Русецкий Вадим Сергеевич

Дата рождения: 23.04.1995
Вуз (дата окончания): НГТУ (2018)
Год поступления в аспирантуру: 2018
Форма обучения: очная
Направление подготовки: 03.06.01 - "Физика и астрономия"
Специальность: 01.04.10 - "Физика полупроводников"
Тема диссертации: Оптический метод регистрации спина свободных электронов с пространственным разрешением в гетероструктурах А3В5
Научный руководитель: д.ф.-м.н., профессор Терещенко Олег Евгеньевич
Лаборатория: Лаб. №3
E-mail:

Публикации:

Труды конференций:

НазваниеОбложкаПервая страница
Rusetsky V.S. Development of modulation transfer function test bench for image intensifier tubes // SCIENCE. RESEARCH. PRACTICE. — Новосибирск, 2017 c116-118
Русецкий В.С. Разработка автоматизированной системы для измерения частотно-контрастной характеристики электронно-оптических преобразователей // Фундаментальные и прикладные исследования. — Новосибирск, 2016 с.119-122
В.С. Русецкий, В.А. Голяшов, Н.С. Назаров, И.Б. Чистохин, А.С. Ярошевич, Т.С. Шамирзаев, И.А. Деребезов, В.А. Гайслер, А.К. Бакаров, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, И.И. А.В. Миронов, В.В. Аксенов, О.Е. Терещенко / Фотоэмиссионные и инжекционные свойства полупроводниковых гетероструктур с эффективным отрицательным электронным сродством // Материалы XXIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 11-14 марта, Россия, Нижний Новгород, 2019, С. 813 –814
О.Е.Терещенко, В.А.Голяшов, В.С.Русецкий, Н.С.Назаров, А.В.Миронов, В.В.Аксенов / Оптическое детектирование спиновой поляризации свободных электронов в полупроводниковых гетероструктурах с пространственным разрешением // Российская конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных учёных) Фотоника, 27-31 мая, Россия, Новосибирск, 2019, С. 32
В.А.Голяшов, Н.А.Назаров, В.С.Русецкий, А.В.Миронов, В.В.Аксенов, О.Е.Терещенко / Эмиссия и инжекция электронов низких энергий в вакуумных диодах с электродами на основе полупроводниковых гетероструктур с эффективным отрицательным электронным сродством // Российская конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных учёных) Фотоника, 27-31 мая, Россия, Новосибирск, 2019, С. 37
Голяшов В.А., Назаров Н.А., Русецкий В.С., Миронов А.В., Аксенов В.В., Терещенко О.Е. / Угловое распределение эмитируемых из GaAs/(Cs,O) фотокатодов электронов // Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников 9-13 сентября 2019 г, Новосибирск, 2019, с. 94
Русецкий В.С., Голяшов В.А., Миронов А.В., Аксенов В.В., Терещенко О.Е / Исследование фотоэмиссионных свойств мультищелочных фотокатодов // Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников 9-13 сентября 2019 г, Новосибирск, 2019, с. 457

Личное участие в конференциях:

НазваниеОбложка тезисовОбложка программыВремя выступленияПервая страница
Русецкий В.С., Голяшов В.А., Миронов А.В., Аксенов В.В., Терещенко О.Е , Исследование фотоэмиссионных свойств мультищелочных фотокатодов , XIV Российская конференция по физике полупроводников, Новосибирск, 9-13 сентября 2019 г, стендовый доклад

Личные достижения (дипломы, гранты, награды, сертификаты, именные стипендии):

  1. Стипендия Ассоциации выпускников НГТУ-НЭТИ имени В.А. Аксёнова 2016

Аннотация выпускной квалификационной работы: