Спирина Анна Александровна

Дата рождения: 08.04.1996
Вуз (дата окончания): НГТУ (2018)
Год поступления в аспирантуру: 2018
Форма обучения: очная
Направление подготовки: 03.06.01 - "Физика и астрономия"
Специальность: 01.04.10 - "Физика полупроводников"
Тема диссертации: Изучение процесса формирования планарных и непланарных нанопроволок методом Монте-Карло моделирования
Научный руководитель: к.ф.-м.н., доцент Шварц Наталия Львовна
Лаборатория: Гр. №2
E-mail:

Публикации:

Статьи в рецензируемых научных журналах:

НазваниеПервая страница
A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz, Influence of GaAs substrates properties on the congruent evaporation temperature, Journal of Physics: Conference Series, Vol. 993, No 1, 2018, 12011, doi.org/10.1088/1742-6596/993/1/012011
A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz, Surface Orientation Influence on the Langmuir Evaporation Characteristics of GaAs Substrates, Defect and Diffusion Forum, Vol. 386, 2018, p. 21-26, doi.org/10.4028/www.scientific.net/DDF.386.21
A. A. Spirina, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz, Comparative Characteristics of GaAs and InAs Langmuir Evaporation - Monte Carlo Simulation, Defect and Diffusion Forum, Vol. 386, 2018, p. 27-32, doi 10.4028/www.scientific.net/DDF.386.27
А. А. Спирина, А. Г. Настовьяк, С.В. Усенков, Н. Л. Шварц, Решеточная Монте-Карло модель ленгмюровского испарения полупроводников AIIIBV, Вычислительные технологии, Том 23, Вып. 6, 2018, С. 81-94, doi 10.25743/ICT.2018.23.6.008
A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz, Monte Carlo simulation of Ga droplet movement during the GaAs Langmuir evaporation, Semiconductors, Vol. 52, No 16, 2018, p. 2133-2137, doi.org/10.1134/S1063782618160340
A. Spirina, N. Shwartz, Metal droplet formation and motion during the III-V semiconductor evaporation, Materials Science in Semiconductor Processing, 100, 2019, 319-325, doi.org/10.1016/j.mssp.2019.05.012
A.A. Spirina, I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz, Initial stages of planar GaAs nanowire growth – Monte Carlo simulation, Semiconductors, 53, 16, 2019, 81-84
А. А. Спирина, Н. Л. Шварц, Влияние температуры на морфологию планарных нанопроволок GaAs (моделирование), Физика и техника полупроводников, 54, 2, 2020, 156-160
Spirina A. A., Shwartz N. L., Influence of gallium and arsenic deposition rates on the GaAs planar nanowire morphology, Journal of Physics: Conference Series, 1482, 2020, 12007
A.A. Spirina, V.L. Alperovich, N.L. Shwartz, Langmuir evaporation of GaAs(111)A and GaAs(111)B: Monte Carlo simulation, Applied Surface Science, 540, 1, 2021, 148281

Труды конференций:

НазваниеОбложкаПервая страница
A. A. Spirina, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz, Examination of GaAs and InAs Langmuir evaporation by simulation, The Fourth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT 2018), 23-28 сентября 2018, Владивосток, постер
A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz, Surface orientation influence on the characteristics of GaAs substrates high-temperature annealing, The Fourth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT 2018), 23-28 сентября 2018, Владивосток, устный
A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz, Analyses of new crystal layer formation at droplet-crystal interface during AIIIBV nanowire growth by Monte Carlo simulation, 20th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy (EuroMBE 2019), February 17th to 20th, 2019, Lenggries, Germany, постер
Anna A. Spirina, Nataliya L. Shwartz, Simulation of Planar Nanowire Growth Based on AIIIBV Semiconductors, 20th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM 2019), June 29 - July 3, 2019, Altai Republic, Russia, устный
Шварц Н.Л., Спирина А.А., Движение капель металла при высокотемпературных отжигах полупроводников III-V (Монте Карло моделирование), XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9 - 13 сентября 2019, Новосибирск, постер
Спирина А.А., Шварц Н.Л., Условия формирования планарных нанопроволок GaAs (моделирование), XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9 - 13 сентября 2019, Новосибирск, постер
Anna Spirina, Nataliya Shwartz, Monte Carlo simulation of planar GaAs nanowire growth, Nanowire Week 2019, September 23 to 27, 2019, Pisa (Tuscany), Italy, постер
А. А. Спирина, Н. Л. Шварц, В.С. Деревщиков, Решеточная Монте-Карло модель сорбции/регенерации высокотемпературного регенерируемого сорбента, XX Всероссийская конференция молодых учёных по математическому моделированию и информационным технологиям, 28 октября - 1 ноября 2019, Новосибирск, устный
Спирина А.А., Шварц Н.Л., Влияние скоростей осаждения галлия и мышьяка на морфологию планарных нанопроволок GaAs, 21-я Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлекторнике, 25 - 29 ноября 2019, Санкт-Петербург, устный
N.L. Shwartz, A.A. Spirina, V.L.Alperovich, Evolution of III-V semiconductor surface morphology during Langmuir evaporation, Progress in Applied Surface, Interface, and Thin Film Science (SURFINT-SREN VI), November 18 – 21, 2019, Florence, Italy
А. А. Спирина, Н. Л. Шварц, Анализ CVD роста планарных нанопроволок GaAs по механизму пар-жидкость-кристалл, Кузнецовские чтения - 2020, Пятый семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы, 3 – 5 февраля 2020, Новосибирск, устный
Anna A. Spirina, Nataliya L. Shwartz, Annealing Kinetics of GaAs under Incongruent Evaporation Conditions, XXI Международная конференция молодых специалистов по микро/нанотехнологиям и электронным приборам (EDM 2020), 29 июня - 04 июля 2020, Новосибирск, устный
A.A.Spirina, N.L.Shwartz, Influence of the surface treatment on the GaAs planar nanowire morphology, Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Material, July 30 - August 03, 2020, Vladivostok, Russia, заочный
А. А. Спирина, Н. Л. Шварц, Влияние обработки поверхности подложки на морфологию GaAs планарных нанопроволок (моделирование методом Монте-Карло), II Международная конференция Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов, 19 - 21 октября 2020, Москва, устный
А. А. Спирина, Н. Л. Шварц, Влияние разориентации поверхности арсенида галлия на скорости испарения галлия и мышьяка, XXII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, 23-27 ноября 2020, Санкт-Петербург, постер
А. А. Спирина, Н. Л. Шварц, Эшелонирование ступеней на поверхности GaAs(111)A при ленгмюровском испарении, Школа молодых ученых "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем", 14-16 декабря 2020, Новосибирск, постер

Личное участие в конференциях:

НазваниеОбложка тезисовОбложка программыВремя выступленияПервая страница
A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz, Surface orientation influence on the characteristics of GaAs substrates high-temperature annealing, The Fourth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT 2018), Владивосток, 23-28 сентября 2018, устный доклад
A. A. Spirina, I. G. Neizvestny, N. L. Shwartz, Examination of GaAs and InAs Langmuir evaporation by simulation, The Fourth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials (ASCO-NANOMAT 2018), Владивосток, 23-28 сентября 2018, стендовый доклад
A. A. Spirina, A. G. Nastovjak, N. L. Shwartz, Analyses of new crystal layer formation at droplet-crystal interface during AIIIBV nanowire growth by Monte Carlo simulation, 20th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy (EuroMBE 2019), Lenggries, Germany, February 17th to 20th, 2019, стендовый доклад
Anna A. Spirina, Nataliya L. Shwartz, Simulation of Planar Nanowire Growth Based on AIIIBV Semiconductors, 20th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM 2019), Altai Republic, Russia, June 29 - July 3, 2019, устный доклад
Спирина А.А., Шварц Н.Л., Условия формирования планарных нанопроволок GaAs (моделирование), XIV Российская конференция по физике полупроводников, Новосибирск, 9 - 13 сентября 2019, стендовый доклад
Anna Spirina, Nataliya Shwartz, Monte Carlo simulation of planar GaAs nanowire growth, Nanowire Week 2019, Pisa (Tuscany), Italy, September 23 to 27, 2019, стендовый доклад
А. А. Спирина, Н. Л. Шварц, В.С. Деревщиков, Решеточная Монте-Карло модель сорбции/регенерации высокотемпературного регенерируемого сорбента, XX Всероссийская конференция молодых учёных по математическому моделированию и информационным технологиям, Новосибирск, 28 октября - 1 ноября 2019 г, устный доклад
Спирина А.А., Шварц Н.Л., Влияние скоростей осаждения галлия и мышьяка на морфологию планарных нанопроволок GaAs (моделирование), 21-я Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлекторнике, Санкт-Петербург, 25 - 29 ноября 2019, устный доклад
А. А. Спирина, Н. Л. Шварц, Анализ CVD роста планарных нанопроволок GaAs по механизму пар-жидкость-кристалл, Кузнецовские чтения - 2020, Пятый семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы, Новосибирск, 3 - 5 февраля 2020, устный доклад
Anna A. Spirina, Nataliya L. Shwartz, Annealing Kinetics of GaAs under Incongruent Evaporation Conditions, XXI Международная конференция молодых специалистов по микро/нанотехнологиям и электронным приборам (EDM 2020), Новосибирск, 29 июня - 04 июля 2020, устный доклад
А. А. Спирина, Н. Л. Шварц, Влияние обработки поверхности подложки на морфологию GaAs планарных нанопроволок (моделирование методом Монте-Карло), II Международная конференция Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов, Москва, 19 - 21 октября 2020, устный доклад
А. А. Спирина, Н. Л. Шварц, Влияние разориентации поверхности арсенида галлия на скорости испарения галлия и мышьяка, XXII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 23-27 ноября 2020, стендовый доклад
А. А. Спирина, Н. Л. Шварц, Эшелонирование ступеней на поверхности GaAs(111)A при ленгмюровском испарении, Школа молодых ученых "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем", Новосибирск, 14-16 декабря 2020, стендовый доклад

Личные достижения (дипломы, гранты, награды, сертификаты, именные стипендии):

  1. Стипендия им. Ржанова в конкурсе стипендий среди молодых ученых ИФП-2018
  2. 2 место за устный доклад на 21-ой Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлекторнике, Санкт-Петербург, 25-29 ноября 2019
  3. Стипендия в конкурсе стипендий 2020 среди молодых ученых ИФП

Участие в грантах:

  1. 18-02-00764, 19-31-90023

Отчёты о выполнении НИР:

1-й семестр:

1) С помощью моделирования получены температурные зависимости скорости испарения компонентов AIIIBV;

2) Обнаружена особенность в температурных зависимостях скорости испарения мышьяка при ленгмюровском испарении арсенида галлия и арсенида индия. Дано объяснение этой особенности.

3) Предложен механизм движения капель металлов III группы при ленгмюровском испарении;

4) По теме работы подготовлены публикации

2-й семестр:

1) Опубликована статья по движению капель галлия при ленгмюровском испарении арсенида галлия;
2) Предложена схема роста планарных нанопроволок GaAs по механизму пар-жидкость-кристалл на основе решеточной Монте-Карло модели;
3) Подробно изучались начальные стадии роста планарных нанопроволок GaAs;
4) По теме работы подготовлена публикация.

3-й семестр:

1) Проанализировано влияние скоростей осаждения галлия и мышьяка на морфологию планарных нанопроволок GaAs;
2) Показаны три возможных сценария образования нанопроволок на подложках GaAs(111)A в зависимости от абсолютных значений и соотношения потоков галлия и мышьяка: непланарный рост, планарный рост проволок с последующим переходом к непланарному росту и устойчивый планарный рост;
3) Проанализирована кинетика перехода планарного роста нанопроволок GaAs к непланарному;
4) Опубликовано три статьи по результатам работы.

Аннотация выпускной квалификационной работы: