников, 2020, т.54, №8, стр. 796-800
Тарасов А.С., Голяшов В.А., Ищенко Д.В., Ахундов И.О., Климов А.Э., Эпов В.С., Кавеев А.К., Супрун С.П., Шерстякова В.Н., Терещенко О.Е., Эффект поля и спин-вентильный эффект в кристаллическом топологическом изоляторе PbSnTe, Автометрия, 2020, т.56, №5, стр. 121-126

Труды конференций:

НазваниеОбложкаПервая страница
А.Э. Климов, А.Н. Акимов, И.О. Ахундов, В.А. Голяшов, Д.В. Горшков, Д.В. Ищенко, Е.В. Матюшенко, И.Г. Неизвестный, Г.Ю. Сидоров, С.П. Супрун, А.С. Тарасов, О.Е. Терещенко, В.С. Эпов, Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами, Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта, 2020
XPS and RHEED Study of Chemically Treated PbSnTe Surface, Andrey S. Tarasov ; Igor O. Akhundov ; Vladimir A. Golyashov ; Denis V. Ishchenko ; Sergey P. Suprun, 20th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), Эрлагол (Республика Алтай), 29 июня - 3 июля, 2019
Spin polarized states and spin dependent effects in PbSnTe topological crystalline insulator, V.A. Golyashov, A.E. Klimov, A.N. Akimov, A.S. Tarasov, D.V. Ischenko, S.P. Suprun, A.K. Kaveev, O.E. Tereshchenko, VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism»: EASTMAG - 2019, Екатеринбург, September 08 – 13, 2019
Пассивирующие и термодесорбционные свойства теллура на поверхности PbSnTe, О.И. Ахундов, В.А. Голяшов, Д.В. Ищенко, А.Э. Климов, С.П. Супрун, А.С. Тарасов, О.Е. Терещенко, XIV Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники-2019", Новосибирск, 9-13 сентября 2019 г., 2019
Поверхностные состояния в PbSnTe:In МДП-транзисторе с индуцированным каналом , А.Э. Климов, А.Н. Акимов, О.И. Ахундов, В.А. Голяшов, Д.В. Горшков, Д.В. Ищенко, Г.Ю. Сидоров, С.П. Супрун, А.С. Тарасов, В.С. Эпов, О.Е. Терещенко, XIV Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники-2019", Новосибирск, 9-13 сентября 2019 г.
Спиновая поляризация и спин-зависимый транспорт в кристаллическом топологическом изоляторе PbSnTe, О.Е. Терещенко, В.А. Голяшов, А.К. Кавеев, А.Э. Климов, А.Н. Акимов, А.С. Тарасов, Д.В. Ищенко, С.П. Супрун, О.И. Ахундов, XIV Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники-2019", Новосибирск, 9-13 сентября 2019 г., 2019
Транспортные свойства тонких плёнок Pb1-xSnxTe:In вблизи фазы ТКИ в зависимости от физико-химического состояния поверхности , Д.В. Ищенко, А.Н. Акимов, О.И. Ахундов, В.А. Голяшов, А.Э. Климов, Н.С. Пащин, С.П. Супрун, А.С. Тарасов, Е.В. Федосенко, В.Н. Шерстякова, О.Е. Терещенко, XIV Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники-2019", Новосибирск, 9-13 сентября 2019 г., 2019
Спиновая поляризация и спин-зависимые эффекты в кристаллическом топологическом изоляторе PbSnTe , В.А. Голяшов, А.Э. Климов, А.Н. Акимов, А.С. Тарасов, Д.В. Ищенко, С.П. Супрун ,А.К. Кавеев, О.Е. Терещенко, XXIII симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 11-14 марта 2019, 2019
Влияние поверхности на фотопроводимость плёнок Pb1-хSnхTe:In с составом 0,28 ≤ х ≤ 0,32, А.Н. Акимов, И.О. Ахундов, Д.В. Ищенко, А.Э. Климов, Н.С. Пащин, С.П. Супрун, А.С. Тарасов, О.Е. Терещенко, Е.В. Федосенко, В.Н. Шерстякова, Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) «ФОТОНИКА 2019», Новосибирск, 27–31 мая, 2019
Локализованные состояния и фоточувствительность плёнок PbSnTe:In в ИК и ТГц областях спектра , А.Э. Климов, А.Н. Акимов, В.А. Голяшов, Д.В. Ищенко, Н.С. Пащин, С.П. Супрун, А.С. Тарасов, О.Е. Терещенко, В.Н. Шерстякова, В. С. Эпов, Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) «ФОТОНИКА 2019», Новосибирск, 27–31 мая, 2019

Личное участие в конференциях:

НазваниеОбложка тезисовОбложка программыВремя выступленияПервая страница
A.N. Akimov, D.V. Ishchenko, A.E. Klimov, N.S. Paschin, A.S. Tarasov, V.N. Sherstyakova, Planar Barrier Structures Based on Thin Films of Pb1-xSnxTe:In for the Far IR Photodetector: Preparation and Properties, 18th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, Erlagol (Altai Republic), Russia, 29 June-3 July 2017, устный доклад
Andrey S. Tarasov ; Igor O. Akhundov ; Vladimir A. Golyashov ; Denis V. Ishchenko ; Sergey P. Suprun, XPS and RHEED Study of Chemically Treated PbSnTe Surface, 20th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), Erlagol (Altai Republic), Russia, 29 June-3 July 2019, устный доклад

Аннотация выпускной квалификационной работы: