Недомолкина Александра Александровна

Дата рождения: 17.08.1993
Вуз (дата окончания): НГУ (2017)
Год поступления в аспирантуру: 2017
Форма обучения: очная
Направление подготовки: 03.06.01 - "Физика и астрономия"
Специальность: 01.04.07 - "Физика конденсированного состояния"
Тема диссертации: Атомная структура границ раздела в полупроводниковых гетеросистемах A3B5-Si
Научный руководитель: к.ф.-м.н. Гутаковский Антон Константинович
Лаборатория: Лаб. № 20
E-mail:

Публикации:

Статьи в рецензируемых научных журналах:

НазваниеПервая страница
Недомолкина А.А., Гутаковский А.К. Исследование структурных и морфологических особенностей нанокристаллов селенида кадмия методом высокоразрешающей электронной микроскопии // Известия высших учебных заведений. Физика. № 34 .2017.
Aksenov, M. S., Gutakovskii, A. K., Prosvirin, I. P., Dmitriev, D. V., Nedomolkina, A. A. Valisheva, N. A. Anodic layer formation on the InAlAs surface in Townsend gas-discharge plasma // Materials Science in Semiconductor Processing, 102, 2019, 5.
Valisheva, N. A., Kruchinin, V. N., Aksenov, M. S., Azarov, I. A. & Nedomolkina, A. AThin Optical properties of native (anodic) layer on the InAlAs surface of different morphology // Solid Films, 728, 2021.

Труды конференций:

НазваниеОбложкаПервая страница
Недомолкина, А.А. Исследование двумерных массивов нанокристаллов CdSe методом высокоразрешающей электронной микроскопии / А.А. Недомолкина, А.К. Гутаковский - Текст: непосредственный // Тезисы докладов Первой ежегодной Российской национальной конференции с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микро/наносистемной технике, NMST-2016. - 2016. - 26-29 июня. - С. 50-54.
Недомолкина, А.А. Исследование двумерных массивов нанокристаллов CdSe методом высокоразрешающей электронной микроскопии / А.А. Недомолкина, А.К. Гутаковский. - Текст: непосредственный // Тезисы докладов Международной конференции ФизикА.СПб/2016. - 2016. - 1-3 ноября.
Недомолкина, А.А. Исследование двумерных массивов нанокристаллов CdSe методом высокоразрешающей электронной микроскопии / А.А. Недомолкина, А.К. Гутаковский - Текст: непосредственный // Тезисы докладов Международной научной студенческой конференция МНСК-2017. - 2017 - 16 - 20 апреля - С. 24.
Недомолкина А.А., Гутаковский А.К. Особенности структуры эпитаксиальных слоёв GaSb на поверхности Si(001). Тезисы докладов XII Международной конференции КРЕМНИЙ-2018, 2018, 90.
Недомолкина А.А., Гутаковский А.К., Аксенов М.С., Валишева Н.А., Дмитриев Д.В. Исследование морфологии границ раздела Au/Ti/InAlAs и анодный слой/ InAlAs методом высокоразрешающей электронной микрокопии. Тезисы докладов 57-й Международной научной студенческой конференции. Новосибирск, 14-19 апреля 2019 г., с. 23.

Личное участие в конференциях:

НазваниеОбложка тезисовОбложка программыВремя выступленияПервая страница
Недомолкина А.А., Гутаковский А.К. , Исследование двумерных массивов нанокристаллов CdSe методом высокоразрешающей электронной микроскопии, Международная научная студенческая конференция МНСК-2017, г. Новосибирск, 16 - 20 апреля 2017 г, устный доклад
Недомолкина А.А., Гутаковский А.К. , Исследование двумерных массивов нанокристаллов CdSe методом высокоразрешающей электронной микроскопии, Международная конференция ФизикА.СПб/2016, г. Санкт-Петербург, 1-3 ноября 2016 г, стендовый доклад
Недомолкина А.А., Гутаковский А.К., Исследование двумерных массивов нанокристаллов CdSe методом высокоразрешающей электронной микроскопии, Первая ежегодная Российская национальная конференция с международным участием по нанотехнологиям, наноматериалам и микро/наносистемной технике, NMST-2016, г. Новосибирск, 26-29 июня 2016 г, устный доклад
Недомолкина А.А., Гутаковский А.К. , Особенности структуры эпитаксиальных слоёв GaSb на поверхности Si(001). , КРЕМНИЙ-2018, Черноголовка, 22-26 октября 2018 г, стендовый доклад

Личные достижения (дипломы, гранты, награды, сертификаты, именные стипендии):

  1. Диплом 3ей степени по NMST-2016
  2. Диплом 2ой степени за лучший стендовый доклад, КРЕМНИЙ-2018

Аннотация выпускной квалификационной работы: